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公开(公告)号：CN103258847A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310168350.4
申请日：2013-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规RB-IGBT结构的基础上，通过在P型基区和N—漂移区之间，N—漂移区与P+集电区之间同时引入N型FS(Field Stop)场截止层，同时在正面场截止层下方和背面场截止层上方同时引入了P型埋层，在满足器件耐压要求的条件下，通过减薄器件厚度将器件的电场由三角形转变为梯形分布。漂移区载流子浓度分布的优化增强器件体内的电导调制，降低了器件的正向导通压降和关断损耗。
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