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公开(公告)号：CN104014326B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410292842.9
申请日：2014-06-25
Applicant: 上海交通大学
IPC: B01J23/22
Abstract: 本发明涉及一种钒酸铋纳米棒高效光催化剂及其制备方法，该催化剂的形貌为棒状，尺寸在纳米级，该纳米棒直径为15-30nm，长径比为5-40，比表面积为28.2m2·g-1，晶相为单斜白钨矿相，生长方向为[010]方向。制备方法是先将五水合硝酸铋与油酸钠或油酸溶于水并剧烈搅拌，然后将偏钒酸铵加到上述混合溶液中，然后在70-200℃的条件下水热6-48h，经离心洗涤干燥得到钒酸铋纳米棒。与现有技术相比，本发明采用的合成法，设备简单，操作方便，合成周期短，可重复性高，原料种类少、成本低、环保无污染而且产率高；制备的钒酸铋纳米棒吸附能力非常，在紫外光、可见光和自然光辐射下均能异常高效的降解有毒污染物和分解水。
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公开(公告)号：CN103143068B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310086921.X
申请日：2013-03-18
Abstract: 本发明涉及具有PHA覆膜的TiO2纳米管药物缓释材料及其应用，该药物缓释材料为在外表面覆有聚羟基脂肪酸脂高分子膜的TiO2纳米管，可以用于药物负载，首先在TiO2纳米管表面进行药物的负载，然后在载药后的TiO2纳米管表面构建PHA高分子膜覆层。与现有技术相比，本发明通过在载药后的TiO2纳米管表面覆盖PHA高分子膜，实现了对药物释放过程的速率调控，延长了药物的释放时间，且该方法具有工艺简单、效果可靠、过程安全、成本低廉的优势。
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公开(公告)号：CN103007347B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210487406.8
申请日：2012-11-26
Abstract: 本发明涉及一种利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法，首先利用阳极氧化法在预处理后的钛基板上制备TiO2纳米管覆层，然后将制得的TiO2纳米管浸到碱性溶液中，进而通过共沉淀法在TiO2纳米管覆层中负载庆大霉素。与现有技术相比，本发明建立了一种工艺简单、具有良好生物相容性的TiO2纳米管覆层的制备路径和利用TiO2纳米管进行药物负载/释放的模式，为人工关节置换术后假体相关感染的预防和治疗提供了新方法。
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公开(公告)号：CN104103755A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410333883.8
申请日：2014-07-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种基于钛酸铋钠薄膜体系的电阻随机存储器及其制备方法，包括下电极、上电极(104)，以及下电极和上电极(104)之间设置的钛酸铋钠基薄膜(103)，其中钛酸铋钠基薄膜(103)和上电极(104)构成一个存储单元。其制备方法为：在玻璃基板上采用磁控溅射的方法生长导电氧化物层或是直接选用商业化的覆有导电氧化物涂层的导电玻璃基板，采用化学溶液沉积法在导电氧化物涂层上制备钛酸铋钠基薄膜，在钛酸铋钠基薄膜上采用物理法制备上电极，通过掩膜控制上电极的形状。与现有技术相比，本发明所提供的电阻随机存储器具有良好的电阻随机存储效应，其制备方法简单且成本低，易于大规模制备和工业化生产。
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公开(公告)号：CN103078014A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310034117.7
申请日：2013-01-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种铁酸铋/钛酸铋钠-钛酸钡异质结构铁电薄膜太阳能电池的制备方法，选择掺杂氟的SnO2透明导电玻璃(简称FTO)作为基底，通过化学溶液沉积法制备具有钙钛矿结构的(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3以及BiFeO3铁电薄膜，然后通过物理溅射法在薄膜表面制备上电极即可。与现有技术相比，本发明能够以低的成本在FTO基板上制备出一致性高，重复性好的铁电光伏薄膜。所制备的异质结构薄膜具有比纯BiFeO3薄膜更为优越的光伏性能，可使其在光伏电池及光电子器件领域中获得应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103078013A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310034116.2
申请日：2013-01-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及在玻璃基板上制备钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜太阳能电池的方法，选择FTO导电玻璃作为基底，通过化学溶液沉积法制备钙钛矿结构钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜，然后通过物理溅射法在薄膜上制备上电极得到太阳能电池。利用超薄铁酸铋层能够提高钒酸铋薄膜的光伏效应并使其光伏效应进行反转。本发明能够以低的成本在玻璃基板上制备出一致性高，重复性好的钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜。所制备的异质结薄膜不仅具有优越的光伏特性且其二极管方向和单纯钒酸铋薄膜二极管方向相反，这些优越的特性可使超薄铁酸铋铁电薄膜及类似钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜在太阳能电池及光电器件领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103007347A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210487406.8
申请日：2012-11-26
Abstract: 本发明涉及一种利用在Ti表面原位合成的TiO2纳米管覆层负载庆大霉素的方法，首先利用阳极氧化法在预处理后的钛基板上制备TiO2纳米管覆层，然后将制得的TiO2纳米管浸到碱性溶液中，进而通过共沉淀法在TiO2纳米管覆层中负载庆大霉素。与现有技术相比，本发明建立了一种工艺简单、具有良好生物相容性的TiO2纳米管覆层的制备路径和利用TiO2纳米管进行药物负载/释放的模式，为人工关节置换术后假体相关感染的预防和治疗提供了新方法。
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公开(公告)号：CN102807737A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210279716.0
申请日：2012-08-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08L63/02 , C08L69/00 , C08L9/02 , C08L27/06 , C08F120/14 , C08K13/06 , C08K7/00 , C08K3/04 , C08J3/28
Abstract: 本发明涉及石墨烯/碳纳米管分散体系高分子基复合材料的制备方法，将碳纳米管与石墨烯粉体置于液体介质中，经破碎形成稳定的石墨烯/碳纳米管分散体系，然后向其中加入高分子材料，混合均匀后制备得到石墨烯/碳纳米管分散体系高分子基复合材料。与现有技术相比，本发明提供一种简单有效实现碳纳米管、石墨烯稳定分散的方法，将所获石墨烯/碳纳米管分散体系应用于高分子基复合材料，可获得石具高电导性、热导性与力学性能的石墨烯/碳纳米管分散体系高分子基复合材料。
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公开(公告)号：CN101445646B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810204387.7
申请日：2008-12-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米材料技术领域的聚合物基碳纳米管复合材料的制备方法。步骤为：按照碳纳米管在复合材料中的质量百分比含量为0.01-10％的比例，将碳纳米管直接加入或者预先分散于液体介质中，加入聚合物基体材料的单体、齐聚物或者单体或齐聚物的溶液中，通过混合得到混合物；第二步，将所得混合物用电子束进行辐照处理，获得含碳纳米管的聚合物复合材料。本发明通过电子束辐照直接在碳纳米管表面制造不饱和碳原子，并使之立刻充分参与基体聚合反应制备复合材料，可增加碳纳米管与基体间的界面强度，可提高碳纳米管的改性效率，且保持了电子束固化的环保、高效、低耗、灵活、可靠等技术优势。
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公开(公告)号：CN119463106A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411591651.2
申请日：2024-11-08
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及高分子复合材料和智能高分子材料技术领域，具体地说是基于Ag‑S配位的高恢复力形状记忆聚氨酯材料及其制备方法。聚氨酯材料内形成多级动态网络结构，多级动态网络结构中包括Ag‑S配位键、银纳米粒子单体。所述的多级动态网络结构还包括二硫键、PCL和PEG链段。包括如下质量分数的原料：60‑80wt%的半结晶型化合物、5‑10wt%的异氰酸酯、5‑10wt%的扩链剂、5‑10wt%交联剂、0.5~5wt%的硝酸银。现有技术相比，通过体系内原位还原的银纳米粒子，利用银‑硫配位作用构建多级动态网络结构，在复合材料仍具有回收能力和永久形状可编程性的前提下，复合材料的力学性能和形状记忆性能得到显著改善。
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