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公开(公告)号:CN114965683A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210532295.1
申请日:2022-05-09
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N29/02
Abstract: 本发明涉及一种基于无机卤化物钙钛矿和QCM的湿度传感器及其制备方法,并适用于湿度传感器技术领域。本发明提供了一种全无机无铅卤化物钙钛矿的高响应湿度传感器制备方法,主要采用液相合成法制备全无机Cs2SnCl6钙钛矿,并将其涂覆在石英晶振微天平上形成传感器,所制备的传感器具有超高湿度响应和较好的湿度稳定性。此外,利用可编程逻辑电路FPGA芯片和ESP8266物联网模块相结合实施基于阿里云平台的物联网湿度传感器设计。本发明所采用的制备方法克服了传统卤化铅钙钛矿的毒性和不稳定特性,同时制备过程简单、成本低廉、可批量生产、具有准数字信号输出和无线传感等特性。
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公开(公告)号:CN108084994B
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201711325105.4
申请日:2017-12-13
Applicant: 重庆大学 , 中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于水性银铟锌硫荧光量子点选择性检测镉离子的方法,该方法通过改变反应前驱液中银/银以及锌/银的摩尔比,银铟锌硫量子点的发光颜色在522~640nm范围内调节,当前驱液中Ag:Zn:S:In的摩尔比为0.2:1:4:2,且反应液的pH为9.5时,反应4.5个小时,可以获得量子效率为41.2%的银铟锌硫量子点,银铟锌硫量子点用于检测二价镉离子,可以实现大的探测范围(0–290μmol/L)以及低的探测极限(12.6nmol/L)。
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公开(公告)号:CN109777416A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201910229297.1
申请日:2019-03-25
Applicant: 重庆大学 , 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: C09K11/66 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L33/26
Abstract: 本发明涉及一种零维钙钛矿铯铅溴纳米片及其制备方法和应用,属于半导体发光材料技术领域,该方法中首先制备油酸铯前驱液,然后制备PbBr2溶液,最终将制备好的油酸铯前驱液与正己烷和油酸混匀后再与PbBr2溶液混合反应,再以有机溶液进行提纯,制得零维钙钛矿铯铅溴纳米片,该纳米片从原子空间排布上而言为零维材料,该铯铅溴纳米片呈六边形具有良好的晶体结构且结构稳定,粒径分布在500-600nm,尺寸均匀,其荧光效率高,可在工业生产中进行推广,尤其在光电探测、发光二极管(QLED)、微激光方面有着潜在的应用价值。该零维钙钛矿铯铅溴纳米片制备方法简单,易操作,且产率高,适合工业化生产。
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公开(公告)号:CN108816248A
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201810689382.1
申请日:2018-06-28
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及铜铟锌硫/还原氧化石墨烯纳米复合材料在光催化去除氮氧化合物中的应用,属于半导体纳米材料技术领域,其中,CIZS纳米结构作为I-III-VI2族和II-VI族的合金化合物半导体具有合适的带隙,特殊的电子能带结构,带隙可调,良好的化学与热稳定性。同时,rGO能够有效地分离电子-空穴对,并通过调整该复合材料中rGO的质量分数,以达到调整该复合材料的带隙以及比表面积,进而提高该复合材料对氮氧化合物的光催化去除作用。因为rGO具有二维蜂窝状结构,可以增大比表面积,使反应物有更大的反应位点,进而提高了光催化活性。
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公开(公告)号:CN106064830A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201610370013.7
申请日:2016-05-30
Applicant: 重庆大学
IPC: C01G21/00
CPC classification number: C01G21/006 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/04
Abstract: 本发明公开了一种CsPb2Br5纳米片的制备方法,包括以下步骤:向含Cs2CO3的十八稀溶液中加入过量油酸,氮气保护下加热至Cs2CO3完全反应,获得油酸铯前驱液;将PbBr2加入十八稀溶液中,氮气保护下加热至溶液中含氧量为0,再次升温后加入油胺和油酸至PbBr2完全溶解,注入油酸铯前驱液,氮气条件下加热60~120min,最后降低反应液温度至反应完全停止;用有机溶液进行离心提纯并存储于有机溶液中。制备的CsPb2Br5纳米片晶相均一,具有很好的晶体结构,尺寸均匀,产率较高,荧光效率高且结构稳定,可以在工业生产中进行推广,在太阳能电池、发光二极管(QLED)、微激光方面有着潜在的应用价值。
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公开(公告)号:CN105883909A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201610043837.3
申请日:2016-01-22
Applicant: 重庆大学
IPC: C01G21/16
CPC classification number: C01G21/006 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/16
Abstract: 本发明公开了一种CsPbBrxI3?x纳米棒的制备方法,包括:制备Cs2CO3?十八烯混合物,然后向该混合物中加入过量油酸,氮气氛围下120℃加热至Cs2CO3与油酸反应完全,获得油酸铯溶液;取PbI2和PbBr2加入十八烯中,氮气氛围下加热至120℃,再加入少量的油胺和油酸并升温至135℃,加热至PbI2和PbBr2溶解后,加入油酸铯溶液反应10?80min,将反应产物冰浴,离心,甲苯提纯,即得CsPbBrxI3?x纳米棒;其中,铯和铅的摩尔比为1:1.8,碘和溴摩尔比为2:1。本发明与现有技术相比,简化了反应步骤,缩短了反应时间,降低了反应所需温度,而且可以通过反应时间的长短来调整CsPbBrxI3?x纳米棒的带隙和荧光发射。
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公开(公告)号:CN105349140A
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201510908708.1
申请日:2015-12-08
Applicant: 重庆大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种基于CsPbBr3-xIx-ZnS钙钛矿量子点异质结的制备方法及其产品,通过设计一种ZnS量子点掺杂CsPbBr3-xIx钙钛矿量子点的制备方法,探究ZnS量子点对CsPbBr3-xIx钙钛矿量子点稳定性的影响并通过调控ZnS与CsPbBr3-xIx反应的时间来制备不同波长的光致发光光谱。所制备的量子点具有高效的光致发光效率,优异的光学吸收,在发光二极管、太阳能电池有广泛的应用前景。并且本发明方法易操作,易控制,成本低廉,且制备出的产品结晶程度高。
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公开(公告)号:CN114772640A
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202210579404.5
申请日:2022-05-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种无铅稳定的双钙钛矿纳米晶的制备方法及其产品和应用,属于钙钛矿材料制备技术领域。本发明公开了一种无铅稳定的双钙钛矿纳米晶的制备方法,主要是利用热注入法,使油酸铯前驱体溶液与混合溶液(BiBr3、AgNO3、油酸、油胺、十八烯、HBr)在加热条件下反应,制备得到一种无铅稳定的双钙钛矿纳米晶(Cs2AgBiBr6纳米晶)。通过本发明制备得到的Cs2AgBiBr6纳米晶具有良好的晶体结构且结构极其稳定,平均粒径为16.3nm、尺寸均匀、吸收能力强,并具有超高的光催化NO降解能力(97.22%),可在工业生产中进行推广。
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公开(公告)号:CN114477267A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202210194184.4
申请日:2022-03-01
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种无铅卤素微米晶的制备方法及其产品和应用,属于无铅卤素微米晶制备技术领域。本发明公开了一种无铅卤素微米晶的制备方法,将氯化银(AgCl)和氯化铷(RbCl)在二甲基亚砜中溶解,通过反溶剂法萃取得到Rb2AgCl3无铅卤素微米晶。本发明使用常温法进行制备,具有实验步骤简单、容易操作的优点,制备的Rb2AgCl3无铅卤素微米晶与含铅卤化物相比,解决了铅的有毒性,尤其与铯铅溴对比,本发明制备的Rb2AgCl3无铅卤素微米晶作为闪烁体材料在X射线下的发光量高于铯铅溴,而且能够将微米晶粉末制成膜的工艺简单,制成薄膜后,薄膜中材料分布均匀使得成像效果更好。
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公开(公告)号:CN111293218A
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN202010129597.5
申请日:2020-02-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于铯铜碘钙钛矿薄膜的阻变存储器及其制备方法,属于阻变存储器件技术领域。该阻变存储器由下往上依次由底电极、Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜层、聚甲基丙烯酸甲酯层和金属顶电极层叠组成。制备该阻变存储器时,首先对底电极进行预处理,然后依次制备Cs3Cu2I5钙钛矿薄膜层、聚甲基丙烯酸甲酯层和金属顶电极。该阻变存储器不含铅元素,绿色低毒,且具有双极性阻变性能,开关比~30,具有良好的重复性和稳定性,操作电压低于±1V。该阻变存储器制备方法简单,易操作,且绿色环保,适合扩大化生产。
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