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公开(公告)号：CN110932672A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911125718.2
申请日：2019-11-18
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公开了一种全频段太赫兹四倍频模块，包括金属上基座(1)、金属下基座(2)、第一匹配波导(3)、芯片通道(4)、第二匹配波导(5)和太赫兹全频段倍频芯片(7)；金属上基座(1)和金属下基座(2)形成腔体，第一匹配波导(3)设置在腔体内的输入端，第二匹配波导(5)设置在腔体内的输出端；芯片通道(4)设置在腔体的输入端和输出端之间，芯片通道(4)内设置太赫兹全频段倍频芯片(7)；太赫兹全频段倍频芯(7)安装在金属上基座(1)上，太赫兹全频段倍频芯片(7)分别与第一匹配波导(3)和第二匹配波导(5)连接。其可以降低太赫兹波信号发生设备的复杂性，提高相应设备的集成度。
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公开(公告)号：CN103117754A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310035066.X
申请日：2013-01-30
Applicant: 东南大学
IPC: H04B1/04
Abstract: 本发明公开了一种多芯片集成E波段发射模块，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置中频低通滤波电路、本振电路及上变频电路；中频输入端采用标准SMA接头，本振输入端为标准波导法兰结构，射频输出端为标准波导法兰结构。该模块中波导与微带电路之间的信号耦合通过过渡结构实现，低损耗基片电路及各功能砷化镓芯片通过金丝键合实现电气连接。本发明基于多芯片集成技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN101217211B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200810019397.3
申请日：2008-01-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 毫米波低反射高隔离功率合成器涉及一种能够工作在毫米波及其以上频段的低反射且输入端口之间高隔离的功率合成器，该合成器第一输入传输线(1)的一端是第一输入端口(8)，第二输入传输线(2)的一端是第二输入端口(9)，第一输入传输线(1)的另一端与第二输入传输线(2)的另一端相连并在此与输出传输线(4)的一端相连形成三线交汇处(7)，隔离传输线(3)接在第一输入传输线(1)与第二输入传输线(2)之间，吸收材料(11)放在隔离传输线(3)上，该低反射高隔离功率合成器解决了在毫米波或者更高频段的功率合成器由于没有可用的集中参数隔离电阻造成的三个端口不能同时匹配以及输入传输线之间隔离不好的问题。
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公开(公告)号：CN101950860A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010517898.1
申请日：2010-10-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种模块化低成本的毫米波实时成像电扫描天线系统，包括N块重叠设置的完全相同的PCB单元且相邻的PCB单元之间设有间隙，所述的PCB单元包括介质基板，在介质基板的一个表面上覆有作为信号地的金属贴片，在介质基板的另一个表面上覆有与作为信号地的金属贴片共同作用构成天线阵列的金属贴片和PCB Rotman透镜，在天线与PCB Rotman透镜之间设有铁电体薄膜移相器阵列，并且，天线阵列的馈电端口与铁电体薄膜移相器阵列中的铁电体薄膜移相器的一端进行一对一连接，PCB Rotman透镜的阵列端口中的端口与铁电体薄膜移相器阵列中的铁电体薄膜移相器的另一端进行一对一连接。具有集成度高、扫描控制系统简单的优点。
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公开(公告)号：CN116914392A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311112039.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于人工表面等离激元的宽带数字移相衰减器，包括介质基板，位于介质基板表面的金属结构，金属结构包括人工表面等离激元传输线、若干移相器枝节、若干衰减器枝节以及馈电网络。人工表面等离激元传输线由若干叉指电容结构、若干段微带线以及阻抗与波矢匹配段构成，沿波导方向叉指电容结构和微带线依次交替连接。其中，一段或若干段微带线上分别连接一个或若干个衰减器枝节，其余微带线上分别连接一个或若干个移相器枝节；各段微带线均分别连接一路馈线。馈线用于向移相器枝节提供数字信号，向衰减器枝节提供电压可调的直流信号。本发明能够对移相器枝节与衰减器枝节提供单独的控制信号，实现数字移相衰减一体。
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公开(公告)号：CN112952392B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110101743.8
申请日：2021-01-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明是一种液晶调控太赫兹数字可编程超表面，其单元结构主要由介质衬底、金属超表面单元结构、向列相液晶层、聚合物薄膜取向层和金属背板构成，设计工作频率处于太赫兹区。其中介质衬底为柔性超薄玻璃，金属超表面单元结构为互补型谐振环结构。液晶微槽选材为SU‑8，可以有效隔开液晶，逐列加载偏置电压。该结构基于新型人工电磁材料，可以通过加载偏置电压调节液晶层的介电常数，从而调控功能单元的反射相位及超表面阵列的相位分布，进而操控反射电磁波的远场波束特性。这是一种可重构、可编程的人工电磁表面，且具有尺寸小、重量轻等优点，因此在太赫兹波束扫描及成像方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108717995A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810351522.4
申请日：2018-04-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种超小型ULF/VLF旋转电荷天线，包括转轮，转轮上设有导体板，转轮轴上套设有导电环，导电环与转轮轴之间绝缘，导电环外侧设有导电碳刷，转轮旋转时，导电环能够与导电碳刷保持接触，导电环还与导体板电连接，导电碳刷连接电压源的正极。本发明设计的天线具有极小的电尺寸，在ULF/VLF频段可以用米级的体积实现，远远小于现有技术中体积为千米级的天线，并且不会影响天线的辐射效率。
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公开(公告)号：CN105024647A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510443954.4
申请日：2015-07-24
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公开了一种全波段太赫兹三倍频模块，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置结构相同的输入端的匹配波导、芯片通道和输出端的匹配波导；芯片通道内设置太赫兹全波段倍频芯片，所述太赫兹全波段倍频芯粘接在金属上基座上，所述太赫兹全波段倍频芯片分别与输入端的匹配波导和输出端的匹配波导连接。本发明基于太赫兹集成电路微纳制备技术，具有结构紧凑、安装简便、集成度高的特点；本发明具有全波段带宽的特点；本发明具有无需外加偏置的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN103151985B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310010842.0
申请日：2013-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明公开了一种E波段多芯片集成倍频模块，包括金属上基座、金属下基座和倍频电路，所述金属上基座和金属下基座拼合后内部形成倍频通道的容腔，所述倍频电路包括依次电气连接的输入端、第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构、第三级输出微带波导过渡结构和输出端，所述第一级倍频及滤波结构、第二级倍频放大结构和第三级输出微带波导过渡结构设置在倍频通道的容腔内，所述输入端为标准SMA接头，所述输出端为标准波导法兰结构。本发明提供的E波段多芯片集成倍频模块，具有结构紧凑、集成度高等优点，同时采用标准SMA接头和标准波导法兰结构能够易于外接各类测试线缆及测试设备；且成本低、一致性好、便于规模制造。
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公开(公告)号：CN102946228B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210467894.6
申请日：2012-11-19
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公开了一种基于Y形结构的太赫兹功率合成二倍频电路，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内设置输入波导结构、两组合成通道、输出波导结构和两组直流偏置电路；所述输入波导结构和输出波导结构为Y形，两组合成通道和直流偏置电路分别沿输入波导结构和输出波导结构Y形的中心线镜像设置，输入波导结构Y形的两端分别连接对应合成通道的输入端，输出波导结构Y形的两端分别连接对应合成通道的输出端，两组合成通道内分别悬置薄膜芯片，直流偏置电路上设置芯片电容，芯片电容和薄膜芯片相连。本发明具有结构紧凑、集成度高的特点：基于微纳技术，便于集成，结构紧凑。
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