基于TOF的气动热环境下结构表面动态三维形貌测量装置

    公开(公告)号:CN114322826A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111498175.6

    申请日:2021-12-09

    Abstract: 本发明提供一种基于TOF的气动热环境下结构表面动态三维形貌测量装置,解决现有三维形貌测量技术无法在气动热环境下准确测量结构表面三维形貌的问题。装置包括脉冲激光模块、柱透镜组、扫描振镜组、偏振分束镜、1/4波片、透镜、可调反射镜组、窄带滤波片、条纹相机、同步控制模块和数据处理与显示模块;柱透镜组、扫描振镜组、偏振分束镜沿脉冲激光模块出射光路依次设置,1/4波片位于偏振分束镜反射光路上,透镜、可调反射镜组、窄带滤波片和条纹相机依次设在偏振分束镜透射光路上;数据处理与显示模块获取条纹相机N张条纹图像并重建,获得三维形貌深度图像;同步控制模块控制脉冲激光模块、扫描振镜组、可调反射镜组和条纹相机的同步。

    一种超快中子脉冲能谱探测系统及方法

    公开(公告)号:CN113552611A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110666558.3

    申请日:2021-06-16

    Abstract: 本发明涉及一种超快中子脉冲能谱探测系统及方法,以解决现有中子能谱仪无法满足超快中子脉冲皮秒级时间分辨的能谱探测问题。该系统包括同步触发单元、线偏振光发生单元、延迟模块、分束器、参考光单元、探测光单元以及光谱仪。同步触发单元同步触发中子脉冲源和线偏振光发生单元;线偏振光发生单元产生线偏振光L,线偏振光L依次经延迟模块和分束器后,分为第一参考光L1和第一探测光L2;第一参考光L1经参考光单元相位延时π后形成第二参考光L1’;探测光单元包括光纤环形器以及设置在DIM腔室内的普克尔斯晶体和反射镜,第一探测光L2入射至普克尔斯晶体形成偏振状态改变的第二探测光L2’,再与第二参考光L1’发生干涉;光谱仪接收干涉图像。

    辐照条件下粘接界面状态的原位表征方法

    公开(公告)号:CN112595696B

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN202011459774.2

    申请日:2020-12-11

    Abstract: 本发明涉及粘接界面状态的原位表征方法,具体涉及一种辐照条件下粘接界面状态的原位表征方法。本发明的目的是解决现有方法中存采用射线探伤方法时,依赖辐射源等大型专用设备,服役现场的展开受到空间限制,使用便利性不足,采用超声探伤方法时,辐照条件下对人员防护要求高且难以满足长期使用的要求,采用结构动力学分析时,传感器及其粘贴用胶粘剂的辐射耐受性需专门研究的技术问题,提供一种辐照条件下粘接界面状态的原位表征方法。该方法以涉及辐照条件的核电设备等为主要应用对象,通过粘接界面取样、典型状态的标定、服役现场非接触原位检测等步骤,实现了非接触、无人化、简单、安全可靠、及时的粘接界面状态表征。

    辐照条件下粘接界面状态的原位表征方法

    公开(公告)号:CN112595696A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011459774.2

    申请日:2020-12-11

    Abstract: 本发明涉及粘接界面状态的原位表征方法,具体涉及一种辐照条件下粘接界面状态的原位表征方法。本发明的目的是解决现有方法中存采用射线探伤方法时,依赖辐射源等大型专用设备,服役现场的展开受到空间限制,使用便利性不足,采用超声探伤方法时,辐照条件下对人员防护要求高且难以满足长期使用的要求,采用结构动力学分析时,传感器及其粘贴用胶粘剂的辐射耐受性需专门研究的技术问题,提供一种辐照条件下粘接界面状态的原位表征方法。该方法以涉及辐照条件的核电设备等为主要应用对象,通过粘接界面取样、典型状态的标定、服役现场非接触原位检测等步骤,实现了非接触、无人化、简单、安全可靠、及时的粘接界面状态表征。

    X射线全光固体超快探测芯片调制光栅的制备方法及光栅

    公开(公告)号:CN109827981B

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN201910150687.X

    申请日:2019-02-28

    Abstract: 本发明属于超快诊断领域,提供了一种X射线全光固体超快探测芯片调制光栅的制备方法及光栅,解决现有工艺制备的调制光栅,其金属层较薄,难以制备高深宽比的光栅,不能很好实现对X射线阻挡作用的问题,该方法包括以下步骤:步骤一、以全光固体超快探测芯片外延片的外延面作为光栅材料的衬底,选择合适的光栅材料,所述光栅材料为能有效吸收X射线的金属材料;步骤二、在衬底上制备导电的金属模块,形成种子层;步骤三、在种子层上制备胶膜,采用SU‑8胶进行光刻,形成胶光栅结构;步骤四、对制备有胶光栅结构的衬底进行微电镀,形成金属光栅结构;步骤五、去除SU‑8胶,获得金属光栅。

    一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置及方法

    公开(公告)号:CN111443062A

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN202010339529.1

    申请日:2020-04-26

    Abstract: 本发明一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置及方法,解决现有半导体折射率变化测量方法,无法满足对脉冲入射及脉冲响应特性检测需求的问题。该装置包括高功率脉冲激光器、第一分束镜、脉冲X射线激励单元、探针光调控单元、第二分束镜及信号读出单元;第一分束镜位于脉冲激光器的出射方向,将脉冲激光器产生激光光束分为A光束和B光束;脉冲X射线激励单元位于A光束出射方向,对脉冲激光产生X射线,探针光调控单元位于B光束的出射方向,产生探针光,探针光和X射线同时到达半导体超快探测芯表面;X射线对半导体超快探测芯片折射率进行调制,进而改变探针光的光谱强度;信号读出单元探测探针光光谱强度变化,获得芯片对X射线的响应过程。

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