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公开(公告)号：CN102937727A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210517067.3
申请日：2012-12-05
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
IPC: G02B5/22
Abstract: 一种滤光结构，用于可见光波段。该滤光结构由金属光栅-介质-金属膜三层结构构成，产生完美吸收的物理机制是由于激发了局域电磁共振，导致整个结构在宽波段范围内的等效阻抗与真空阻抗匹配，反射电磁被抑制，且由于金属膜的厚度较厚，电磁波也无法透射，从而形成宽带近完美吸收结构。该结构可应用在太阳能电池中捕获更多的能量，也能为无油墨印刷中实现黑色提供解决方案，改变必须使用颜料才能实现黑色印刷的传统观念。
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公开(公告)号：CN102879849A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210419189.9
申请日：2012-10-26
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种亚波长光栅结构偏振片，包括透明基底、介质光栅、第一金属层、第二金属层，介质光栅具有周期性间隔设置的脊部和沟槽，第一金属层位于介质光栅的脊部，第二金属层位于介质光栅的沟槽中，介质光栅的周期小于入射光波长，第一金属层的宽度大于介质光栅的脊部宽度，第二金属层的宽度小于介质光栅的沟槽宽度，介质光栅的脊部高度大于第一金属层的高度和第二金属层的高度。与现有的双层金属光栅结构相比，本发明中第一金属层的宽度大于介质光栅的脊部宽度，第二金属层的宽度小于介质光栅的沟槽宽度，使得更多的能量集中在第一金属层与第二金属层之间，最终提高了宽波段、大入射角度范围TM偏振光的透射效率。
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公开(公告)号：CN101377555B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810156773.3
申请日：2008-09-26
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格数码光学有限公司
Abstract: 本发明公开了一种亚波长埋入式光栅结构偏振片，包括透明基底、介质光栅、第一金属层、第二金属层，所述介质光栅具有周期性间隔设置的脊部和沟槽，所述第一金属层覆盖于介质光栅的脊部，所述第二金属层覆盖于介质光栅的沟槽中，介质光栅的周期小于入射光波长，其特征在于：在所述第一金属层和第二金属层的顶部上表面覆盖有介质覆盖层，在所述透明基底和介质光栅之间设有高折射率介质层，所述高折射率介质层的折射率在1.6至2.4之间。介质覆盖层既可以对偏振片的透射效率起调制作用，又可以起到保护金属层的作用，防止金属层被氧化和在集成过程中被破坏；在整个可见光波段，该偏振片具有高透射效率、高消光比、宽广的入射角度范围。
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公开(公告)号：CN101131537B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710132387.6
申请日：2007-09-13
Applicant: 苏州苏大维格数码光学有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种精密数字化微纳米压印的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)将待压印的微纳结构图形划分为微区单元阵列；(2)根据微区单元制作压印模仁；(3)确定压印模仁与待压印基板的相对位置，进入第一个压印工作位；(4)进行一个微区单元的微纳结构图形压印；(5)改变压印模仁与待压印基板的相对位置，至下一个压印工作位；(6)重复步骤(4)和(5)，至完成所有微区单元的压印。其装置可以通过工作平台与压印头间的相对运动，实现上述方法。本发明通过小面积压印结构的拼接，实现了大幅面的微纳结构图形制作，解决了现有技术中当模仁面积增大时，发生图形畸变的可能性也随之增大的问题；并且扩大了微纳米压印的应用范围。
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公开(公告)号：CN101131537A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710132387.6
申请日：2007-09-13
Applicant: 苏州苏大维格数码光学有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种精密数字化微纳米压印的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)将待压印的微纳结构图形划分为微区单元阵列；(2)根据微区单元制作压印模仁；(3)确定压印模仁与待压印基板的相对位置，进入第一个压印工作位；(4)进行一个微区单元的微纳结构图形压印；(5)改变压印模仁与待压印基板的相对位置，至下一个压印工作位；(6)重复步骤(4)和(5)，至完成所有微区单元的压印。其装置可以通过工作平台与压印头间的相对运动，实现上述方法。本发明通过小面积压印结构的拼接，实现了大幅面的微纳结构图形制作，解决了现有技术中当模仁面积增大时，发生图形畸变的可能性也随之增大的问题；并且扩大了微纳米压印的应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112630989B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202011600691.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种立体二维码成像薄膜及二维码层的制备方法，包括：透明间隔层；二维码层，其位于透明间隔层一侧，所述二维码层包括阵列排布的二维码微图文单元；微聚焦层，其位于所述透明间隔层的另一侧，所述微聚焦层包括阵列排布的微聚焦单元，通过所述微聚焦层能够观测到二维码层的立体成像。其能够形成二维码立体图像，裸眼可看，随视角变化，立体感逼真，在立体成像和防伪领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN113687522A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110983747.3
申请日：2021-08-25
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B30/00
Abstract: 本发明涉及一种反射式成像薄膜，包括：透明间隔层，透明间隔层包括第一表面及相背设置的第二表面；微聚焦元件阵列层，微聚焦元件阵列层设在在第一表面，微聚焦元件阵列层至少包括三个微聚焦单元；反射层，反射层覆盖在微聚焦元件阵列层的外表面，微聚焦元件阵列层与反射层构成反射式微聚焦层；微图文层，其设置在第二表面，微图文层至少包括三个微图文单元，每个微图文单元的皆不同，微图文层由虚拟立体图像整体的部分裁切经过反射式微聚焦层的投影成像获得；其中，通过透明间隔层可以观测到具有连续视差及遮挡关系的立体图像。其通过反射式微聚焦层与微图文层共同作用，提供了全视场、密集视点的真立体图像。
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公开(公告)号：CN107543500B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201710724993.0
申请日：2017-08-22
Applicant: 苏州大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 一种基于微透镜莫尔成像的精密微位移检测方法和装置，其特征在于，包括检测台以及微位移记录装置；所述微位移记录装置包括莫尔图像形成机构、图像记录机构以及上位机；其中，所述莫尔图像形成机构包括位于所述检测台上的微图文阵列以及与所述微图文阵列相对设置的微透镜阵列；所述微透镜阵列设于所述图像记录机构朝向微图文阵列一侧，所述图像记录机构连接所述上位机，所述图像记录机构将记录的图像传输于所述上位机，所述上位机对于图像提取移动的微位移。利用莫尔放大图像作为检测标志，能够同时探测(x,y,θ,z)四个维度的微小位移。
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公开(公告)号：CN107515436A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710908653.3
申请日：2017-09-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/00
CPC classification number: G02B5/003
Abstract: 本发明公开了一种可见光宽波段吸收结构及其制备方法，其特征在于，其包括：金属基材层，所述金属基材层包括第一表面以及与第一表面相对设置的第二表面；纳米结构，所述纳米结构设于所述金属基材层的第一表面，且阵列设置，形成纳米阵列单元；其中，所述纳米结构由金属材料构成。可见光宽波段吸收结构的纳米阵列单元设置在金属基材层上，结构简单，易于制备，并且另一优选方案，所述金属基材层与所述纳米结构为一体结构，可实现400 nm-600nm波段平均吸收效率大于92%，且在420 nm 和560 nm处，接近100%。
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公开(公告)号：CN105445834B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510701449.5
申请日：2015-10-26
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 一种大尺寸衍射光栅的制作方法及曝光装置，采用小尺寸光栅拼接而成，曝光装置包括两级缩微模块和消零级位相光栅，第一级缩微模块为4F成像系统，第二级缩微模块为双远心缩微投影干涉成像系统，该第二级缩微模块具有比第一级缩微模块更大的缩微倍数，且该第一缩微模块的成像面构成该第二级缩微模块的输入面，该第二缩微模块的输出面构成曝光成像时的记录面，其中第一级缩微模块包括第一傅立叶变化透镜或透镜组与第二傅立叶变化透镜或透镜组，所述消零级位相光栅位于该第一傅立叶变化透镜或透镜组与第二傅立叶变化透镜或透镜组之间，当曝光光斑中的条纹位置需要调整时，将该消零级位相光栅沿着垂直于栅线方向进行平移，实现光斑中条纹位置改变。
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