光电转换元件
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111247655A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201880068499.6

    申请日:2018-10-22

    Abstract: 本发明降低暗电流。在包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)中,活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料,该p型半导体材料是聚苯乙烯换算重均分子量为40000以上200000以下的高分子化合物,在对利用透射型电子显微镜观察到的上述活性层的图像进行二值化而得到的图像中,p型半导体材料的相与n型半导体材料的相的接合长度在每1μm2进行了二值化的图像面积中为130μm以上且小于200μm。

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