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公开(公告)号：CN106190119A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610573460.2
申请日：2016-07-20
Applicant: 上海应用技术学院
CPC classification number: Y02B20/181 , C09K11/7736 , H01L33/502
Abstract: 一种白光LED用Eu3+掺杂钼酸盐红粉的制备方法，其化学式为Sr2CaMoO6:xEu3+，0.01≤x≤0.15，按照化学计量比称取原料，将上述原料与助熔剂充分混合均匀，混匀后装入由刚玉制成的双坩埚内，坩埚间填充吸波剂，将坩埚放入微波炉，快速升温至750-950℃，在氧化环境中进行烧结，保温时间为0.5-4h；最后经冷却、研磨、洗涤、烘干得到白光LED用红色荧光粉。本发明在微波烧结时加入助熔剂促进了钼酸盐多晶的形成和生长，荧光粉的烧结程度也显著降低、烧结时间显著缩短，粉体松散，无需机械粉碎，而且有效控制了铝酸盐荧光粉颗粒的形貌，获得粒径颗粒较小且分布均匀，外形呈近球形的颗粒。
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公开(公告)号：CN103752898B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410038413.9
申请日：2014-01-27
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明涉及一种镶嵌轴承内壁盲孔车床钻削加工动力装置，车床刀架上固定连接支架底座，支架底座上安装电动机，电动机出轴上连接小带轮，小带轮通过同步带与心轴出轴端上大带轮传动连接，心轴通过一对角接触轴承安装在刀牌的后端上，心轴中间固定连接链轮，刀牌通过二个固定角架与支架底座连接，刀牌的悬臂端上通过一对圆锥轴承安装莫氏锥套轴，莫氏锥套轴中间固定连接链轮，链轮通过链条传动连接链轮，莫氏锥套轴内配合连接钻削刀具。本发明在车床钻削加工镶嵌轴承内壁盲孔时，刀具与镶嵌轴承轴心线呈直角状态，加工刀具作旋转运动。移动大拖板对镶嵌轴承内壁盲孔孔距轴向定位，中拖板径向移动加工盲孔孔深，从而解决车床钻削加工镶嵌轴承内壁盲孔的难题。
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公开(公告)号：CN103804623B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410019856.3
申请日：2014-01-16
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C08G18/66 , C08G18/48 , C08G18/42 , C08G18/44 , C08G18/32 , C08K9/00 , C08K9/02 , C08K3/22 , C08K3/16 , C08K3/26
Abstract: 本发明公开一种纳米稀土改性的热塑性聚氨酯弹性体，按重量份数计算，由50～63份聚醚二元醇或聚酯二元醇、6.6～11.9份小分子扩链剂、0.1～3.0份纳米稀土化合物和29.1～38.1份异氰酸酯组成。即以经等离子体处理纳米稀土化合物后所得的功能化纳米稀土化合物为改性剂，以聚醚二元醇或聚酯二元醇为热塑性聚氨酯软段，以异氰酸酯和小分子扩链剂为热塑性聚氨酯硬段，异氰酸酯指数R为0.95～0.999，硬段含量为35%～50%，通过原位本体聚合一步法合成出拉伸强度为24.5～41.2 MPa，断裂伸长率为537%～851%、玻璃化转变温度为-28～-10.5℃的纳米稀土改性的热塑性聚氨酯弹性体。
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公开(公告)号：CN103804623A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410019856.3
申请日：2014-01-16
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C08G18/66 , C08G18/48 , C08G18/42 , C08G18/44 , C08G18/32 , C08K9/00 , C08K9/02 , C08K3/22 , C08K3/16 , C08K3/26
CPC classification number: C08G18/664 , C08G18/4238 , C08G18/44 , C08G18/4825 , C08G18/4854 , C08G18/6648 , C08G18/6651 , C08G18/6674 , C08K3/16 , C08K3/22 , C08K3/26 , C08K9/00 , C08K9/02 , C08K2003/221 , C08K2003/2213 , C08K2201/011
Abstract: 本发明公开一种纳米稀土改性的热塑性聚氨酯弹性体，按重量份数计算，由50～63份聚醚二元醇或聚酯二元醇、6.6～11.9份小分子扩链剂、0.1～3.0份纳米稀土化合物和29.1～38.1份异氰酸酯组成。即以经等离子体处理纳米稀土化合物后所得的功能化纳米稀土化合物为改性剂，以聚醚二元醇或聚酯二元醇为热塑性聚氨酯软段，以异氰酸酯和小分子扩链剂为热塑性聚氨酯硬段，异氰酸酯指数R为0.95～0.999，硬段含量为35%～50%，通过原位本体聚合一步法合成出拉伸强度为24.5～41.2MPa，断裂伸长率为537%～851%、玻璃化转变温度为-28～-10.5℃的纳米稀土改性的热塑性聚氨酯弹性体。
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公开(公告)号：CN103342552A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310269124.5
申请日：2013-07-01
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种纳米晶M型铁氧体粉末及其合成方法。所述一种纳米晶M型铁氧体粉末是一种单一的M型铁氧体粉末，其粒径为65～100nm，其中所含M、铁和氧按摩尔比计算即M:Fe：O为1:12:19；所述M为Pb、Ba或Sr。其合成方法即首先将柠檬酸溶解于蒸馏水中，然后加入Fe盐和M金属盐，充分搅拌溶解后，用氨水调整溶液pH值至5～7.5，然后在75～100℃下搅拌形成络合物溶液后控制温度为60～120℃形成前驱体；再将前驱体在850～900℃进行煅烧60～120min，即得纳米晶M型铁氧体粉末。该合成方法具有合成周期短、效率高、合成成本低、合成粉末晶粒尺寸细小均匀，适于批量化生产等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102807368A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210318923.2
申请日：2012-09-03
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法，即在常压、氢气气氛中将Nd3+:Lu2O3素坯在1400℃-1750℃采用多步烧结后降至室温即得Nd3+:Lu2O3纳米半透明陶瓷。本发明的一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法，由于采用了流动氢气氛辅助的多步烧结致密化控制技术，因此无需高压、高温、真空等复杂烧结设备，即在普通的氢气炉中即可实现半透明纳米陶瓷的制备，且制备的Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷具有尺寸大、不易开裂等优点。
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公开(公告)号：CN102528062A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210049179.0
申请日：2012-02-29
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: B22F9/08
Abstract: 本发明公开一种解决喷嘴和导流管金属及合金堵塞的全封闭气体雾化制粉装置，由保温坩埚、雾化器、雾化塔、可伸缩塑料管A、可伸缩塑料管B及真空泵等组成，雾化器安装在可伸缩塑料管A内，可伸缩塑料管A和B分别与保温坩埚和雾化器的喷嘴上表面、雾化塔与喷嘴下表面密封连接，形成全封闭系统结构。雾化器的导流管与金属外套之间留有间隙安装发热体A，且喷嘴的两个Laval结构的出气管的间隙内都安装发热体B，发热体A及发热体B同时通电可以避免雾化器的喷嘴和导流管管口氧化物和氮化物的产生和消除金属或合金形成的低熔点堵塞物，具有结构简单、安装方便、实现连续生产、降低了成本、提高了产品质量和生产效率等优点。
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公开(公告)号：CN102489713A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110452116.5
申请日：2011-12-30
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种防止高熔点物质堵塞的雾化器，由导流管、喷嘴、金属外套、发热体、陶瓷圆环、陶瓷密封环、反射层等组成，导流管与金属外套之间留有的间隙内安装发热体，金属外套内表面安装反射层，金属外套自上而下在靠近下端部出口的1/3~1/2处的一端渐缩成外锥形体，且下端部与导流管平齐，被金属螺杆吊置的陶瓷圆环的下端部与陶瓷密封环采用螺纹连接。本发明的一种防止高熔点物质堵塞的雾化器，可有效解决高熔点物质堵塞问题，且具有结构简单、安装方便、有效防止堵塞、节省材料等优点。
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公开(公告)号：CN102363897A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201110346402.3
申请日：2011-11-07
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种PBN坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法，属于单晶生长领域。其特点是所采用的热解氮化硼坩埚几何结构为等直径圆筒状，直径大小为50-150mm，高度为200-300mm。在垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法生长GaAs晶体的过程中，与PBN坩埚直径相同的GaAs籽晶安装于坩埚底部，熔体在籽晶的基础上不断析晶生长，省去了传统PBN坩埚生长GaAs晶体必需的放肩过程，因而在晶体生长过程中消除了由于放肩引起的热应力及GaAs小面的快速发育，大大降低了GaAs晶体中出现多晶或孪晶的几率。
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公开(公告)号：CN102002754A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010608426.7
申请日：2010-12-28
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种定形提拉法生长硅酸铋（Bi4Si3O12，简称BSO）闪烁晶体的方法，属于单晶生长领域。其特点是在坩埚中设计和安装特定形状的模具，利用定形提拉炉生长的BSO闪烁晶体。所述的方法为：Bi2O3、SiO2经过高温预烧得到BSO多晶原料，放入带有特定形状模具的坩埚中，装入定形提拉炉中。持续加热至1100-1200℃，恒温3-5h,然后下籽晶并快速提拉，生长得到板状BSO晶体。本发明能够快速生长高质量的板状BSO闪烁晶体，减少晶体生长周期，同时减少了后期的晶体加工工序，提高晶体利用率，有效节约生产成本。
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