全画幅成像双远心光学系统、全画幅成像装置、光学镜头

    公开(公告)号:CN109541782B

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN201811582182.2

    申请日:2018-12-24

    Abstract: 本申请公开了一种全画幅成像双远心光学系统、全画幅成像装置、光学镜头,该系统包括:沿光线入射方向,从物侧到像侧依次排列的第一双凸正透镜、第二双凸正透镜、第一双凹负透镜、第一弯月正透镜、第二弯月正透镜、弯月负透镜、可变光栏、第二双凹负透镜、第三双凸正透镜和第四双凸正透镜。本申请所提供的全画幅成像双远心光学系统,具有全画幅像面的成像能力,能够对大物面清晰成像,同时具备双远心、低畸变和大景深的成像特点,满足精密机械检测对大尺寸物体的检测要求。本申请的另一方面还提供了包含该光学系统的全画幅成像装置和光学镜头。

    阵列基板单元及其制备方法、阵列基板、显示控制系统

    公开(公告)号:CN111158172A

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN202010043548.X

    申请日:2020-01-15

    Abstract: 本申请公开了一种阵列基板单元及其制备方法、阵列基板、显示控制系统,所述阵列基板单元包括:衬底;波导层,设置于所述衬底上;电极层对,设置于所述衬底上,且所述波导层位于所述电极层对之间;控制电路,与所述电极层对连接,用于控制电极层对之间的电压值,以改变所述电极层对之间波导层中的光路。本申请的阵列基板单元可通过控制电路改变电极层对之间的电压值,调节该电极层对之间波导层中的光路,使阵列基板单元在不同电压值下,具有不同的显示结果。

    一种超晶格极化晶体器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN109917600A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910183493.X

    申请日:2019-03-12

    Abstract: 本申请公开了一种超晶格极化晶体器件及其制备方法。该方法包括:使基质材料与衬底材料键合,形成键合晶体;对所述键合晶体的所述基质材料层进行减薄,并在其上制作周期性或准周期性的掩膜层;对所述掩膜层进行蚀刻,以形成浮雕型光栅结构;对整个器件加压,将所述浮雕型光栅结构压制进所述掩膜层中;对所述器件的端面进行抛光镀膜,获得所述超晶格极化晶体器件,所述器件用于深紫外激光的输出。该器件成本低廉、材料易得,且可以灵活设计光学超晶格的极化周期,通过倍频、和频、差频等多种光学频率转换方法,满足可调谐、宽带等不同应用需求,获得高转换效率的深紫外激光输出。

    高损伤阈值波导相位调制器

    公开(公告)号:CN109491110A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811544028.6

    申请日:2018-12-17

    Abstract: 本申请公开了一种高损伤阈值波导相位调制器,属于光学工程领域。本申请提供的高损伤阈值波导相位调制器,包括晶体芯层和波导;所述晶体芯层的上表面包括平面部分和凸起部分,所述凸起部分由所述平面部分沿远离所述晶体芯层的方向向外延伸而形成,且所述凸起部分沿平行于所述平面部分的方向延伸;所述凸起部分的上端沿所述凸起部分与所述平面部分相平行的延伸方向向内形成连通的凹槽,所述波导填充在所述凹槽内。本申请所提供的高损伤阈值波导相位调制器能够承受高功率的输入光,并且具有高调制带宽、低驱动电压、高损伤阈值、低插入损耗。

    无腔镜光参量振荡器及其制作方法、中远红外激光器

    公开(公告)号:CN108711728A

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201810418011.X

    申请日:2018-05-04

    Abstract: 本发明公开了一种无腔镜光参量振荡器及其制作方法、中远红外激光器,包括:晶体极化区域和分布式反馈曲面光栅区域,分布式反馈曲面光栅以晶体极化区域为中心对称地设置于晶体极化区域的外侧,并与晶体极化区域的光路连接。通过在晶体极化区域两端各写入一段分布式反馈曲面光栅(c‑DBR),替代光参量振荡系统中的传统腔镜,所得光参量振荡器的体积得到有效缩小。同时减少了光参量振荡中远红外激光器的元器件,降低调节难度,提高使用稳定性。本发明还分别提供了该无腔镜光参量振荡器的制作方法和包含该无腔镜光参量振荡器的中远红外激光器。采用泵浦光激光器直接泵浦该器件,可以获得便捷式小体积的中远红外激光器。

    一种在铁电晶体材料极化过程中压制反转畴域侧向生长的电极结构制作方法

    公开(公告)号:CN103901698B

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201410068517.4

    申请日:2014-02-27

    Abstract: 本发明公开了一种在铁电晶体材料极化过程中压制反转畴域侧向生长的电极结构制作方法,包括在铁电晶体材料+z面上制作出电极结构、制作+z面除电极外其他区域的选择性质子交换层、在交换层上覆盖绝缘介质层和-z面上制作金属电极。通过本发明可以获得在极化过程中有效地压制反转畴域侧向生长的方法,解决了利用外加脉冲电压方法制作超短周期的周期性极化晶体材料时所遇到的畴域合并的难题,实现了对大厚度短周期铁电晶体材料的周期性极化,最后结果表明利用该方法所制作的周期性畴反转光栅的垂直性优越。

    一种新型镀膜掩膜装置
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111996490A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010861573.9

    申请日:2020-08-24

    Abstract: 本发明公开了一种新型镀膜掩膜装置,属于镀膜掩膜技术领域,能够解决现有镀膜装置结构复杂,制备过程繁琐,导致其成本较高的问题。所述装置包括:支撑件,支撑件用于支撑待镀膜件;掩膜板,掩膜板设置在支撑件上方;掩膜板上设置有开孔,在垂直于掩膜板的方向上,开孔在支撑件上的投影面积覆盖待镀膜件的待镀膜表面的部分区域;驱动结构,用于驱动掩膜板绕掩膜板的中心轴旋转,以使掩膜板每旋转一周,开孔在支撑件上的投影至少覆盖一次待镀膜件的待镀膜表面的全部区域。本发明用于非均匀透射率或非均匀反射率的透镜的镀膜。

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