公开(公告)号：CN107086226A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710066413.3

申请日：2017-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李振燮 ,  成汉珪 ,  金容一 ,  金定燮 ,  李薛琪

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/48

Abstract: 发光二极管模块、显示面板或其它设备的像素可以包括不同颜色的子像素，子像素之一包括诸如磷光体的波长转换材料，以便将从子像素的关联发光二极管发射的光转换为除了从子像素发射的光的主色之外的颜色。波长转换材料可以具有为调谐像素的颜色坐标而选择的量。可以响应于对其上要形成波长转换材料的子像素或类似制造的子像素的发光二极管所发射的光的光谱强度接近性测量，来确定波长转换材料的量。还公开了其制造方法。

公开(公告)号：CN105765741A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480065440.3

申请日：2014-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐软瑀 ,  金定燮 ,  崔荣进 ,  丹尼斯·桑尼科夫 ,  成汉珪 ,  千大明 ,  许在赫

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的一个实施例提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括：基础层，其由第一导电类型的半导体构成；绝缘层，其形成在基础层上并且具有暴露出基础层的部分区域的多个开口；纳米核，其形成在基础层的暴露的区域中的每一个上，由第一导电类型的半导体构成，并且具有晶面与其侧表面的晶面不同的上端部分；在纳米核的表面上接连形成的有源层和第二导电类型的半导体层；以及电流阻挡中间层，其形成在纳米核的上端部分上，以位于有源层与纳米核之间。

公开(公告)号：CN105009309A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480011240.X

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南求 ,  柳建旭 ,  成汉珪

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/04 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/005 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的一方面提供了一种用于制造纳米结构半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：提供由第一导电类型的半导体形成的基层；在基层上形成包括蚀刻停止层的掩模；在掩模上形成多个开口，多个开口暴露出基层的多个区域；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体来形成多个纳米核，以填充多个开口；利用蚀刻停止层部分地去除掩模，以暴露出多个纳米核的侧部；以及在所述多个纳米核的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层。

公开(公告)号：CN102403417B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110281232.5

申请日：2011-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成汉珪 ,  郑薰在 ,  杨丁子 ,  孙哲守

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。所述方法包括：准备基底；在基底上形成包括暴露部分基底的一个或多个开口的绝缘膜；通过向被开口暴露的基底提供III族源气体和氮(N)源气体在被开口暴露的基底上生长第一导电III族氮化物纳米棒晶种层；通过以脉冲模式提供III族源气体和杂质源气体并连续地提供N源气体在第一导电III族氮化物纳米棒晶种层上生长第一导电III族氮化物纳米棒；在每个第一导电III族氮化物纳米棒的表面上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电氮化物半导体层。