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公开(公告)号:CN105009239B
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201480011555.4
申请日:2014-08-21
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明提供一种光电转换元件,其具有在第一电极基板形成有半导体层的光电极、具有与所述第一电极基板相对配置的第二电极基板的相对电极、将所述光电极与所述相对电极之间密封的密封件、配置在该密封件的内侧的电解质,在所述第一电极基板及所述第二电极基板的至少任一方设有将相互相对的所述第一电极基板的表面与所述第二电极基板的表面的分开尺寸扩大的空间扩大壁部,在所述密封件的内侧形成扩大空间,所述电解质在所述扩大空间的内侧被保持在所述第一电极基板与所述第二电极基板之间,在所述密封件形成有不与所述电解质接触的非接触部。
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公开(公告)号:CN108475729A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201780005226.2
申请日:2017-02-17
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L51/44
CPC classification number: H01L51/44 , Y02E10/549
Abstract: 一种固体接合型光电转换元件,其依次具备基材、第一导电层、包含钙钛矿层的发电层、以及包含第二导电层的导电件,导电件具有自立性。
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公开(公告)号:CN105164316A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201480024102.5
申请日:2014-07-04
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01G9/2027 , C23C24/04 , H01G9/0029 , H01G9/2031 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种半导体膜的制造方法,其特征在于,通过将含有半导体粒子的原料粒子吹附于基材而在所述基材上制成半导体膜,该半导体粒子是使抑制半导体粒子彼此凝聚的凝聚抑制物质附着于表面而成的半导体粒子。
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