纳米结构的宽禁带半导体的表面分子层缺陷的填充方法

    公开(公告)号:CN103390504A

    公开(公告)日:2013-11-13

    申请号:CN201310310816.X

    申请日:2013-07-23

    Inventor: 张敏 杨林 王鹏

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02E10/549

    Abstract: 本发明提供了纳米结构的宽禁带半导体的表面分子层缺陷的填充方法,有效改善了具有电荷转移重组能低等特性的钴基单电子媒介体的使用所引发的界面电荷符合快、短路时电荷收集效率降低的问题,该方法先将纳米结构的宽禁带半导体电极浸入染料溶液中进行染色;然后将上述染色后的半导体薄膜浸入含有填充剂的溶液中进行染料分子层缺陷的填充;所述的染料在填充剂的溶液中的溶解度小于10微摩尔每升。本发明还提供上述宽禁带半导体的表面分子层缺陷的填充方法得到的半导体电极在染料敏化太阳电池中的应用。该填充方法可以有效控制界面复合反应的电子隧穿距离,从而减慢染料敏化太阳电池界面电荷复合,提高器件的光电压、光电流和功率转换效率。

    苯乙炔封端的硫醚型聚酰亚胺树脂的合成

    公开(公告)号:CN1580096A

    公开(公告)日:2005-02-16

    申请号:CN200410010850.6

    申请日:2004-05-14

    Abstract: 本发明属于苯乙炔封端的硫醚型聚酰亚胺树脂的合成,以异构硫醚二酐和各种二元胺聚合,采用苯乙炔苯酐作为反应封端剂在各种溶剂中合成硫醚型的聚酰亚胺树脂。将硫醚二酐、二元胺和苯乙炔苯酐按照n∶(n+1)∶2的比例加入到极性溶剂中,室温搅拌反应2-10小时后,加入脱水剂乙酸酐和脱水催化剂三乙胺,再于室温搅拌反应4-12小时,将其沉入到水中,得到沉淀物,充分洗涤后,干燥沉淀物即得聚酰亚胺树脂。

    一种有机染料及其制备方法和染料敏化太阳电池

    公开(公告)号:CN105131642B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201510514088.3

    申请日:2015-08-20

    CPC classification number: Y02E10/542

    Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域,尤其涉及一种有机染料及其制备方法和染料敏化太阳电池。本发明提供的有机染料具有式(I)结构,式(I)中,R1为H、C1~C36烃基或C1~C36烷氧基取代的烃基;R2、R’2、R3、R’3和R4独立地选自C1~C36烃基或C1~C36烷氧基取代的烃基;X为式(a)或式(b)结构的取代基;式(a)中,y1和y2分别独立为0或1;R5和R6独立地选自H、F、C1~C36烃基或C1~C36烷氧基取代的烃基;R7为式(c)结构的取代基:‑Q‑COOH式(c);式(c)中,Q为亚苯基、亚萘基或亚菲基。使该有机染料表现出较宽的吸收光谱和较高的太阳能利用度,进而显著提升染料敏化太阳电池的光电转换效率。

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