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公开(公告)号：CN115097398A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210779391.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于跨域信号低损恢复网络的雷达抗干扰信号恢复方法，主要解决现有技术中雷达信号干扰抑制后目标信息损失的问题。其实现方案为：1)构建训练数据集；2)搭建由3个三维卷积层和1个平均池化层构成的ResNeXt模块，并构建由13个ResNeXt模块、6个三维卷积层、1个平均池化层构成的跨域信号低损恢复网络；3)使用训练数据集对跨域信号低损恢复网络进行训练；4)对雷达回波信号使用直方图定位法进行干扰抑制；5)使用训练后的跨域信号低损恢复网络对干扰抑制后的信号进行修复，得到雷达回波抗干扰后的信号恢复结果。本发明计算量小，能修复干扰抑制后雷达信号中的损失信息，可用于合成孔径雷达抗干扰。
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公开(公告)号：CN114839606A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210471755.4
申请日：2022-04-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀疏频率编码抗干扰波形信号的相干积累方法，主要解决捷变频信号由于其相位非线性变化而无法使用传统相干积累方法进行积累的问题。其实现方案为：雷达发射多组稀疏频率编码信号，获取基带回波信号；按照载频大小对基带回波信号进行脉冲压缩并分类；对分类后的每组信号分别进行同频相干积累；对同频相干积累后的每组信号分别进行速度补偿；按照载频大小对速度补偿后的每组信号进行重排；根据重排后的信号构建距离参数优化的目标函数，求解该目标函数得到最优距离参数；利用最优距离参数对重排后的信号进行距离补偿，再进行IFFT，得到异频相干积累结果。本发明提升了捷变频雷达的抗干扰性能，可用于实现捷变频雷达的目标检测。
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公开(公告)号：CN114527430A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210113566.X
申请日：2022-01-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种频率分组编码的捷变频抗干扰信号相参积累方法，在提高了波形自由度的同时，解决了现有技术中存在的捷变频信号无法相参积累或积累后出现伪峰的问题。实现步骤为：首先对脉冲信号进行频率分组编码；然后对每个频率编码后的脉冲的回波信号进行预处理，并对每个预处理后的回波信号进行速度遍历处理；再对每个速度遍历后的信号进行相参投影处理；最后将所有相参投影后的信号累加，实现捷变频抗干扰信号相参积累。本发明增大了捷变频抗干扰波形的捷变自由度，实现了捷变频抗干扰波形的相参积累，有效地提高了捷变频体制雷达的抗干扰性能和目标检测性能。
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公开(公告)号：CN114429156A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210073080.8
申请日：2022-01-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种雷达干扰多域特征对抗学习与检测识别方法，解决了雷达信号一维信息信息量不足和准确率依赖于庞大数据集的问题。实现步骤：收集雷达信号；时频分析获取数据集；对无干扰和带干扰的时频数据集样本标注；构建生成器和判别器，组成GAN网络；利用时频数据集对GAN网络训练获取生成图像并筛选用于再训练；GAN网络计算无干扰和有源干扰类型概率；获取检测结果。本发明通过时频分析处理获取雷达信号二维时频信息，通过生成对抗网络训练，大大提高了有无干扰和有源干扰类型检测的准确率，同时通过生成器获取生成图像补充训练集，减小对训练数据数量的需求。用于对雷达信号进行有无干扰检测以及有源干扰类型识别。
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公开(公告)号：CN114428230A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111651968.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种子带频率编码的切片干扰抑制方法方法，主要解决现有技术仅利用相关性不能实现剔除间歇采样转发的干扰数据，导致干扰信号能量大于信号能量时无法正确识别目标的问题，以及当干信比过大时，过渡带干扰残余会淹没相邻目标信号段导致无法正确识别目标的问题。本发明的具体步骤为：1、估计切片干扰参数；2、生成脉内子脉冲频率的发射信号；3、根据干扰参数对发射信号的子脉冲频率编码；4、构建包含干扰和目标的回波信号波形；5、分段脉压抗干扰。本发明通过频率编码使被采样转发子脉冲和未被采样子脉冲频段分别集中，提高了目标检测概率、目标积累增益和目标检测的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110544625B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910677844.2
申请日：2019-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺，包括：在势垒层上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上沉积第一金属层；在第一金属层上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层上沉积第二金属层；进行电子束光刻，形成第一区域；进行干法刻蚀，在第一区域的底面上形成势垒凹槽；对势垒凹槽进行栅金属沉积形成第一结构，第一结构包括T型栅；对第一结构进行剥离，得到凹槽型浮空T型栅。本发明实施例通过设置第一金属层和第二金属层，可以避免第一光刻胶层与第二光刻胶层之间发生互溶，并且金属层能够释放电子束光刻中剩余的电荷，消除对曝光图像的不利影响，从而形成形貌规整的T型栅，有效地抑制栅极寄生电容，有效的提高饱和电流截止频率fT。
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公开(公告)号：CN110571145B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201910678795.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种浮空Y形栅的制备方法，包括：选取势垒层；在所述势垒层上形成夹层结构，其中，所述夹层结构自下而上依次包括第一光刻胶层、第二光刻胶层和金属层；光刻所述夹层结构后形成第一结构；对所述第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构；刻蚀所述T形凹槽结构后形成具有Y形凹槽的Y形结构；在所述Y形结构的表面淀积栅金属层后形成第二结构；对所述第二结构进行剥离后形成浮空Y形栅。本发明采用一次曝光一次显影，其制备过程简单，且所述金属层形成undercut结构，避免在剥离时栅金属层脱落，所述金属层还可以释放电子束光刻中剩余的电荷，对曝光的图形不影响，从而形成规整的浮空Y形栅。
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公开(公告)号：CN113889537B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111482363.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN113889537A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111482363.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN113640754A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110965112.0
申请日：2021-08-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于低秩稀疏模型的抗主瓣间歇采样转发干扰方法，雷达信号处理领域。首先，利用短时傅里叶变换STFT将一个CPI内N个混有ISJ的回波信号转换至时频域并构建该CPI的时频图像序列；接着，利用RPCA低秩稀疏分解算法对图像序列进行分解，分离出具有低秩性的目标和稀疏性的干扰；最后，对分离出的目标信号时频序列采用时频恢复算法进行恢复，得到干扰抑制后的时域信号。方法有效抑制了间隙采样转发干扰，使得干扰与目标在时域和频域的耦合性大大降低，真实目标信号变得清晰可见，并且对目标的波形信号还原度较高，依然可以从时域和频域观察到较为显著的线性调频信号。
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