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公开(公告)号：CN116535238B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310467185.6
申请日：2023-04-27
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 本发明涉及一种一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法，实现了一维微纳米硅基陶瓷基底表面均匀定向生长辐射状SiC纳米线。本发明采用无催化剂辅助低压化学气相沉积工艺，以三氯甲基硅烷(MTS)为原料，在一维微纳米硅基陶瓷基底表面制备辐射状SiC纳米线。本发明所提供的技术方案制备工艺简单，SiC纳米线纯度高，工艺普适性强，适合于不同尺寸的一维微纳米硅基陶瓷基底，工艺具有良好的可重复性。另外，辐射状SiC纳米线的生长无需催化剂的辅助，一方面简化了制备工艺，另一方面避免了催化剂的污染。所制备的SiC纳米线与一维微纳米硅基陶瓷基底之间结合力好，结构稳定，在复合材料强韧化方面中将具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116120097B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310061814.5
申请日：2023-01-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构增韧SiC涂层及制备方法，采用三步法，首先在利用CVD技术在C/C复合材料表面制备SiC纳米线，然后利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法以甲烷为碳源获得SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构，最后利用LPCVD技术获得SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构增韧SiC涂层。本技术方法在SiC涂层内部引入SiC纳米线@碳纳米相核壳异质结构，可有效缓解涂层与C/C基体之间由于热膨胀系数而造成的界面应力，对SiC涂层具有显著的增韧效果，并提升涂层的力学性能。本发明所提供的技术方案，制备方法简单，可重复性强，可控性高，为涂层多尺度增韧设计提供了新思路，具有大规模工业生产的潜力。
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公开(公告)号：CN114002507B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110783630.0
申请日：2021-07-12
Applicant: 西北工业大学 , 北京电子工程总体研究所
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明涉及一种响应控制步进正弦扫频的非线性结构频域响应测试方法，通过使用加速度响应控制的步进正弦激励，保持驱动点的加速度幅值恒定，在不同加速度响应幅值下，提取试验谐波力谱和谐波加速度谱，利用步骤七所述线性插值绘制谐波力面，再如步骤八所述由恒定力幅值平面截取谐波力面，提取恒定力幅值平面和谐波力面的交线，精确得到非线性结构的恒定力幅值频响曲线。本发明使用加速度响应控制，将恒定力频响曲线的各频率点测量，分散到不同加速度响应幅值工况下来测量，最后通过绘制谐波力面来提取，解决了直接力控制在共振峰附近控制效果差的缺陷，得到的非线性结构的恒定力幅值频响曲线连续性更好，对共振频率，共振峰幅值测量更准确。
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公开(公告)号：CN116590690A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310467184.1
申请日：2023-04-27
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种定向SiC纳米线阵列表面二次生长超细SiC纳米线、制备方法及应用，首先采用催化剂辅助化学气相沉积工艺在碳纤维布表面制备定向SiC纳米线阵列，随后以定向SiC纳米线顶端催化剂颗粒为二次生长SiC纳米线的催化剂，采用负压化学气相沉积工艺在定向SiC纳米线顶端二次原位生长超细SiC纳米线，得到类似洋葱花形状的多级结构SiC纳米线。所制备的多级结构SiC纳米线在多个领域具有可观的发展前景。超细SiC纳米线生长方向随机分布，纳米线间弯曲缠绕形成三维网络结构，增大了基底的比表面积，可在超级电容器电极方面具有广泛应用潜力；此外，超细SiC纳米线与定向SiC纳米线阵列的结合力好，结构稳定，在复合材料强韧化领域应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN116535238A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310467185.6
申请日：2023-04-27
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 本发明涉及一种一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法，实现了一维微纳米硅基陶瓷基底表面均匀定向生长辐射状SiC纳米线。本发明采用无催化剂辅助低压化学气相沉积工艺，以三氯甲基硅烷(MTS)为原料，在一维微纳米硅基陶瓷基底表面制备辐射状SiC纳米线。本发明所提供的技术方案制备工艺简单，SiC纳米线纯度高，工艺普适性强，适合于不同尺寸的一维微纳米硅基陶瓷基底，工艺具有良好的可重复性。另外，辐射状SiC纳米线的生长无需催化剂的辅助，一方面简化了制备工艺，另一方面避免了催化剂的污染。所制备的SiC纳米线与一维微纳米硅基陶瓷基底之间结合力好，结构稳定，在复合材料强韧化方面中将具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116102017A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310062237.1
申请日：2023-01-14
Applicant: 西北工业大学
IPC: C01B32/977
Abstract: 本发明涉及一种石墨纸表面海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇及制备方法，通过改变聚碳硅烷与氮源的质量比，氮源种类和热处理温度等工艺参数，在石墨纸表面制备出海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇。本发明所制备的SiC纳米线，具有波动直径的锥形形状和锋利而清晰的尖端，并在石墨纸表面原位生长形成了海胆状SiC纳米线团簇，同时实现了大面积、可重复地原位生长海胆状氮掺杂SiC纳米线团簇的效果。该方法操作简单，工艺可控，可重复性强，所制备的氮掺杂SiC纳米线长径比高，产量高，纯度高，为海胆状SiC纳米线团簇的原位生长提供了一种新的技术和方法，有望在能量存储和转换、场发射器、复合材料、纳米增强体和光电探测器等领域得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN113048924B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202110266784.2
申请日：2021-03-12
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供一种利用外形测量数据校准CT测量数据的方法，属于工业CT无损检测技术领域。针对工业CT测量误差来源复杂、溯源困难的问题，本方法根据外形测量器具种类较多且容易获得的实际情况，利用外形测量数据高精度、高可靠性的特点，通过测量零件相同部位几何尺寸获取CT的测量偏差，然后采用先测量再校准或先校准再测量的方式实现CT测量精度的提升。该方法不需要研制专用的标准件，不受零件材料、结构、尺寸等因素影响，适用性广，可有效提高CT测量结果的精度和可靠性。
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公开(公告)号：CN115687889A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211401895.0
申请日：2022-11-08
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F18/00 , G06F18/241 , G06N20/00
Abstract: 本发明公开了一种基于改进后WOA‑ELM的情绪识别的新方法。通过引入改进后的鲸鱼优化算法(WOA)达到自动优化识别系统与特征集合的目的，解决了人之间脑电信号存在较大差异、各类情绪识别算法的三类特征信息中部分缺失等问题。具体通过引入自适应tanh函数对传统WOA算法的策略执行方面所存在的缺点进行改进，改进后的WOA算法具备更快的收敛速度与更强的全局搜索能力，并采用改进后WOA算法代替人工同时完成脑电情绪识别方法中参数调节与特征集合优化的两个关键步骤获得对单个被试脑电情绪分类的最优处理方法来训练最佳模型得到最佳情绪识别准确率。本发明意义在于提出了一种可以自动化寻优迭代的脑电情绪识别新方法，有效补偿了现有技术的不足，启发式算法与人工智能相结合，实现对单个被试的情绪识别最完备特征优化并对该特征组合使用最佳ELM分类模型进行识别。
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公开(公告)号：CN119112190A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411157814.6
申请日：2024-08-22
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本申请实施例提供一种警觉度量化方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括：对获得的待监测人员的目标脑电信号数据进行特征提取，得到事件相关电位特征和功率比特征；然后，基于预先构建的警觉度量化模型，对P300特征和N200特征的幅值和潜伏期进行状态判断，得到状态值；再基于警觉度量化模型对状态值进行强度判断，得到信号强度值；最后，再通过警觉度量化模型，对信号强度值和功率比特征进行警觉度量化，得到警觉度量化结果。如此，本申请通过对多个与警觉度下降效应相关的特征输入的模糊化推理，确定出警觉度量化等级明确的映射关系，避免了因待监测人员的警觉度量化等级不精准导致的意外突发事故，提高了警觉度量化的准确度和精准度。
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