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公开(公告)号：CN1266704C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN02142400.4
申请日：2002-09-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16 , G11C7/065 , G11C11/1673 , G11C13/004 , G11C27/024 , G11C2013/0057 , G11C2013/0076
Abstract: 在数据读出时，数据线接受来自数据读出电流供给电路的数据读出电流的供给，与选择存储单元电结合。开关电路使第1至第3节点中逐个轮流与数据线连接。根据分别由第1至第3电压保持电容器保持的第1至第3节点的电压间的比较，生成表示选择存储单元的存储数据的读出数据。借助于开关电路，与选择存储单元的存储数据相应的数据线电压被传递至第1节点，选择存储单元存储“1”数据时的数据线电压被传递至第2节点，选择存储单元存储“0”数据时的数据线电压被传递至第3节点。
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公开(公告)号：CN1487526A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03138188.X
申请日：2003-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 存储单元阵列(10)包含多个存储单元(MC)和虚设存储单元(DMC)。列选择部(27)根据模式控制信号(MDS)切换对存储单元的存取控制。列选择部(27)在第1模式下选择1个存储单元列，将与1个选择存储单元连接的第1或第2位线(BL或BL#)以及与虚设存储单元连接的第1和第2基准数据线(DLr0、DLr1)同数据读出电路(60)进行连接。列选择部(27)在第2模式下将分别与存储互补的数据的成对的2个选择存储单元连接的第1和第2位线(BL和BL#)同数据读出电路(60)进行连接。
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公开(公告)号：CN100440373C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03106631.3
申请日：2003-02-27
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G11C7/1051 , G11C7/06 , G11C11/16 , G11C29/02 , G11C29/026 , G11C29/028
Abstract: 数据读出时，来自电流供给晶体管(105)的电流通过选择存储单元及数据线(DIO)。另外，不破坏存储数据的电平大小的偏磁场被加在选择存储单元上。通过施加偏磁场，用读出放大器(120)放大选择存储单元的电阻对应于存储数据电平的极性变化前后的数据线电压差，只对选择存储单元进行存取，进行数据读出。另外，由于在数据线(DIO)和读出放大器(120)之间用电容器(110)进行绝缘，所以能与存储单元的磁化特性隔离，使读出放大器在最佳输入电压范围内工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1258769C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN02142120.X
申请日：2002-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C29/026 , G11C7/062 , G11C11/16 , G11C29/02 , G11C2029/5006 , G11C2207/063
Abstract: 数据读出电路根据分别流过第1和第2节点的电流之差，生成读出数据。在数据读出工作时，利用电流传递电路和基准电流发生电路，分别在第1和第2节点中流过与选择存储单元的通过电流对应的存取电流和规定的基准电流。在测试模式中，电流切换电路在第1和第2节点中流过同一测试电流，来代替存取电流和基准电流。由此，可评价数据读出电路中的电流读出放大器的偏移。
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公开(公告)号：CN1252727C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN02132294.5
申请日：2002-09-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明提供一种能够减小与行选择动作有关的部分的电路面积的薄膜磁性体存储装置、当写入数据时能够防止发生对非选择存储单元的数据误写入的薄膜磁性体存储装置、以及能有效地评价各MTJ存储单元对数据误写入的耐受性的薄膜磁性体存储装置。在该薄膜磁性体存储装置中，存储器阵列(10)，被划分m行×n列的多个存储单元块(50)。写入数字线(WDL)，对各个存储单元块以独立的方式按每个存储单元行进行划分。各写入数字线(WDL)，根据通过与写入数字线(WDL)分级配置并由在行方向相邻的多个子块共用的主字线(MWL)及段译码线(SGDL)传送的信息有选择地激活。由于行方向的数据写入电流只流过与选择存储单元块对应的写入数字线(WDL)，所以能够防止发生对非选择存储单元的数据误写入。
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公开(公告)号：CN1459863A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN03104321.6
申请日：2003-01-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/00 , G11C14/00
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C11/5671 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , G11C16/10 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/30 , G11C16/3454 , G11C2211/5634
Abstract: 半导体存储装置向存储块内的特定的存储单元进行写入动作时，在施加规定期间写入电压后，采用读出放大器电路及比较器进行校验动作。根据校验动作的结果，判断向存储单元的写入不足时，根据存储控制电路的指示再次进行写入动作。此时，存储控制电路调节写入电压。
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公开(公告)号：CN1459862A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN03104318.6
申请日：2003-01-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/78 , G11C16/00
CPC classification number: G11C11/5671 , G11C16/0475 , G11C16/0491 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 向存储单元阵列12内的非易失性存储单元MC1的存储区域L2和非易失性存储单元MC2的存储区域L1存储多个数据时，第1控制电路200导通开关电路SW52，向位线BL2供给规定的写入电位VCCW。另外，第2控制电路300导通开关电路SW61和SW63，根据各个存储单元存储的数据量，向位线BL1和BL2分别输出源极电位Vg。
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公开(公告)号：CN1427415A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN02142810.7
申请日：2002-09-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大石司
IPC: G11C11/15
Abstract: 按各存储单元列配置位线(BL)及电流回流配线(RL)。为分别写入多位写入数据而被选择的多条选择位线与1条电流线路串联连接，接收位线写入电流的供应。在相邻的选择位线间不同电平的数据被写入的情况下，将选择位线的一端之间或另一端之间连接，向相邻的选择位线传送位线写入电流。另一方面，在相邻的选择位线间相同电平的数据被写入的情况下，利用对应的电流回流配线(RL)使位线写入电流返回，然后向下一条选择位线传送位线写入电流。
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