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公开(公告)号：CN103489907A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310420417.9
申请日：2013-09-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/4236
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型晶体管。本发明所述的绝缘栅双极型晶体管，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合形成IGBT，在第二种导电类型的MISFET的第二种导电类型的半导体材料上表面上形成了第一种导电类型的体区，在体区中形成了第一种由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构，在体区中还形成了第二种导电类型的半导体作为MISFET的源区；在体区中还形成了第一种导电类型的半导体区，在体区中形成了第二种由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构。本发明的有益效果为，具有低导通压降、快关断的优点。本发明尤其适用于绝缘栅双极型晶体管。
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公开(公告)号：CN103441125A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310284264.X
申请日：2013-07-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L21/8222
Abstract: 本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路。本发明所述的一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路，其特征在于，包括双向晶闸管、NPN型三极管和PNP型三极管，所述NPN型三极管的发射极和双向晶闸管的P型门连接、基极引出第一电极，所述PNP型三极管的发射极和双向晶闸管的N型门连接、基极引出第二电极，所述双向晶闸管的一端引出第三电极、另一端与NPN型三极管的集电极和PNP型三极管的集电极均接地。本发明的有益效果为，可以实现对单线路的双向可编程浪涌保护，同时可极大的减小芯片面积，从而降低生产成本。本发明尤其适用于浪涌保护电路。
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公开(公告)号：CN109831265B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201910069398.7
申请日：2019-01-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B17/382
Abstract: 本发明涉及一种基于空域滤波的宽带信号频谱感知方法和系统，该方法包括：构造阵列宽带信号的时域接收模型和频域接收模型；确定不出现虚假谱峰的最大阵元间距；根据所述最大阵元间距，结合利用TCT算法，通过构造聚焦矩阵将宽带信号变换到聚焦频点，融合窄带WMUSIC算法进行空间谱分析的信号检测；利用TCT算法中的去噪协方差矩阵对各频点构造新的变量，再结合窄带WMUSIC算法对所述信号进行角度的准确性估计。本发明突破了传统阵元间距取半波长的限制，增强了角度分辨率；减少了计算量；无需估计信源数便可得到阵列接收信号的空间谱；提高了信号入射角的准确性。
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公开(公告)号：CN111223994A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010055484.5
申请日：2020-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种采用羰基小分子作为添加剂的全印刷介观钙钛矿太阳能电池，该太阳能电池设置在衬底上，由下而上包括衬底上依次层叠设置的阴极层、氧化物致密层、多孔电子传输层、多孔阻隔层、多孔阳极层，钙钛矿薄膜填充各多孔层中，通过在钙钛矿前驱体溶液中引入羰基小分子添加剂作为钙钛矿结晶的钝化剂、交联剂，钝化了钙钛矿的碘缺陷，增加了钙钛矿薄膜的结晶度，提升了钙钛矿薄膜的成品率，并能显著的提升全印刷介观钙钛矿太阳能电池的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103702495B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410024201.5
申请日：2014-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种基于交流电供电的线性LED驱动电路。本发明的线性LED驱动电路，包括整流桥电路和多个LED模块，其特征在于，还包括采样电路、逻辑控制电路和多个恒流模块；所述整流桥电路与采样电路、LED模块和恒流模块连接，所述采样电路与逻辑控制电路连接，所述逻辑控制电路分别与每个恒流模块连接，所述恒流模块与LED模块数量相等且依次对应相连接。本发明的有益效果为，能有效提高电能转化效率，实现LED电流恒流和LED平均功率恒定，还可根据需求，调节LED数目，设定LED灯具功率。本发明尤其适用于线性LED驱动。
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公开(公告)号：CN103956385A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410182547.8
申请日：2014-04-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/808 , H01L29/1058 , H01L29/66893
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件在栅区下方的沟道区中引入了辅助层13，辅助层13靠近源端一侧，利用此辅助层13来减弱沟道调制效应，从而实现在宽电压输入范围内，输出电流的变化率小。本发明的有益效果为，在制作工艺并不复杂的基础上，器件的恒流特性较好，在宽电压输入范围内，输出电流的变化率很小，比常规的JFET器件提高了约100％，能够满足更小恒流精度的需求，特别适合小功率LED灯恒流驱动。本发明尤其适用于小功率LED灯恒流用JFET器件。
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公开(公告)号：CN103489906A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310420393.7
申请日：2013-09-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/063
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种绝缘栅双极型半导体器件。本发明所述的绝缘栅双极型半导体器件，采用一个双极型晶体管BJT及一个第二种导电类型的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管MISFET组合而成的IGBT，在第二种导电类型的MISFET的第二种导电类型的半导体材料作为漂移区上表面形成了第一种导电类型的体区，在体区中形成了由绝缘材料和半绝缘材料或导体构成的槽栅结构，在体区中还形成了第二种导电类型的半导体作为MISFET的源区；将源区用金属层连接起来形成IGBT发射极电极；将槽栅结构的半绝缘材料或导电材料引出作为IGBT的栅极。本发明的有益效果为，具有低导通压降、快关断的优点。本发明尤其适用于绝缘栅双极型半导体器件。
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公开(公告)号：CN103384063A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310284263.5
申请日：2013-07-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H9/02 , H02H9/04 , H01L27/02 , H01L21/782
Abstract: 本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种可编程浪涌保护电路及其制造方法。本发明所述的一种浪涌保护电路，由2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门极晶闸管构成，主要是利用MOSFET的漏源电流来控制晶闸管的通断，从而泄放浪涌电流，并提出了制造该浪涌电路的方法。本发明的有益效果为，具有响应速度快（ns级）、承受电压电流冲击能力强的优点，并能同时实现双线双向浪涌保护，还可根据需要调节保护器件对浪涌电压的敏感度。本发明尤其适用于浪涌保护电路。
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公开(公告)号：CN208925609U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201820904430.X
申请日：2018-06-12
Applicant: 电子科技大学成都学院
Abstract: 本实用新型涉及一种智能婴儿床，属于家具技术领域。该智能婴儿床包括床架、床体和摇摆机构，床架围成开口向上的第一容纳腔；床体设置于第一容纳腔内且具有开口向上的第二容纳腔，床体的两端通过第一转轴可转动的支撑于侧架；摇摆机构包括曲柄和连杆，曲柄的一端铰接于床架且能够在电机的作用下转动，床体的一端设置有连接部，第一转轴与连接部之间形成摇杆，曲柄、摇杆和连杆形成曲柄摇杆机构，连杆和摇杆的长度可调。床架和床体分开设置，摇摆机构可以驱动床体的摆动，可以舒缓儿童的紧张情绪，帮助儿童进入睡眠状态。
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