公开(公告)号：CN119843355A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510315478.1

申请日：2025-03-18

Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司 ,  江苏科技大学

Inventor： 袁长路 ,  陈建明 ,  赵文超 ,  张江涛 ,  张礼华 ,  陈曙光 ,  王叶松 ,  裴永胜

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种能定量加料的碳化硅生长炉和碳化硅生长方法，包括炉体和坩埚，坩埚顶部设置籽晶安装部，还包括定量加料装置，定量加料装置包括加料罐、螺旋送料装置、加料输送管道；坩埚的下部开设补料管道，补料管道由下而上的依次从炉体底部、坩埚底部延伸至坩埚内部，补料管道与坩埚内壁之间形成原料仓；加料输送管道的上部设置在补料管道内且延伸至原料仓所在高度的上方并与原料仓连通，以进行补料。本发明能在晶体生长过程中连续加料，不仅可以增加晶体生长的厚度，又可以提高晶体的内部质量。

公开(公告)号：CN118668292A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202411118587.6

申请日：2024-08-15

Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司

Inventor： 蔡金荣 ,  陈建明 ,  赵文超 ,  刘显华 ,  张江涛

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的实施例提供了一种上吊装式坩埚设备及使用方法，涉及人工晶体生长技术领域。该上吊装式坩埚设备包括坩埚本体、坩埚轴、连接套以及活动套，坩埚轴设置于坩埚本体的上方，连接套可活动地设置于坩埚本体的顶部，并与坩埚轴连接，连接套设有散热孔，连接套和坩埚本体之间形成空腔，散热孔和空腔连通，活动套和连接套可活动地连接，活动套设有活动孔；其中，活动套用于相对于连接套活动，以调整活动孔与散热孔的重叠区域的大小。从而调整散热区域的大小，实现对坩埚本体的散热能力的调节，从而精准控制坩埚内的温度，尤其是可针对籽晶中心及边缘的温度差进行有效调节，改善籽晶径向温度梯度，确保晶体生长的稳定性，提高晶体质量。

公开(公告)号：CN118028969A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410431329.7

申请日：2024-04-11

Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司

Inventor： 蔡金荣 ,  陈建明 ,  赵文超 ,  张江涛 ,  刘显华

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明属于生长碳化硅单晶技术领域，具体涉及一种生长碳化硅单晶的装置和方法，包括设置在坩埚盖外表面的排气组件，排气组件包括：支撑架，其安装在靠近排气通道的部分坩埚盖的上表面，且其中部设置导向孔；支撑架为罩状且覆盖在排气通道的上方外围；升降杆，其由支撑架的内部沿导向孔向外穿出而继续向上延伸，升降杆的延伸端套设有第一砝码；第一球体，其上部固定在升降杆的底部，其下部与排气通道的上部相抵。本发明能最大化排出坩埚内残余气体，提升密封效果，防止由于升降机构高温形变以及粉尘粘结等进而导致倾斜被卡的现象发生，耐久性好，保证碳化硅单晶优质稳定生长，使用寿命长，并能够灵活适应不同规格的大尺寸碳化硅单晶的生长。

公开(公告)号：CN117702272A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202410168348.5

申请日：2024-02-06

Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司

Inventor： 陈建明 ,  赵文超 ,  杨洪雨 ,  范子龙 ,  张江涛

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种抑制高温热场腐蚀的碳化硅单晶的生长装置及方法。生长装置包括：坩埚部，其底部中央具有向上凹陷的凹部；导气支撑组件，其内部沿轴向设置有气路通道，其一端与凹部的顶部中央固定连接且沿周向设置有第一通气孔；第一加热部，其设置于凹部内，沿周向设置，位于导气支撑组件和坩埚部之间，其与导气支撑组件和凹部的内侧面之间分别留有第一间隔，其上端与凹部的顶部留有第二间隔，其位于第一通气孔的下方；气路通道、第一通气孔和第一间隔相连通。用于碳化硅单晶生长时，能够抑制石墨热场的腐蚀和加热部与周围的热场部件之间的打火。

公开(公告)号：CN117587522A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202410082124.2

申请日：2024-01-19

Applicant: 苏州优晶半导体科技股份有限公司

Inventor： 克拉乌斯·亚历山大 ,  陈建明 ,  范涛礼 ,  张江涛 ,  赵文超

IPC: C30B35/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本申请公开了一种具备高精度冷却控制的碳化硅长晶设备和控制方法，涉及碳化硅设备技术领域，包括碳化硅炉体、流经所述碳化硅炉体的多路冷却水管路、控制系统；控制系统用于对多路冷却水管路的多路冷却水流量进行实时监测和调控，包括信号检测单元、第一多路开关单元、第二多路开关单元、多路分频单元和可编程逻辑控制器。信号检测单元控制第一多路开关单元和第二多路开关单元连通，以将多路高频脉冲信号中第一多路信号输入可编程逻辑控制器的高速数字输入口，将多路高频脉冲信号中第二多路信号输入多路分频单元。本申请保证碳化硅长晶设备的炉体温场分布，提升碳化硅晶体的生长速度、形态质量和生长过程的稳定性。