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公开(公告)号：CN115173018B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202210677498.X
申请日：2022-06-15
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 优点。本发明公开了一种适用于毫米波段无源滤波器的谐振器结构及集成结构，包括馈线层，包括第一馈线和第二馈线；谐振层，设置在馈线层下，且所述谐振层包括与所述第一馈线耦合的第一谐振器、与所述第二馈线耦合的第二谐振器；所述第一谐振器和所述第二谐振器之间设置有第三谐振器，且所述第三谐振器分别与所述第一谐振器和所述第二谐振器耦合；其中，所述第三谐振器具有与所述第一谐振器和第二谐振器不同的高次谐波；衬底层，设置在所述谐振层下，包
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公开(公告)号：CN116938182A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310901712.X
申请日：2023-07-21
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H03H7/42
Abstract: 本申请实施例公开了一种输入端无反射电路、芯片及设备，包括：主电路和无反射电路，所述无反射电路位于主电路前端，所述无反射电路顶层金属和中间层金属为微带线，形成垂直耦合结构；底层为一块完整的金属，是该结构的参考地，相邻两层金属之间填充介质层。采用主电路和无反射电路设计结构，实现电路输入端口无反射功能。通过级联上述无反射电路和主电路，实现小型化的输入端无反射电路的设计。输入端无反射电路，可广泛应用于无源/有源电路以及系统设计中，也可集成到芯片中，更加符合多功能无线通信系统的发展需求。
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公开(公告)号：CN116155209A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310171378.7
申请日：2023-02-20
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种高数据率功率放大器，由一对差分放大管和单元阵列构成；所述单元阵列包含多个双沿触发单元，所述双沿触发单元包含两个相同的D触发器、两个相同电路尺寸的传输门、一个与门以及一个开关管N1；两个D触发器的输出端分别对应连接两个传输门的输入端，两个传输门的输出端连接后共同接入与门的一个输入端，与门的输出端与开关管N1的栅极相连，开关管N1的源极接地，每个双沿触发单元中的开关管N1的漏极相接后与所述差分放大管相连。本发明在保持采样频率CLK不变的情况下，假定传统数字化功率放大器的基带信号符号率为BW，采用了双沿触发技术后，等效的基带信号符号率提升为2BW，使得传输数据率在理论上能提升一倍。因此，适宜推广应用。
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公开(公告)号：CN114826206A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210264506.8
申请日：2022-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种移相器相位校准电路及其校准方法，主要解决现有移相器电路相位控制系统复杂，导致系统额外开销大的问题。该校准电路包括移相器电路，对移相器电路输出端口进行信号采样并对相位进行检测判断并生成反馈信号的相位检测电路，以及用于接收相位检测电路的反馈信号并用于调整控制编码至移相器电路的控制编码生成电路。本发明相较于数字预失真方案，无需对移相器电路进行测试，也不需要查找表等复杂的存储电路；相较于相位补偿性方案，片上实现了信号反馈与相位检测，也不需要额外的相位补偿电路。因此，本发明适宜推广应用。
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公开(公告)号：CN111342178B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010185029.7
申请日：2020-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请实施例公开了一种介质集成缺陷地结构器件、滤波器及通信系统，所述介质集成缺陷地结构器件为多层结构，所述多层结构包括第一介质层、第一金属层和第二金属层，所述第一介质层位于所述第一金属层和第二金属层之间，所述第一金属层部分区域镂空，形成缺陷区域，所述第二金属层为完整的金属层结构。采用本申请实施例所提供的技术方案，可以在尽量保证滤波器小型化的基础上实现超宽阻带和高抑制度；另外，将滤波器的辐射降低到非常低的程度。由于该滤波器辐射低和具有完整金属层的地(即介质集成的特性)，保证滤波器具有易于集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113114289A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110359996.5
申请日：2021-04-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B1/10
Abstract: 本发明公开了一种减小信号接收端交调失真信号的方法，可以在不显著增加电路复杂度的情况下抑制多阶交调产物的产生，提高信道质量。包括混频器以及连接于混频器的输入、输出、本振端口的吸收性电路。需要注意的是，混频器的各端口信号可以是差分的，也可以是全正交差分的。其中，根据混频信号的特性，所述吸收性电路可采用高通响应吸收性电路、低通响应吸收性电路、带通响应吸收性电路中的任意一种。通过上述设计，本发明使用吸收性电路接混频器的各端口以实现各端口无反射，从而降低因带外反射引入的多阶交调失真信号对带内信号的干扰，并利用阻性负载吸收和耗散带外信号，而不影响通带信号的传输，提高信道质量。因此，适宜推广应用。
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公开(公告)号：CN110739135B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201911038863.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种基于电感可调的变压器，包括初级电感和次级电感，所述初级电感和所述次级电感耦合连接，对应所述初级电感和所述次级电感分别设置有耦合电感，所述初级电感和所述次级电感分别与对应的耦合电感耦合连接，每个所述耦合电感均对应设置有可调电容，所述可调电容与所述耦合电感电连接。通过对初级电感和所述次级电感分别引入额外的耦合电感，并在耦合电感上串联设置可调电容，通过耦合电感和可调电容来改变整个电路的等效感值，通过改变变压器的等效电感，来改变变压器的端口阻抗，实现匹配电路的调谐和优化。而且可调电容没有直接加在变压器的初级和次级电感上，因此可调电容的开关带来的损耗比常规的电路小。
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公开(公告)号：CN111276462A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010105118.6
申请日：2020-02-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/522 , H01L49/02
Abstract: 本申请实施例公开了一种片上电容器及通信系统，所述片上电容器包括外圈堆叠金属组件和内圈堆叠金属组件，所述外圈堆叠金属组件和内圈堆叠金属组件互不相连，所述外圈堆叠金属组件用于将所述内圈堆叠金属组件屏蔽，所述外圈堆叠金属组件和内圈堆叠金属组件分别为所述片上电容器的两个电极。采用本申请实施例所提供的技术方案，可以在常规集成电路生产工艺下实现高品质因数的片上电容器，且降低相邻电容器之间的耦合干扰。
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公开(公告)号：CN109449556B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201811235028.8
申请日：2018-10-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种混合微带线/共面波导双陷波谐振器、陷波器及电子设备，所述混合谐振器包括介质基板，所述介质基板的两侧分别设有微带线和CPW共面波导；所述微带线的一端通过第一电阻与第一电容相连，所述第一电容的自由端用于输入信号；所述CPW的一端接地，所述CPW的另一端通过第二电容与所述微带线的另一端相连，所述CPW的另一端还通过第三电容接地。本申请实施例提供的单个谐振器结构中，产生两个陷波频率，缩小滤波器体积，且两个陷波点频率和衰减均可以控制，达到灵活抑制干扰的目的。
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公开(公告)号：CN119543883A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411615256.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及可调谐N‑path滤波器技术领域，尤其涉及一种可调N‑path无反射滤波器及超外差接收机，可调N‑path无反射滤波器，包括：信号源、N‑path带通滤波单元、N‑path带阻滤波单元、输出电阻和分相时钟产生电路；其中，信号源的输出端分别与N‑path带通滤波单元和N‑path带阻滤波单元的一端连接，N‑path带阻滤波单元的另一端与输出电阻连接，分相时钟产生电路与N‑path带通滤波单元和N‑path带阻滤波单元中的多个MOS开关的栅极连接，并输出控制信号。本发明提供的可调N‑path无反射滤波器具有优良的频率选择性，能有效抑制高次谐波，且通过改变开关频率，可对通带和阻带进行调整。同时，该滤波器能消除反射信号，防止其诱导系统内的混频器和高增益放大器产生互调干扰和增益波动。
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