一种钨酸锆的制备方法
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111847515A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010620769.9

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 本发明公开了无机非金属材料技术领域的一种钨酸锆的制备方法,该钨酸锆的制备方法包括如下步骤:搅拌混合:将氧化锆粉体和氧化钨粉体加入到搅拌装置内进行搅拌混合或者通过人工进行搅拌混合;热处理:将混合的氧化锆粉体和氧化钨粉体加入到容器内并连同容器一起放入到热处理炉中,热处理温度分为三个阶段,通过特定的烧结工艺对氧化锆和氧化钨混合粉进行烧结,本发明在1105~1257℃的温度区间反应产生钨酸锆的过程中,引入不少于一次的温度突变,温度迅速上升到液相点之上,保温较短时间后迅速冷却到固相反应温度,该温度突变的目的是利用产生液相夯实烧结体的致密度,缩小由于烧结反应产生的孔隙,促进原料间的扩散。

    无酶的葡萄糖电化学传感器及其检测方法

    公开(公告)号:CN110186986A

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201910541655.2

    申请日:2019-06-21

    Abstract: 本发明公开了无酶的葡萄糖电化学传感器及其检测方法。所述传感器包括由工作电极、参比电极和对电极组成的三电极体系,所述工作电极为多孔Cu集流体表面构筑的具有P-N结特性的同质结铜氧化物纳米纤维阵列。本发明传感器将工作电极设计为在多孔Cu表面原位构筑的具有同质结特性的氧化铜,从而提高工作电极电子和空穴的分离能力,通过预施加负电压使电极表面附着OH-,在施加正电压进行检测,并利用阳离子交换膜减缓切换电压后OH-的脱附,从而实现在体液中性条件下的高灵敏度检测。

    一种银合金复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN116770241A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310510153.X

    申请日:2023-05-08

    Abstract: 本发明提供一种银合金复合薄膜及其制备方法,属于OLED技术领域。所述银合金复合薄膜是采用磁控溅射镀膜仪在基体上通过双靶溅射交替沉积CrMoNbTaW膜层和Ag膜层制成,所述的复合薄膜以CrMoNbTaW膜层为最顶层,CrMoNbTaW膜层比Ag膜层多一层。本发明制备的银合金复合薄膜性能和成分稳定,具有高导电率、高反射率,制备工艺简单,适用于反射电极膜、液晶显示器、光记录介质、有机发光二极管等领域,能够抗电迁移,提高其抗硫化耐腐蚀性能和服役寿命。

    一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法

    公开(公告)号:CN113184924B

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202110678681.7

    申请日:2021-06-18

    Abstract: 本发明公开了一种固相插层法制备高熵层状化合物的方法,所述高熵层状化合物的分子式表达为(HEM)xMX2,其中HEM为元素周期表中的任意四种或四种以上金属元素的组合,元素总量为x,,M为过渡族金属元素,X为S、Se、Te元素中的一种。本发明采用固相插层法合成了一系列的过渡族金属层状化合物(HEM)xMX2,即在MX2层与层之间引入一层高熵原子层,可以对其插层量进行调控,从而得到不同的晶体结构,该系列材料在新能源等应用领域具有巨大潜力,本发明的制备方法简易,反应周期短,成本低,可以获得高纯度的产物。

    一种钨酸锆的制备方法
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111847515B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202010620769.9

    申请日:2020-06-30

    Abstract: 本发明公开了无机非金属材料技术领域的一种钨酸锆的制备方法,该钨酸锆的制备方法包括如下步骤:搅拌混合:将氧化锆粉体和氧化钨粉体加入到搅拌装置内进行搅拌混合或者通过人工进行搅拌混合;热处理:将混合的氧化锆粉体和氧化钨粉体加入到容器内并连同容器一起放入到热处理炉中,热处理温度分为三个阶段,通过特定的烧结工艺对氧化锆和氧化钨混合粉进行烧结,本发明在1105~1257℃的温度区间反应产生钨酸锆的过程中,引入不少于一次的温度突变,温度迅速上升到液相点之上,保温较短时间后迅速冷却到固相反应温度,该温度突变的目的是利用产生液相夯实烧结体的致密度,缩小由于烧结反应产生的孔隙,促进原料间的扩散。

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