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公开(公告)号：CN1279140C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200510038374.3
申请日：2005-02-21
Applicant: 东南大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 一种铝酸盐蓝色荧光粉的制备方法涉及一种等离子显示器用铝酸盐蓝色荧光粉的制备方法，本方法涉及的PDP铝酸盐蓝色荧光粉的化学表达式为：(M1-xEux)O.MgO.5Al2O3，1)按上述荧光粉组成的化学计量比分别称取所需的荧光粉原料和助熔剂；2)将原料充分混合，将混合物装入坩埚，在1200至1400℃的温度下灼烧至少一次2～10小时；3)将装有物料的坩埚继续在弱还原性气氛中1400至1700℃的温度下灼烧，4)将灼烧过的粉末在60℃以上直至沸腾的去离子水中洗涤，同时进行搅拌，5)将热水洗涤后的荧光粉进行弱球磨分散0.5～5小时；6)将球磨分散后的荧光粉用去离子水洗涤至中性，脱水后烘干，过400目筛后即可得所需荧光粉。
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公开(公告)号：CN1277898C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510038372.4
申请日：2005-02-21
Applicant: 东南大学
IPC: C09K11/00
Abstract: 一种荧光粉的后处理方法涉及适用于不易水解的荧光粉的后处理方法，该方法为：1).按所需处理的荧光粉的组成，按其分子式所体现的各元素量称取各种原料，混合后在1200～1700℃高温灼烧及还原，将灼烧产物在60℃以上直至沸腾的去离子水中洗涤至少一次，每次10分钟至2小时，同时进行搅拌加超声波处理，停止搅拌后静置，去除悬浊液表面漂浮的物质；2).将热水洗涤后的荧光粉进行弱球磨分散0.5～5小时；3).将球磨分散后的荧光粉用去离子水洗涤至中性，脱水、烘干、过筛后即可得所需荧光粉。该方法在球磨分散处理前增加了热去离子水洗涤加超声处理工艺，去除荧光粉表面的残余物质，提高荧光粉的分散性。
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公开(公告)号：CN1664051A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510037842.5
申请日：2005-02-25
Applicant: 东南大学
IPC: C09K11/02
Abstract: 氧化镁包膜荧光粉是在荧光粉的表面上包覆有MgO膜。包膜方法是：采用pH值处于8.0～12.0之间的共轭酸碱体系配成pH值缓冲液且该缓冲液的浓度大于0.1M小于2M，按MgO与荧光粉之重量比为(0.25～15)∶100的比例，称取相应量的水溶性镁盐，配成浓度为0.01～1M的水溶性镁盐滴定溶液；将荧光粉放入pH值缓冲液中，配制成浓度为0.2～5％的荧光粉悬浮液，搅拌、超声分散，使荧光粉分散在缓冲液中；将荧光粉悬浮液加热至20～70℃并将温度控制在此间，以100r/m～300r/m速度搅拌并将水溶性镁盐滴定溶液滴入荧光粉悬浮液中，滴加速度为2～15ml/min，然后继续保温和搅拌30～180min，得包膜荧光粉悬浮液，经分离、水洗、脱水后在60～120℃下烘干，并使包膜荧光粉的含水率小于0.25％，200～400℃下灼烧1～3h，随炉空冷。
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公开(公告)号：CN1664050A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510038372.4
申请日：2005-02-21
Applicant: 东南大学
IPC: C09K11/00
Abstract: 一种荧光粉的后处理方法涉及适用于不易水解的荧光粉的后处理方法，该方法为：1)按所需处理的荧光粉的组成，按其分子式所体现的各元素量称取各种原料，混合后在1200～1700℃高温灼烧或还原，将灼烧产物在60℃以上直至沸腾的去离子水中洗涤至少一次，每次10分钟至2小时，同时进行搅拌加超声波处理，停止搅拌后静置，去除悬浊液表面漂浮的物质；2)将热水洗涤后的荧光粉进行弱球磨分散0.5～5小时；3)将球磨分散后的荧光粉用去离子水洗涤至中性，脱水、烘干、过筛后即可得所需荧光粉。该方法在球磨分散处理前增加了热去离子水洗涤加超声处理工艺，去除荧光粉表面的残余物质，提高荧光粉的分散性。
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公开(公告)号：CN1614061A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410064803.X
申请日：2004-09-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了铝锶系列合金棒材及其挤压加工成型的制备工艺。棒材包括铝和锶，其重量百分比为(9.1～8)∶(0.9～2)。制备工艺：按照上述铝锶系列合金棒材的配方，将铝锶合金棒体部分的铝加热至780℃～1100℃，精炼除气后采取密封法加入铝锶合金棒体部分的锶，搅拌均匀、除渣、浇入铁模，铸成铝锶合金棒体挤压坯；按照上述铝锶系列合金棒材的配方，将含铝包裹层部分的铝加热至780℃～850℃，精炼除气后采取密封法加入含铝包裹层部分的锶，搅拌均匀、除渣、浇入铁模，铸成与棒体坯形状、尺寸配套的含铝包裹层，再将含铝包裹层套在铝锶合金棒体挤压坯外部；将包有含铝包裹层的铝锶合金棒体坯加热至350～600℃，以5～25m/min的挤压速度，将其复合挤压成棒材。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118652846A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410701233.8
申请日：2024-05-31
Applicant: 东南大学苏州医疗器械研究院
IPC: C12N5/0787 , C12N5/0786 , C12N5/071
Abstract: 本发明提供一种肠道免疫共培养模型及培养方法，肠道免疫共培养模型包括第一培养室、第二培养室、第三培养室、第一半透膜和第二半透膜；所述第一培养室嵌设于所述第二培养室的内侧，且所述第二培养室嵌设于所述第三培养室的内侧；所述第一培养室的底部形成第一开口，所述第一半透膜固定于所述第一培养室并封闭所述第一开口；所述第二培养室的底部形成第二开口，所述第二半透膜固定于所述第二培养室并封闭所述第二开口；所述第一半透膜的孔径大于所述第二半透膜的孔径。本发明的一个技术效果在于，能够重建肠上皮细胞、巨噬细胞和中性粒细胞间的相互作用，增加了肠道免疫共培养模型的生理相关性。
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公开(公告)号：CN112861303B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202011277601.9
申请日：2020-11-16
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了一种预测低维MXenes可合成性的理论方法。属于低维材料性质模拟计算领域，该方法首先通过建模软件构建多种MAX相模型，然后运用VASP软件进行结构优化和静态自洽计算，得到每个系统的能量值和电子结构数据，接着从两个角度定义剥离能，并以剥离能从理论上待预测MAX材料的剥离难度。最后运用VASP软件进行非静态自洽计算，绘制体系的态密度图和电荷密度图，分析材料属性和成键强度，筛选出理论上可合成的低维MXenes组成。本发明避免了传统的实验试错法，为低维MXenes材料合成的可能性提供了理论预测方法，有效地缩短了研发周期和成本。
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公开(公告)号：CN113337280A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110600556.4
申请日：2021-05-31
Applicant: 东南大学
IPC: C09K11/63
Abstract: 本发明公开了一种可控全光谱发光氮化硼量子点的制备方法，以六方氮化硼纳米片作为前驱体，以氨基化合物为钝化剂，共同加入至有机溶剂中进行水热反应，通过调节氨基化合物和有机溶剂的种类，获得可见光范围内全光谱的氮化硼量子点。本发明首次对氮化硼量子点进行表面调控，通过钝化剂和溶剂来影响量子点表面氨基化程度，从而实现了量子点的全光谱发光；本发明制备使用的氮化硼、氨基化合物及有机溶剂成本低廉，制备及提纯过程温和简单，可以实现在实验室条件下的宏量制备。
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公开(公告)号：CN108614952A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810375016.9
申请日：2018-04-24
Applicant: 东南大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明属于高速钢技术领域，特别涉及一种设计优异力学性能M2C碳化物的方法，该方法首先通过建模软件构建近似无序结构的Mo2C的有序模型；其次利用V、Cr、Fe、W原子替换Mo2C中的Mo原子，运用VASP软件进行结构优化和弹性性质计算；再次将VASP软件的输出文件CONTCAR采用能量应变法计算弹性常数；最后使用VRH方法和硬度计算公式得到弹性模量和硬度，利用V、Cr、Fe、W对M2C碳化物力学性能影响规律，设计优异力学性能的M2C碳化物；本发明为高速钢生产过程中M2C碳化物设计调控提供了理论方法，有效地缩短了研发周期和成本。
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公开(公告)号：CN100383047C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510038368.8
申请日：2005-02-21
Applicant: 东南大学
IPC: C01F7/34
Abstract: 一种制备小粒径氧化铝粉的方法为：1)用去离子水分别配制铝盐溶液，使其中Al离子的浓度为0.3～3.5mol/L，pH值为1～5；2)配制碳酸氢铵溶液，浓度1～3mol/L，用氨水将pH值调节为8～10之间；3)在碳酸氢铵溶液中加入添加剂；4)将碳酸氢铵溶液加热至20～80℃，将铝盐溶液加入碳酸氢铵溶液，同时进行搅拌，通过加入氨水保持沉淀体系的pH值为8～10之间；5)所有铝盐溶液加完后，继续搅拌1～5小时；6)停止搅拌，静置或离心沉淀，倒掉上清液，将沉淀物用去离子水或酒精洗涤1～3遍，脱水，烘干，得到蓬松粉末；7)将干燥后的粉末在900至1400℃的温度下灼烧至少一次5分钟至10小时，即得到分散的α-氧化铝粉末。
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