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公开(公告)号:CN1482598A
公开(公告)日:2004-03-17
申请号:CN03143809.1
申请日:2003-07-25
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Inventor: 菊入胜也
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3906
Abstract: 本发明提供一种防止静电损坏的薄膜磁头及其磁性记录再生装置。通过使磁阻效应元件在芯块(C)内部与绝缘层处于邻接状态,芯块安装在台板上,台板的至少一面上装有绝缘性的过渡基板,过渡基板上形成的接点部与芯块的磁阻效应元件通过配线连接,包括磁阻效应元件的芯块的电容量为CMR,包括过渡基板与台板的部分的电容量为CPWB时,满足关系CPWB/CMR<1.5,从而提供不会发生静电损坏或不会因静电荷而使磁阻效应元件发生劣化的薄膜磁头组合体。