-
公开(公告)号:CN101202065A
公开(公告)日:2008-06-18
申请号:CN200810002986.0
申请日:2002-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/0079 , G11B7/0053 , G11B7/00736 , G11B7/24082 , G11B20/1217 , G11B27/24 , G11B2020/1239 , G11B2020/1298 , G11B2220/215 , G11B2220/216 , G11B2220/2537 , G11B2220/2562 , G11B2220/2566 , G11B2220/257 , G11B2220/2575
Abstract: 一种把数据记录在光盘和/或从光盘再现数据的方法,所述光盘包括导入区、用户数据区和导出区,所述导入区具有只读区、可读/写区和在只读区与可读/写区之间形成的连接区,所述方法包括:发射激光束到所述光盘;检测来自所述光盘的光信号并处理所检测的信号;其中只读区具有第一波纹,并且可读/写区具有与第一波纹不同的第二波纹,并且其中,可读/写区包括盘测试区。
-
公开(公告)号:CN101199123A
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200680021155.7
申请日:2006-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M13/11
CPC classification number: H03M13/116 , H03M13/17
Abstract: 一种使用低密度奇偶校验(LDPC)编码提高纠错性能的方法,包括:通过将一系列块式列中的非零矩阵排列得不相互重叠来产生LDPC矩阵;通过基于LDPC矩阵生成奇偶信息,产生至少一个LDPC码字块;通过累积LDPC码字块产生纠错块;以及交织该纠错块。因此,可以提高通信/高密度记录介质系统中的突发错误纠正性能。
-
公开(公告)号:CN100378821C
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN200410047773.1
申请日:2004-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/24038
Abstract: 提供一种在信息存储介质上记录/再现的方法,信息存储介质包含具有唯一信息的BCA标记,BCA标记在信息存储介质的外边缘附近形成。所述BCA标记可以在信息存储介质的最外边缘形成。这新型布局使得信息存储介质微型化以便信息存储介质适用于便携式信息记录和再现装置。
-
公开(公告)号:CN100373466C
公开(公告)日:2008-03-05
申请号:CN200410030072.7
申请日:2002-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/00454 , G11B7/00456 , G11B7/0062
Abstract: 一种在光记录装置中用于响应于具有第一电平和第二电平的输入数据分别在光记录介质上交替顺序形成记录模式和擦除模式的装置,包括:记录波形发生单元,其产生的波形包含:具有多个第一脉冲的第一多脉冲,以响应于输入数据中的第一电平形成记录模式;和具有多个第二脉冲的第二多脉冲,以响应于输入数据中的第二电平形成擦除模式。
-
公开(公告)号:CN100354959C
公开(公告)日:2007-12-12
申请号:CN01137575.2
申请日:2001-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B27/3027 , G11B7/00454 , G11B7/00718 , G11B7/00745 , G11B7/126 , G11B7/128 , G11B27/24 , G11B2220/216 , G11B2220/2575
Abstract: 本发明提供了带有摆动标题区的光记录介质及其数据记录方法和装置。光记录介质包括记录摆动信号的摆动轨道和摆动标题轨道,在此摆动标题轨道上记录包括标题信息的摆动标题信号和预定标记。因此,标题区的物理几何形状是统一的,以便当数据被记录到光记录介质上时防止光量的减少。
-
公开(公告)号:CN100354944C
公开(公告)日:2007-12-12
申请号:CN200480002644.9
申请日:2004-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
Abstract: 一种其中已记录修订号的信息存储介质和一种将数据记录在其上和/或再现其上的数据的方法。在该信息存储介质中,标准版本号和区别于标准版本号的修订号被记录在仅再现区域中。根据该方法,将数据记录在包括导入区域、用户数据区域、和导出区域的信息存储介质中和/或再现该信息存储介质中的数据。在该方法中,首先,将标准版本号记录在导入区域和导出区域的至少一个的仅再现区域中。然后,将区别于标准版本号的修订号记录在该仅再现区域中。其后,读取标准版本号和修订号,并根据与标准版本号关联的标准和修订号记录和/或再现数据。
-
公开(公告)号:CN101080776A
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200580043001.3
申请日:2005-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/12
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B20/1217 , G11B20/1879 , G11B27/3027 , G11B2020/10907 , G11B2020/1222 , G11B2020/1277 , G11B2020/1873 , G11B2020/1893 , G11B2220/20 , G11B2220/218
Abstract: 在逻辑盖写(LOW)替换的区中记录用于更新记录在信息存储介质上的数据的替换数据,在缺陷替换的区中记录用于替换介质上出现的缺陷的替换数据;如果在对记录在介质的预定区中的原始块的至少部分数据进行LOW的读-修改-写(RMW)处理期间所述原始块中产生缺陷,则在LOW替换的区中记录替换原始块的替换块;以及产生包括原始块的位置信息和替换块的位置信息的缺陷列表(DFL)条目以指示替换状态。
-
公开(公告)号:CN101064157A
公开(公告)日:2007-10-31
申请号:CN200710104856.3
申请日:2003-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/10
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B2020/1873 , G11B2220/20
Abstract: 一种具有临时缺陷管理信息区域和缺陷管理区域的盘,包括:缺陷管理区域,位于引入区域、引出区域和外部区域中的至少一个中;临时缺陷信息区域,形成于数据区域中,并且在其中记录临时缺陷信息;和临时缺陷管理信息区域,位于引入区域和引出区域中的至少一个中。因此,可以将用户数据记录在可记录盘尤其是一次写入盘,同时对其执行缺陷管理,从而实现具有有限记录容量的缺陷管理区域的有效使用。
-
-
公开(公告)号:CN101051507A
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200710103853.8
申请日:2003-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/10
CPC classification number: G11B20/10009 , G11B7/004 , G11B7/0053 , G11B7/00736 , G11B20/1217 , G11B27/3027 , G11B2020/1287 , G11B2020/1288 , G11B2220/215 , G11B2220/216 , G11B2220/218 , G11B2220/2537 , G11B2220/2541 , G11B2220/2545
Abstract: 一种信息存储介质具有用户数据区和附加数据区以及用于区分附加数据区和用户数据区的同步模式。该信息存储介质包括:用户数据被记录在其中的用户数据区和位于用户数据区之前和之后的至少一个区域的附加数据区。在附加数据区中使用的第二同步模式与在用户数据区中使用的第一同步模式不同。
-
-
-
-
-
-
-
-
-