公开(公告)号：CN101410972A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780010965.7

申请日：2007-03-16

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·福格特米尔 ,  R·斯特德曼 ,  R·多沙伊德 ,  J·约恩克斯

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明描述了一种用于半导体衬底(600)上形成的电子芯片的低欧姆晶片通孔互连(TWI)。该TWI包括在衬底(600)的前表面和背表面之间延伸的第一连接部(610)。第一连接部(610)包括填充有低欧姆材料的通孔，该材料的电阻率低于多晶硅。该TWI还包括也在前表面和背表面之间延伸的第二连接部(615)。第二连接部(615)与第一连接部(610)在空间上由半导体衬底(600)的至少一部分隔开。前表面设有集成电路布置(620)，其中，第一连接(610)电耦合到集成电路布置(620)的至少一个节点而不穿透集成电路布置(620)。在处理TWI期间，首先可以用非金属材料，例如多晶硅来填充通孔。当在前表面上形成集成部件(620)之后，可以减薄衬底(600)，并可以用低欧姆材料，尤其是金属材料来替代非金属材料。