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公开(公告)号：CN109346530A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811059355.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/20 , H01L29/16 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯插入层结构的GaN基肖特基势垒二极管SBD器件。主要解决现有技术GaN外延层质量不高的问题。其自下而上包括蓝宝石衬底层(1)、磁控溅射氮化铝层(2)、石墨烯层(3)和重掺杂N型GaN层(4)；重掺杂N型GaN层(4)的上方设有轻掺杂N型GaN层(5)，两侧为欧姆电极(7)；轻掺杂N型GaN层(5)的上方设有肖特基金属阻挡层(8)；轻掺杂N型GaN层(5)与欧姆电极(7)之间及轻掺杂N型GaN层的上方分布有SiO2钝化层(6)。本发明通过增设磁控溅射氮化铝层和石墨烯层，提高了GaN外延层的质量，从而提高了SBD的电学特性，可用于制作GaN基半导体器件。
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公开(公告)号：CN104953285B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510363967.0
申请日：2015-06-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种实现小频率比的双频极化可重构天线，属于天线技术领域。本发明包括：介质基片、金属地板、微波开关以及共面波导和辐射单元。金属地板位于介质基片的上表面，金属地板的中间开一个正方形口，正方形口的左右两边通过微波开关各加载两个T形枝节，正方形口的下边为经馈线演变成的“山”形枝节；在共面波导靠近正方形口的一端，其缝隙呈锥度逐渐变宽，并与正方形口相交。本发明将天线的多频段技术与圆极化技术相结合，既保持了微带天线的低剖面、低成本、低交叉极化的特性，又具有双频带且小频率比(即两个工作频带间隔小)的特点。可应用于雷达和通讯系统等方面，如飞行器、舰船、车载装置等系统上。
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公开(公告)号：CN117409294A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311408911.3
申请日：2023-10-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06V10/82 , G06V10/94 , G06V10/96 , G06V10/764 , G06N3/098 , H04W28/20 , H04W28/084
Abstract: 本发明公开了一种基于自适应通信频率的云边端协同分布式学习方法及系统，其中方法包括接收所有边缘服务器上传的局部图像分类模型，进行全局聚合更新，得到全局图像分类模型；统计训练过程中所有边缘服务器上传的所有客户端的Lipschitz常数和梯度估计方差，并估算性能最佳的边缘服务器和客户端的最佳通信频率；根据边缘服务器的计算和通信性能，调整每个边缘服务器的通信频率；发送全局图像分类模型、通信频率和客户端的最佳通信频率给边缘服务器i；判断通信资源是否超出限制，全局图像分类模型是否已经收敛，若满足任一判断条件，则结束全局图像分类模型训练，并下发全局图像分类模型至客户端与边缘服务器，否则返回第一步。
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公开(公告)号：CN108899401A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810689886.3
申请日：2018-06-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/203
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法。其方案是：在蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜得到基板；在金属衬底上生长石墨烯，将石墨烯转移到基板上，得到覆盖石墨烯的基板，并对其进行热处理；在热处理后的覆盖石墨烯基板上生长N型GaN，得到N型GaN基板；在N型GaN基板上生长多量子阱层；在多量子阱层上生长P型GaN层；在P型氮化镓上旋涂得到透明导电层；对P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层进行干法刻蚀；生长SiO2保护层；干法刻蚀出电极区并生长电极，完成器件制备。本发明提高了石墨烯插入层和GaN外延层的质量，从而提升了LED的发光效率，可用于制作GaN基半导体器件。
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公开(公告)号：CN103152844A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310047202.7
申请日：2013-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04W88/10
Abstract: 本发明公开的一种无线路由器功能查询显示系统，包括无线路由器、模式查询模块、功能查询模块、文件模块、字模表、显示模块，无线路由器通过模式查询模块和功能查询模块对功能文件模块的查询，利用显示模块将字模显示出来。本发明公开的一种无线路由器功能查询显示方法，包括七个主要步骤：查询无线路由器的工作模式；确定无线路由器当前的工作模式；选取当前模式下的无线路由器功能状态；查询当前模式的无线路由器功能；定位字模；在显示模块中输入获得的字模；显示字模。本发明实现了支持与具备3G模式、WIFI模式、有线宽带模式、网络禁用模式下无线路由器功能信息的精确匹配，提高了设备模式切换的准确性，增强了产品的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115969253A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310008058.X
申请日：2023-01-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种蹲厕清洗装置，包括箱体、伸缩架和清洁机构，所述伸缩架的一端安装在箱体内，所述清洁机构安装在伸缩架的另一端，所述清洁机构包括安装竖板、机架和坑面刷体，所述安装竖板的一侧固定安装在伸缩架的一端，所述安装竖板的另一侧安装有铰接座，所述机架的一侧安装至铰接座，所述坑面刷体安装至机架，所述安装竖板安装有水平动力输出的顶座液压缸，所述顶座液压缸的动力输出端铰接有连杆的一端，所述连杆的另一端铰接至机架的背侧。该装置能够配合水冲洗，进而自动化清洗，有效提高清洁效果。
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公开(公告)号：CN115084260A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210645314.1
申请日：2022-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L23/373 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种范德华外延的氮化镓高电子迁移率晶体管器件，主要解决了现有GaN‑HEMT器件击穿电压低的问题。其包括：衬底、本征GaN缓冲层、电流孔径、GaN沟道层、AlN层、AlGaN势垒层、P‑GaN帽层、源栅电极及钝化层；该本征GaN缓冲层与电流孔径之间，垂直设有两种不同掺杂浓度的第一P型GaN层和第二P型GaN层，以分别与本征GaN缓冲层形成PN结；该衬底与本征GaN缓冲层之间，垂直设有二维材料层、第一AlN层、第二AlN层和掺铁的GaN层；该二维材料层、第一AlN层、第二AlN层及衬底的中间开有通孔，孔内蒸镀有金属形成漏极。本发明减小了导通电阻，提高了击穿电压，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN110323961B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910477016.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了摩擦纳米发电机磁耦合谐振式无线能量传输与收集系统。若能将磁耦合谐振式无线能量传输技术应用于TENG能量的无线传输，将是一个很大的技术突破。本发明由摩擦纳米发电机、联动开关、磁耦合谐振式发射模块、磁耦合谐振式接收模块和能量存储模块组成，在无需外部有源的能量管理电路和电池的情况下，收集周边环境的机械能并转化为电能为设备供电；通过无线电能传输方法可避免电线互相缠绕的麻烦，在连接与分离时不会有机械磨损等造成的损耗；磁耦合谐振无线能量传输方式可很大程度上增加能量传输效率；可应用于一些特殊的场合避免更换电池的麻烦，如浇筑与混凝土中的电子设备，植入人体的人造器官等。
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公开(公告)号：CN108878588A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810691195.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109
CPC classification number: H01L31/1852 , H01L31/109 , H01L31/1856
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯插入层的氮化镓基光电探测器的制备方法，主要用于解决现有技术在铜衬底上外延生长的氮化物材料质量较差与没有过渡层的问题，其制备步骤为：在α面蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜；将石墨烯转移到磁控溅射氮化铝薄膜上，得到覆盖石墨烯的蓝宝石基板，并对其进行热处理；在热处理后的蓝宝石基板上生长脉冲氮化铝过渡层；在该过渡层上生长低温氮化镓层，得到氮化镓基板；在氮化镓基板上光刻出窗口图形并制作电极。本发明采用磁控溅射氮化铝和脉冲氮化铝过渡层，并把石墨烯作为其中的插入层，使氮化镓能生长在具有较大晶格失配常数的衬底上，提高了氮化镓基光电探测器的质量，可用于制作氮化镓基光电器件。
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公开(公告)号：CN104953285A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510363967.0
申请日：2015-06-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种实现小频率比的双频极化可重构天线，属于天线技术领域。本发明包括：介质基片、金属地板、微波开关以及共面波导和辐射单元。金属地板位于介质基片的上表面，金属地板的中间开一个正方形口，正方形口的左右两边通过微波开关各加载两个T形枝节，正方形口的下边为经馈线演变成的“山”形枝节；在共面波导靠近正方形口的一端，其缝隙呈锥度逐渐变宽，并与正方形口相交。本发明将天线的多频段技术与圆极化技术相结合，既保持了微带天线的低剖面、低成本、低交叉极化的特性，又具有双频带且小频率比(即两个工作频带间隔小)的特点。可应用于雷达和通讯系统等方面，如飞行器、舰船、车载装置等系统上。
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