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公开(公告)号：CN104992841A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510394828.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极的制备方法，包括：制备Ag8GeS6纳米晶；将Ag8GeS6纳米晶溶于溶剂中，经超声分散处理得到Ag8GeS6纳米晶墨水；将Ag8GeS6纳米晶墨水涂覆于基底上，对基底进行热处理，制得染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极。与现有技术相比，本发明的方法避免了设备昂贵、不易于大面积沉积等缺点，具有设备要求简单，适合工业化大规模生产等优点，同时该方法为制备其他材料的染料敏化太阳能电池对电极提供了可以借鉴的思路。
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公开(公告)号：CN104493194A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410718434.5
申请日：2014-12-01
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及Ag-Ag8SnS6异质二聚体纳米材料的制备方法，通过高温裂解法制备的该材料为以Ag为顶点、Ag-Ag8SnS6为基座、尺寸均一的金字塔状Ag-Ag8SnS6异质二聚体。与现有技术相比，本发明通过调节银源和硫源中硫醇的配比等反应条件，首次制备得到Ag-Ag8SnS6异质二聚体纳米材料，可在催化和光电化学领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113086983A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110336004.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种基于流动电化学的微生物培养与固碳方法，包括以下步骤：(1)将铁硫杆菌加入到9K培养基中，调节pH值，在恒温水浴中，磁搅拌，得到铁硫杆菌菌液；(2)将铁硫杆菌菌液循环加入到液流电池中，并在液流电池中加载电流，使铁硫杆菌在流动电化学微生物培养系统中不断繁殖。本发明铁硫杆菌在繁殖过程中不会产生沉淀，在流动电化学微生物培养系统通过加载电流使菌种不断繁殖，并可不断收集，并通过铁硫杆菌不断繁殖过程，实现大气中CO2不断固定。
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公开(公告)号：CN105826535B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201610323970.4
申请日：2016-05-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及三维多孔碳负载Na2Ge4O9复合物及其制备方法，以纳米碳膜组成的3D多级碳网为骨架，碳膜上镶嵌Na2Ge4O9纳米粒子的结构。Na2Ge4O9在循环过程中产生的Na2O、Li2O可以作为柔性基质缓解Ge充放电过程中的体积膨胀问题。而3D碳网一方面增加了材料的导电性，另一方面分散了Na2Ge4O9纳米粒子，提供Ge体积膨胀的空间。与现有技术相比，本发明利用简单易得的NaCl模板，制备出多级结构，方法简单，设计巧妙。所制备的材料得到很好的倍率性能和长循环稳定性。有很高的实际应用前景。
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公开(公告)号：CN105513805B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201610014896.8
申请日：2016-01-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及铜镉锗硫纳米晶、铜镉锗硫对电极及其制备方法与应用，属于太阳能电池领域。铜镉锗硫纳米晶其铜、镉、锗与硫的摩尔比为(2～2.2):(l～1.2):(1～1.2):(4～4.2)，铜镉锗硫对电极的制备是通过在导电衬底上涂覆铜镉锗硫纳米墨水来实现。本发明中铜镉锗硫纳米晶是通过低温液相法合成，具有正交晶系，是纤锌矿衍生的超晶胞结构，具有尺寸均一、结晶度高、单分散性良好等优点。用于染料敏化太阳能电池对电极催化剂时，对I3‑离子的还原表现出良好的催化活性。与现有技术相比，本发明工艺简单，所制备的铜镉锗硫对电极不仅催化效果优异，而且价格低廉，大大降低了染料敏化太阳能电池的生产成本，适合工业化大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105489377B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201610014899.1
申请日：2016-01-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池铜铁锗硫对电极及其制备方法，该对电极包括导电基底，导电基底表面涂覆有一层纤锌矿结构的铜铁锗硫纳米晶；而对电极的制备是通过在导电衬底上涂覆铜铁锗硫纳米晶墨水来实现。本申请制备的铜铁锗硫纳米晶是通过低温液相法合成，具有尺寸均一、结晶度高、单分散性良好等优点。该方法制备的纳米晶是纤锌矿衍生的超晶胞结构，为正交晶系。当用于染料敏化太阳能电池对电极时，对I3‑离子的还原表现出良好的催化活性。与现有技术相比，本发明工艺简单，所制备的对电极催化剂不仅催化效果优异，而且价格低廉，制备方法简单，大大降低了染料敏化太阳能电池的生产成本，适合工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN108390053A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810063797.8
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国平煤神马能源化工集团有限责任公司 , 上海交通大学 , 河南中平瀚博新能源有限责任公司
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , C01B33/02
Abstract: 本发明公开了一种片状硼掺杂多孔硅电极材料的制备方法，步骤为：(1)将硼掺杂的P型硅碎屑用无机酸浸泡6-24h，然后经洗涤、干燥处理，得到硼掺杂的硅粉；(2)将硼掺杂的硅粉与镁粉按摩尔比1：(1-2.5)混合均匀，得到混合料，将混合料在惰性气氛下进行热处理，生成Mg2Si粉末；(3)将Mg2Si粉末在400-850℃下高温氧化，得到反应产物，将反应产物先用无机酸进行浸泡，再用HF溶液清洗，洗涤、干燥后即得片状硼掺杂多孔硅电极材料。制备的片状硼掺杂多孔硅电极材料的粒径为0.2-5μm，比表面积为10-100m2/g，孔径为20-70nm。该片状硼掺杂多孔硅电极材料具有良好的循环稳定性和高比容量。
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公开(公告)号：CN105679544B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610015111.9
申请日：2016-01-11
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池铜锰锗硫对电极及其制备方法，该对电极包括导电基底，导电基底表面涂覆有一层纤锌矿结构的铜锰锗硫纳米晶；而对电极的制备是通过在导电衬底上涂覆铜锰锗硫纳米晶墨水来实现。本申请制备的铜锰锗硫纳米晶是通过低温液相法合成，具有尺寸均一、结晶度高、单分散性良好等优点。该方法制备的铜锰锗硫纳米晶是纤锌矿衍生的超晶胞结构，为正交晶系。当用于染料敏化太阳能电池对电极时，对I3‑离子的还原表现出良好的催化活性。与现有技术相比，本发明工艺简单，所制备的对电极催化剂不仅催化效果优异，而且价格低廉，制备方法简单，大大降低了染料敏化太阳能电池的生产成本，适合工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN104992841B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510394828.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极的制备方法，包括：制备Ag8GeS6纳米晶；将Ag8GeS6纳米晶溶于溶剂中，经超声分散处理得到Ag8GeS6纳米晶墨水；将Ag8GeS6纳米晶墨水涂覆于基底上，对基底进行热处理，制得染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极。与现有技术相比，本发明的方法避免了设备昂贵、不易于大面积沉积等缺点，具有设备要求简单，适合工业化大规模生产等优点，同时该方法为制备其他材料的染料敏化太阳能电池对电极提供了可以借鉴的思路。
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公开(公告)号：CN105826535A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610323970.4
申请日：2016-05-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/62 , H01M10/0525 , B82Y30/00
CPC classification number: H01M4/366 , B82Y30/00 , H01M4/485 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M2004/021
Abstract: 本发明涉及三维多孔碳负载Na2Ge4O9复合物及其制备方法，以纳米碳膜组成的3D多级碳网为骨架，碳膜上镶嵌Na2Ge4O9纳米粒子的结构。Na2Ge4O9在循环过程中产生的Na2O、Li2O可以作为柔性基质缓解Ge充放电过程中的体积膨胀问题。而3D碳网一方面增加了材料的导电性，另一方面分散了Na2Ge4O9纳米粒子，提供Ge体积膨胀的空间。与现有技术相比，本发明利用简单易得的NaCl模板，制备出多级结构，方法简单，设计巧妙。所制备的材料得到很好的倍率性能和长循环稳定性。有很高的实际应用前景。
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