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公开(公告)号:CN106684230A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201610832204.0
申请日:2016-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/50 , F21K9/233 , F21V23/003 , F21W2131/103 , F21Y2105/10 , F21Y2113/00 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L2224/16225 , H05B33/0857
Abstract: 公开了一种发光装置,其包括至少一个第一光源和至少一个第二光源。至少一个第一光源和至少一个第二光源可以分别被构造为发射白光和蓝绿光,从而基于施加到至少一个第一光源和至少一个第二光源中每个的共同幅值的电流,白光的光通量与蓝绿光的光通量的比在19:1到370:1的范围。
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公开(公告)号:CN105280761A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201510266211.4
申请日:2015-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体发光器件的方法,该方法可包括步骤:形成具有暴露出基本层的一些部分的多个开口的掩模层和模型层;形成多个第一导电类型的半导体芯,每个第一导电类型的半导体芯包括从基本层延伸穿过每个开口的主体部分和设置在主体部分上并具有圆锥形状的末端部分;以及在所述多个第一导电类型的半导体芯中的每一个上形成有源层和第二导电类型的半导体层。形成所述多个第一导电类型的半导体芯的步骤可包括步骤:形成第一区域,以使得末端部分的顶点位于主体部分的中心竖直轴线上;去除模型层;以及在第一区域上形成额外生长区域,以使得主体部分具有六棱柱形状。
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