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公开(公告)号:CN117254776A
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202311266405.5
申请日:2023-09-28
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明涉及混频器技术领域,具体涉及一种W波段宽中频基波混频器;包括基波混频器腔以及设置在基波混频器腔内的5880介质基板;所述基波混频器腔包括依次连通的WR‑10射频输入波导、主腔体和WR‑10本振输入波导;5880介质基板上表面从左端开始设置有依次连接的射频波导‑微带过渡探针、短路枝节匹配网络、肖特基二极管、本振低通滤波器和中频低通滤波器;5880介质基板下表面的右端设置有本振波导‑悬置微带探针;本发明提出使用悬置微带线双面耦合结构作为本振‑中频双工结构的连接线,与传统的混频器结构相比,本发明所提出的混频器结构的中频带宽更宽,混频性能更优。
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公开(公告)号:CN117240114A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202311203124.5
申请日:2023-09-18
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN HEMT的宽带高效率整流电路,包括:输入匹配网络、谐波抑制网络、直流输出电路、二次谐波抑制网络、稳流电路、射频结栅场效应晶体管、栅极匹配网络和栅极偏置电路;输入匹配网络用于对接收的信号进行隔直处理;谐波抑制网络用于对二次谐波和三次谐波进行抑制,调节基波阻抗,拓展各次谐波阻抗的分布区间从而实现宽带特性;直流输出电路用于将输入交流功率转变为直流功率进行输出;二次谐波抑制网络用于对射频结栅场效应晶体管栅极的二次谐波进行抑制;稳流电路用于防止整个电路产生振荡;栅极匹配网络,用于二次谐波抑制网络与接地端之间的阻抗匹配;栅极偏置电路,用于对射频结栅场效应晶体管的栅极提供直流偏压。
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公开(公告)号:CN102970048A
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN201210337369.2
申请日:2012-09-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M13/15
Abstract: 本发明提供一种一种基于BCH码译码的BCH码编码参数盲识别方法,基于BCH码译码。先假设编码参数,构造译码器,对截获数据译码,通过统计并比较各译码器译码后得到的码字正确率,实现仅通过通信内容与信道误码率实现BCH码编码参数的盲识别。本发明运算复杂度低,识别速度快,性能稳定等特点,且在高误码率条件下仍能很好的进行对BCH码编码参数的盲识别。特别适用于智能通信、无线电检测以及非合作通信领域的信道编码识别。
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