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公开(公告)号：CN118685867A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411162756.6
申请日：2024-08-23
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
IPC: C30B35/00 , C30B29/36 , C01B32/984
Abstract: 本发明的实施例提供了一种串联式多坩埚设备及使用方法，涉及晶体生长领域。该串联式多坩埚设备包括保温筒、加热件、升降装置以及至少两个坩埚，保温筒具有沿竖直方向设置的空腔，空腔包括相互连通的加热腔和存储腔，加热件设置于保温筒的外部，且加热件的位置和加热腔的位置相对应，至少两个坩埚均设置于空腔内，升降装置和坩埚连接，升降装置带动至少两个坩埚在空腔内沿竖直方向滑动，使得至少两个坩埚依次到达加热腔以及存储腔，从而依次进行加热工作以及加热后的存储工作。从而增加一次生产过程中合成的碳化硅原料的数量，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118621434A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411118590.8
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种多坩埚生长设备及使用方法，涉及晶体生长技术领域。该多坩埚生长设备包括至少两个坩埚、隔热托板以及旋转装置，隔热托板上设有至少两个安装孔，安装孔的数量和坩埚的数量一一对应，每个安装孔内均安装有坩埚，旋转装置和隔热托板连接，用于带动隔热托板旋转，从而同时带动至少两个坩埚旋转。相比于现有技术中坩埚吊装的连接方式而言，将坩埚安装在隔热托板上能够避免出现坩埚掉落的现象，而且现有技术中坩埚底部支撑的连接方式会导致坩埚底部始终有一个位置的受热不佳，从而影响晶体生长稳定性，将坩埚安装在隔热托板上使得坩埚的底部能够均匀受热，有利于坩埚的温度控制，确保晶体生长稳定性。
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公开(公告)号：CN118600557A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411087819.6
申请日：2024-08-09
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置和碳化硅单晶的生长方法；降低发热体打火的碳化硅单晶生长装置能够用于生长碳化硅单晶，其包括炉体、发热体、坩埚、坩埚盖和绝缘隔挡件，炉体具有容纳腔；坩埚设置于容纳腔内，且坩埚具有空腔，空腔用于填装碳化硅原料；坩埚盖可拆卸地设置于坩埚的上方，且位于空腔的开口处，坩埚盖用于固定籽晶；发热体设置于容纳腔内，且发热体围绕于坩埚的外周；绝缘隔挡件设置于容纳腔内，且分隔在发热体的内壁和坩埚的外壁之间。该生长装置能够利用绝缘隔挡件减少打火现象确保炉体内的压强、温度的稳定性，提高生长的晶体质量，还能延长发热体和坩埚的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117822120A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410232273.2
申请日：2024-03-01
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长领域，涉及局部发热量可调的电阻法生长碳化硅单晶的装置及方法，包括坩埚部外的石墨发热组件，发热组件包括：石墨发热体，其包括若干沿坩埚部的轴向方向设置的石墨发热部，石墨发热部具有靠近原料容纳部的下端和靠近坩埚部顶部的上端，若干石墨发热部沿坩埚部的外周分布，相邻石墨发热部之间留有间隔且一体连接，一体连接为第一连接或第二连接，第一连接为相邻的石墨发热部的上端一体连接，第二连接为相邻的石墨发热部的下端一体连接，第一连接和第二连接间隔布置；石墨滑块，其设置于石墨发热部上并与发热部滑动连接，其相对石墨发热部沿坩埚部的轴向方向滑动，可以在晶体生长过程中调节温度梯度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN117802573A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410224088.9
申请日：2024-02-29
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法，包括：坩埚筒体，其底部中央设置有环形凹部，环形凹部的底部中部向下设置有第一通孔；坩埚底，其设置于环形凹部中，其与环形凹部之间留有缝隙；第一转轴，其一端的端部通过第一通孔与坩埚筒体螺纹连接，其内部具有第二转轴容纳腔，第二转轴容纳腔靠近坩埚底的一端设置有开口；第二转轴，其位于第二转轴容纳腔中，其与第二转轴容纳腔的内表面之间留有导通气体的第一间隔，其相对第一转轴独立旋转，其通过开口固定连接于坩埚底的底部中央，第一间隔与缝隙相连通；搅拌部，其设置于坩埚底的上部。生长装置的使用能均匀原料，提高晶体质量和原料利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119843355A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510315478.1
申请日：2025-03-18
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司 , 江苏科技大学
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种能定量加料的碳化硅生长炉和碳化硅生长方法，包括炉体和坩埚，坩埚顶部设置籽晶安装部，还包括定量加料装置，定量加料装置包括加料罐、螺旋送料装置、加料输送管道；坩埚的下部开设补料管道，补料管道由下而上的依次从炉体底部、坩埚底部延伸至坩埚内部，补料管道与坩埚内壁之间形成原料仓；加料输送管道的上部设置在补料管道内且延伸至原料仓所在高度的上方并与原料仓连通，以进行补料。本发明能在晶体生长过程中连续加料，不仅可以增加晶体生长的厚度，又可以提高晶体的内部质量。
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公开(公告)号：CN118668292A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411118587.6
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种上吊装式坩埚设备及使用方法，涉及人工晶体生长技术领域。该上吊装式坩埚设备包括坩埚本体、坩埚轴、连接套以及活动套，坩埚轴设置于坩埚本体的上方，连接套可活动地设置于坩埚本体的顶部，并与坩埚轴连接，连接套设有散热孔，连接套和坩埚本体之间形成空腔，散热孔和空腔连通，活动套和连接套可活动地连接，活动套设有活动孔；其中，活动套用于相对于连接套活动，以调整活动孔与散热孔的重叠区域的大小。从而调整散热区域的大小，实现对坩埚本体的散热能力的调节，从而精准控制坩埚内的温度，尤其是可针对籽晶中心及边缘的温度差进行有效调节，改善籽晶径向温度梯度，确保晶体生长的稳定性，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN117779180B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410205388.2
申请日：2024-02-26
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法。生长装置包括坩埚部，其包括周向设置的坩埚壁，坩埚壁围绕形成的空腔包括自上而下设置的生长仓和储料仓；加热部，其沿生长仓的外侧的周向设置；坩埚套筒，其包括坩埚套筒壁和坩埚套筒底，坩埚套筒壁套设于坩埚壁的外部，坩埚套筒壁相对坩埚壁升降运动；柱塞，其设置于坩埚套筒底的上部并与坩埚套筒底固定连接，其顶部套设在储料仓的坩埚壁的内部，其与储料仓的坩埚壁内壁滑动配合；坩埚盖，其盖于坩埚套筒的上方，其与坩埚套筒壁固定连接，其下部用于安装籽晶；升降机构，其设置于坩埚盖的上部，生长装置的使用能向生长仓中补充原料，生长出大尺寸的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN118028969A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410431329.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于生长碳化硅单晶技术领域，具体涉及一种生长碳化硅单晶的装置和方法，包括设置在坩埚盖外表面的排气组件，排气组件包括：支撑架，其安装在靠近排气通道的部分坩埚盖的上表面，且其中部设置导向孔；支撑架为罩状且覆盖在排气通道的上方外围；升降杆，其由支撑架的内部沿导向孔向外穿出而继续向上延伸，升降杆的延伸端套设有第一砝码；第一球体，其上部固定在升降杆的底部，其下部与排气通道的上部相抵。本发明能最大化排出坩埚内残余气体，提升密封效果，防止由于升降机构高温形变以及粉尘粘结等进而导致倾斜被卡的现象发生，耐久性好，保证碳化硅单晶优质稳定生长，使用寿命长，并能够灵活适应不同规格的大尺寸碳化硅单晶的生长。
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公开(公告)号：CN117779180A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410205388.2
申请日：2024-02-26
Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法。生长装置包括坩埚部，其包括周向设置的坩埚壁，坩埚壁围绕形成的空腔包括自上而下设置的生长仓和储料仓；加热部，其沿生长仓的外侧的周向设置；坩埚套筒，其包括坩埚套筒壁和坩埚套筒底，坩埚套筒壁套设于坩埚壁的外部，坩埚套筒壁相对坩埚壁升降运动；柱塞，其设置于坩埚套筒底的上部并与坩埚套筒底固定连接，其顶部套设在储料仓的坩埚壁的内部，其与储料仓的坩埚壁内壁滑动配合；坩埚盖，其盖于坩埚套筒的上方，其与坩埚套筒壁固定连接，其下部用于安装籽晶；升降机构，其设置于坩埚盖的上部，生长装置的使用能向生长仓中补充原料，生长出大尺寸的碳化硅单晶。
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