公开(公告)号：CN102161503A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110051521.6

申请日：2011-03-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈志文 ,  王剑 ,  杜娟 ,  焦正 ,  吴明红

IPC: C01G19/02

Abstract: 本发明涉及到一种正交相二氧化锡薄膜的制备方法，其操作步骤为：（i）制备用于脉冲激光沉积的二氧化锡靶材：①制备高纯的二氧化锡粉；②将其粉末在0.4GPa压力下制作成直径15毫米，厚度4毫米圆块，将其圆块在1150℃下烧结2小时，即成为脉冲激光沉积的二氧化锡靶材；（ii）利用脉冲激光沉积方法，冲击靶材得到沉积的正交相二氧化锡薄膜。本发明探寻到了高温高压正交相二氧化锡薄膜在相对较低压力和较低温度下的制备条件。

公开(公告)号：CN102092679A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201110001114.4

申请日：2011-01-06

Applicant: 上海大学

Inventor： 陈志文 ,  李全宝 ,  潘登余 ,  张海娇 ,  焦正 ,  吴明红

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及到一种简单的、形貌可控的、微结构奇异的、重复性良好的(0,1,2和非整数)维数半导体锗纳米可控结构的制备方法，属于半导体纳米材料制备工艺技术领域。本发明方法的主要要点是：将高纯锗（纯度：99.9wt.%）和高纯金（纯度：99.99wt.%）分别放置于真空热蒸发装置中的钨丝花篮上。当真空度在室温下优于2´10-5Torr时，先蒸发半导体锗，然后在不破坏真空度的条件下，后蒸发金属金。衬底选择单晶氯化钠（100）晶面。蒸发源到衬底的距离设计为10厘米。锗和金的薄膜厚度均设计为25纳米。真空退火温度分别为50ºC，75ºC，100ºC，120ºC，150ºC，180ºC和210ºC，退火时间分别30分钟，40分钟和60分钟，即可得到不同形貌特征的锗纳米结构。