公开(公告)号：CN103280775A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310263167.2

申请日：2013-06-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  吴明进 ,  曾智 ,  宋文龙 ,  宋洵奕 ,  刘广涛

IPC: H02H7/20

Abstract: 本发明涉及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动控制技术，特别涉及IGBT并联输出动态延时过流保护电路。本发明针对现有技术IGBT并联使用时的过流保护问题，公开了一种IGBT并联输出动态延时过流保护电路，根据过流电流的大小动态调整延迟时间。本发明的技术方案是，绝缘栅双极型晶体管并联输出动态延时过流保护电路，由N个模块并联组成，N为整数，N≥2；其中每个模块包括：电流变化采样单元、电流还原单元、过流承受时间计算单元、固定关断时间控制单元、驱动单元和IGBT，每个模块的IGBT集电极通过负载与电源连接。本发明的过流保护抗干扰能力强，不会误关断，过流信号解除后，自动恢复正常工作，易于小型化和集成化。

公开(公告)号：CN103489924B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310421627.X

申请日：2013-09-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  邹有彪 ,  宋文龙 ,  顾鸿鸣 ,  吴明进 ,  张金平 ,  任敏

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种低电容JFET器件及其制造方法。本发明所述的低电容JFET器件，包括p型半导体材料衬底、覆盖于衬底表面的n型外延层、外延层中的第一p区及第二p区、外延层中的第一n型半导体区、第二n型半导体区与第二p区之间的氧化层介质槽以及器件表面的金属栅电极、源电极、漏电极。本发明的有益效果为，可以明显降低JFET器件的输入电容从而提升探测器的灵敏度，同时还可以降低JFET器件的泄漏电流。本发明尤其适用于低电容JFET器件。

公开(公告)号：CN103489906A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310420393.7

申请日：2013-09-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  邹有彪 ,  宋文龙 ,  李果 ,  刘建 ,  吴明进

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/063

Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型半导体器件。本发明所述的绝缘栅双极型半导体器件，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合而成的IGBT，在第二种导电类型的MISFET的第二种导电类型的半导体材料作为漂移区上表面形成了第一种导电类型的体区，在体区中形成了由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构，在体区中还形成了第二种导电类型的半导体作为MISFET的源区；将源区用金属层连接起来形成IGBT发射极电极；将槽栅结构的半绝缘材料或导电材料引出作为IGBT的栅极。本发明的有益效果为，具有低导通压降、快关断的优点。本发明尤其适用于绝缘栅双极型半导体器件。

公开(公告)号：CN103384063A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310284263.5

申请日：2013-07-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  邹有彪 ,  刘建 ,  宋文龙 ,  宋洵奕 ,  张金平 ,  任敏

IPC: H02H9/02 ,  H02H9/04 ,  H01L27/02 ,  H01L21/782

Abstract: 本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种可编程浪涌保护电路及其制造方法。本发明所述的一种浪涌保护电路，由2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门极晶闸管构成，主要是利用MOSFET的漏源电流来控制晶闸管的通断，从而泄放浪涌电流，并提出了制造该浪涌电路的方法。本发明的有益效果为，具有响应速度快（ns级）、承受电压电流冲击能力强的优点，并能同时实现双线双向浪涌保护，还可根据需要调节保护器件对浪涌电压的敏感度。本发明尤其适用于浪涌保护电路。

公开(公告)号：CN103311315A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310179865.4

申请日：2013-05-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  杨文韬 ,  宋洵奕 ,  宋文龙 ,  张金平 ,  任敏

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/08

Abstract: 具有肖特基接触终端的快恢复二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统快恢复二极管的基础上，将等位环接触金属改为肖特基接触金属，减小了过渡区处的注入效率，优化了终端部分载流子分布，减小了关断损耗，提高了反向恢复过程中的可靠性。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。