公开(公告)号：CN114914645B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202210480063.6

申请日：2022-05-05

Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司

Inventor： 朱江滨 ,  吴育东 ,  王凯星 ,  张子山 ,  林志盛

IPC: H01P1/20 ,  H01P11/00

Abstract: 本发明提供一种多芯组电容滤波器及其生产方法，包括焊接框架、多个陶瓷电容芯片、接线杆和塑封外壳，焊接框架包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和引出端，第一、第二焊盘上下间隔布置且相互连接，第三焊盘与第二焊盘上下间隔布置，各陶瓷电容芯片的一导电端分别与第二焊盘焊接，另一导电端分别与第三焊盘焊接，第一、第二和第三焊盘均为环形焊盘，塑封外壳根据焊接陶瓷电容芯片后的焊接框架模压形成，引出端设置在第三焊盘上且伸出塑封外壳，接线杆穿过第一、第二和第三焊盘并与第一焊盘焊接。本发明可靠性高，适配性强，能够适用于多种环境，可根据实际使用情况改变电容量，生产简单。

公开(公告)号：CN118213196A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410446900.2

申请日：2024-04-15

Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司

Inventor： 何荣喜 ,  徐晨洪 ,  林志盛 ,  陈语晨 ,  张子山 ,  陈永虹 ,  张健伟 ,  孙鹭杨 ,  陈炳淞

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G17/00

Abstract: 一种在高温下制备含泄放电阻的BME MLCC的方法，BME MLCC包括陶瓷芯体、相对设置在陶瓷芯体两侧的两端电极、设置在陶瓷芯体表面位于两端电极之间的电阻层和分别连接在电阻层端部与相对端电极之间的两搭接电极；本申请通过限定BME陶瓷电容器的结构配合分步烧结的工艺，在端电极铜与电阻层之间设置搭接电极，在实现端电极铜与电阻层之间的导通连接的情况下，避开了端电极铜与氧化钌系电阻层在高温下发生烧结反应的风险，使制备的BME MLCC满足所需设计要求。

公开(公告)号：CN111646792B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202010573084.3

申请日：2020-06-22

Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司

Inventor： 洪志超 ,  陈永虹 ,  宋运雄 ,  林志盛

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  C04B41/90 ,  C04B35/64 ,  C04B35/626

Abstract: 一种BME多层陶瓷电容器、BME瓷介电容器陶瓷材料及制备方法，一种BME瓷介电容器陶瓷材料，包括以下原料：钛酸钡、乙酸锰、乙酸镁、草酸氧钒、稀土乙酸盐、乙醇钡、乙酸钙、正硅酸乙酯，通过限定陶瓷原料的组成，以钛酸钡为基础，引入草酸氧钒、正硅酸乙酯与钛酸钡、乙酸盐、乙醇钡配合，在烧结时形成良好的“壳‑芯”结构，获得2500‑3000的高介电常数的同时，使电容温度变化率保持在±15％范围内。

公开(公告)号：CN109354491B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201811093469.9

申请日：2018-09-19

Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司

Inventor： 陈永虹 ,  林志盛 ,  宋运雄 ,  许金飘 ,  郑冬建 ,  洪志超

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 一种高耐压温度稳定型介质材料、陶瓷电容器及其制备方法。通过固相法合成ZnNb2O6、Ba(Zn1/3,Nb2/3)O3，烧制ZBS玻璃；以100重量份的BaTiO3，添加3～8重量份的ZnNb2O6；10～20重量份的Ba(Zn1/3,Nb2/3)O3；0.1～0.3重量份的MnCO3；0.1～0.4重量份的Re2O3；1～3重量份的ZBS玻璃。通过球磨分散、烘干破碎最终形成介质材料。本发明提供的介质材料，介电常数为450±50，损耗角正切值为DF≤20×10‑4，工作温度区间为‑55℃～125℃，电容温度系数为‑200ppm/K～200ppm/K，且具有极高的击穿强度(≥60V/μm)。利用本发明提供的介质材料可制备工作温度范围为‑55℃～125℃的脉冲储能电容器。

公开(公告)号：CN111646792A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010573084.3

申请日：2020-06-22

Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司

Inventor： 洪志超 ,  陈永虹 ,  宋运雄 ,  林志盛

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  C04B41/90 ,  C04B35/64 ,  C04B35/626

Abstract: 一种BME多层陶瓷电容器、BME瓷介电容器陶瓷材料及制备方法，一种BME瓷介电容器陶瓷材料，包括以下原料：钛酸钡、乙酸锰、乙酸镁、草酸氧钒、稀土乙酸盐、乙醇钡、乙酸钙、正硅酸乙酯，通过限定陶瓷原料的组成，以钛酸钡为基础，引入草酸氧钒、正硅酸乙酯与钛酸钡、乙酸盐、乙醇钡配合，在烧结时形成良好的“壳-芯”结构，获得2500-3000的高介电常数的同时，使电容温度变化率保持在±15％范围内。

公开(公告)号：CN105367053B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201510621925.2

申请日：2015-09-25

Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司

Inventor： 陈永虹 ,  林志盛 ,  宋运雄 ,  黄祥贤 ,  谢显斌 ,  吴金剑 ,  许金飘

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗X9R型多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法，以100重量份的[(1‑x)BaTiO3‑xBiyNazTiO3]为基材，添加1.5‑2.5重量份的NbO、0.1‑0.5重量份的RE2O3、0.05‑0.15重量份的MnO和2‑4重量份的BiBO3,用去离子水作为分散介质、球磨、烘干并造粒，再将造粒后的粉料压制成圆片生坯，然后在空气气氛中升温至1080‑1200℃，保温烧结2‑6h，即制得X9R型多层陶瓷电容器用介质材料，该介质材料具有介电损耗低,使用温度高(‑55℃‑200℃)，良好的温度稳定性(‑15％≤ΔC/C≤15％)等特点，利用本发明可使多层陶瓷电容器、调谐器、双工器、等元器件适合高温(‑55℃‑200℃)的应用，有极高的产业化前景及工业应用价值。

公开(公告)号：CN105367052B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201510621378.8

申请日：2015-09-25

Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司

Inventor： 陈永虹 ,  林志盛 ,  宋运雄 ,  黄祥贤 ,  谢显斌 ,  吴金剑 ,  许金飘

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高温陶瓷电容器介质材料及其制备方法，由该材料制备的陶瓷电容器工作温度在‑55～250℃。该介质材料的原料组成为：100重量份的[(1‑x)BaTiO3‑xBiyNazTiO3]；4‑6重量份的NbO；0.1‑0.5重量份的RE2O3；0.05‑0.15重量份的MnO2；2‑4重量份的CaSiB2O6；其中：x＝0.08～0.20，y＝0.4～0.6，z＝0.4～0.6，在[(1‑x)BaTiO3‑xBiyNazTiO3]中BaTiO3和BiyNazTiO3的摩尔比为(1‑x):x；NbO含为铌的氧化物，包括MgNb2O6、ZnNb2O6、Ca(Mg1/3,Nb2/3)O3和Ba(Mg1/3,Nb2/3)O3中的一种或多种；RE为Y、Nd和Er中的一种或多种。本发明提供的高温陶瓷电容器介质材料，具有介电常数≥800，介电损耗低，良好的温度稳定性(‑15％≤ΔC/C≤15％)等特点。

公开(公告)号：CN105272192B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201510621636.2

申请日：2015-09-25

Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司

Inventor： 陈永虹 ,  林志盛 ,  宋运雄 ,  黄祥贤 ,  谢显斌 ,  吴金剑 ,  许金飘

IPC: C04B35/22

Abstract: 一种低介电常数AG特性多层瓷介电容器瓷料及其制备方法，该瓷料的原料组分为：100重量份的(xCaCO3‑ySiO2)；0‑9重量份的Al2O3；0‑5重量份的CaTiO3；0‑5重量份的MgO；0‑0.3重量份的RE2O3，在(xCaCO3‑ySiO2)中CaCO3和SiO2的摩尔比为x:y，其中：x＝0.8‑1.2，y＝0.8‑1.6，原料组份中包括Al2O3、CaTiO3、MgO和RE2O3中的至少一种；RE为Y、Ce或者Nd；采用该种瓷料制成的电容器制作成本低，具有低介电常数，低的介电损耗、高温度稳定性，适合微波通信等高频率的应用。

公开(公告)号：CN104058740B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201410314961.X

申请日：2014-07-03

Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司

Inventor： 吴金剑 ,  黄祥贤 ,  林志盛

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种无铅高介电常数温度稳定型微波介电陶瓷材料及其制备方法。该种无铅高介电常数微波介电陶瓷材料，其原料包括xBaO·yNd2O3·zTiO2化合物、铋钛化合物、MTiO30、硅锌化合物、NB2O4；其制作方法为以xBaO·yNd2O3·zTiO2为主基料，铋钛化合物、MTiO3、硅锌化合物、NB2O4为配料，通过水为分散介质，球磨、干燥、破碎并造粒、并将造粒后的粉料压制成圆片生坯，然后在空气气氛中升温至1100～1200℃，保温烧结2?4h，即制得无铅高介电常数微波介电陶瓷材料。上述所制得的陶瓷材料可用于制造高频、热稳定性优良的独石电容器，环保且有巨大的市场价值。

公开(公告)号：CN105367052A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510621378.8

申请日：2015-09-25

Applicant: 福建火炬电子科技股份有限公司

Inventor： 陈永虹 ,  林志盛 ,  宋运雄 ,  黄祥贤 ,  谢显斌 ,  吴金剑 ,  许金飘

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高温陶瓷电容器介质材料及其制备方法，由该材料制备的陶瓷电容器工作温度在-55～250℃。该介质材料的原料组成为：100重量份的[(1-x)BaTiO3-xBiyNazTiO3]；4-6重量份的NbO；0.1-0.5重量份的RE2O3；0.05-0.15重量份的MnO2；2-4重量份的CaSiB2O6；其中：x＝0.08～0.20，y＝0.4～0.6，z＝0.4～0.6，在[(1-x)BaTiO3-xBiyNazTiO3]中BaTiO3和BiyNazTiO3的摩尔比为(1-x):x；NbO含为铌的氧化物，包括MgNb2O6、ZnNb2O6、Ca(Mg1/3,Nb2/3)O3和Ba(Mg1/3,Nb2/3)O3中的一种或多种；RE为Y、Nd和Er中的一种或多种。本发明提供的高温陶瓷电容器介质材料，具有介电常数≥800，介电损耗低，良好的温度稳定性(-15％≤ΔC/C≤15％)等特点。