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公开(公告)号：CN1176488A
公开(公告)日：1998-03-18
申请号：CN97116168.2
申请日：1997-08-08
Applicant: 西门子公司
Inventor： 彼得·韦甘德
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L21/76229
Abstract: 提供了一种方法,用绝缘材料填充集成电路的半导体衬底的浅沟槽绝缘隔离(STI)的沟槽,并使所得结构平面化,使集成电路相邻部分在同一平面上。该方法包括:在半导体衬底的无源区中形成沟槽,在沟槽内和半导体衬底上淀积氧化层,去除集成电路结构有源区的氧化物,留下具有相对集成电路结构的其他部分为基本平面化形貌的氧化物填充浅沟槽隔离结构。
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