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公开(公告)号：CN111327182B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010239000.2
申请日：2020-03-30
Applicant: 瀚昕微电子(无锡)有限公司
Inventor： 朱宁
Abstract: 提供了一种用于操作开关功率转换器的频率控制器。所述频率控制器包括输出电路、启动信号生成器、工作信号生成器和过渡信号生成器。所述输出电路用于连接到所述开关功率转换器。所述启动信号生成器经由第一连接线连接到所述输出电路并被配置为在所述开关功率转换器的启动时段内生成具有启动频率的启动信号。所述工作信号生成器经由第二连接线连接到所述输出电路并被配置为在所述开关功率转换器的工作时段内生成具有工作频率的工作信号。所述过渡信号生成器经由第三连接线连接到所述输出电路并被配置为在位于所述启动时段和所述工作时段之间的过渡时段内生成具有变化频率的过渡信号。
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公开(公告)号：CN117375178B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202311481861.1
申请日：2023-11-08
Applicant: 瀚昕微电子(无锡)有限公司
Inventor： 朱宁
Abstract: 本申请提供一种用于PD芯片的放电装置及其放电方法。该放电装置包括温度检测电路、放电电流选择模块及放电模式选择模块。温度检测电路用于检测PD芯片的温度。放电电流选择模块用于根据PD芯片要泄放的放电电压来选择对应的放电电流。放电模式选择模块用于根据检测到的PD芯片的温度来选择放电电流对应的放电模式。该放电方法包括：检测PD芯片的温度；根据PD芯片要泄放的放电电压来选择对应的放电电流；以及根据检测到的PD芯片的温度来选择放电电流对应的放电模式。本申请的放电电流可适应PD芯片所要泄放的不同的放电电压，并且，可以根据检测到的PD芯片的温度选择不同的放电模式，从而达到最佳的性能和安全性。
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公开(公告)号：CN113495188B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202110690636.3
申请日：2021-06-22
Applicant: 瀚昕微电子(无锡)有限公司
Inventor： 朱宁
IPC: G01R19/165
Abstract: 本申请提供一种电压波动检测电路，包括：上沿触发电路，包括输入端和输出端，该上沿触发电路以预设的时钟周期检测所述输入端接收的工作电压，在一个该时钟周期内当该工作电压的变化大于预设的偏置电压时，该输出端的输出信号在高电平和低电平之间实现至少一次目标翻转；以及检测和输出电路，同该上沿触发电路的输出端连接，检测该工作电压的变化以及该目标翻转并根据检测结果输出控制信号，其中在N个连续的时钟周期内所述上沿触发电路的输出信号均出现所述目标翻转，并且在该N个连续的时钟周期内出现的所有目标翻转中的每个目标翻转出现时所述工作电压均不小于所述启动阈值，所述检测和输出电路生成第一信号，其中所述N为不小于2的自然数。
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公开(公告)号：CN114421566B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210064044.5
申请日：2022-01-20
Applicant: 瀚昕微电子(无锡)有限公司
Inventor： 朱宁
Abstract: 本发明公开了一种充电管理电路以及包含其的充电电路。充电管理电路与反激电路连接，反激电路用于向负载充电，初级侧包括与初级线圈串联的第一开关器件，次级侧包括NMOS管；所述充电管理电路用于检测所述NMOS管的漏极与源极之间的第一电压以及栅极与源极之间的第二电压，并在第一电压大于第一阈值且第二电压大于第二阈值的情况下即在初级侧的第一开关器件和次级侧的NMOS管同时导通的情况下，触发shoot through保护，即输出第一保护信号控制初级侧的第一开关器件断开，以及输出第二保护信号控制次级侧的NMOS管断开，从而保护次级侧的NMOS管不发生损坏，提高了电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN116015257A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211710965.0
申请日：2022-12-29
Applicant: 瀚昕微电子(无锡)有限公司
Inventor： 朱宁
IPC: H03K17/04 , H03K17/687
Abstract: 本申请技术方案提供一种SiC MOSFET驱动电路，包括：第一使能模块，输出第一使能信号；第二使能模块，输出第二使能信号；驱动信号接收模块，接收所述SiC MOSFET的控制逻辑信号并输出；驱动电压输出模块，基于所述第一使能信号、所述第二使能信号以及所述控制逻辑信号向所述SiC MOSFET的栅极提供驱动电压，其中所述第一使能信号用于对所述驱动电压输出模块的启动与否进行使能，所述第二使能信号用于对所述驱动电压输出模块是否输出所述驱动电压进行使能。本申请技术方案的SiC MOSFET驱动电路能够兼具较短的启动延迟时间和较高的初始驱动电压，并且可以基于SiC MOSFET驱动电路的温度自适应的调节驱动电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115664398A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211445212.1
申请日：2022-11-18
Applicant: 瀚昕微电子(无锡)有限公司
Inventor： 朱宁
IPC: H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 本申请提供一种碳化硅驱动器的过流保护系统及方法、驱动器及驱动系统。过流保护系统包括具有过流保护比较器的过流保护模块、电压变化率检测模块及逻辑控制模块。过流保护模块提供在主MOSFET的导通周期内随时间变化的多个不同的过流保护电平，其包括导通前沿的第一时间段内的第一过流保护电平。过流保护比较器接收流过主MOSFET的漏极的电流检测信号及相应时间下的过流保护电平。逻辑控制模块基于过流保护比较器的输出生成控制信号至主MOSFET的栅极。过流保护模块基于电压变化率检测模块检测到的漏源极电压的变化率来动态调整第一过流保护电平以根据漏源极电压的变化率来提供自适应的第一过流保护电平。
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公开(公告)号：CN115562426A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211191502.8
申请日：2022-09-28
Applicant: 瀚昕微电子(无锡)有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种低压差无片外电容LDO电路，包括带隙基准电路、误差放大器EA、由PMOS管M1和PMOS管M2构成的缓冲级，由功率PMOS管M0和反馈电阻R1、反馈电阻R2和补偿器件构成的功率输出级；以及衬底调制放大器和保护电路。本发明所提供的低压差无片外电容LDO电路，在现有技术基础上，一方面采用功率调整管衬底调制技术，降低功率调整管的开启电压，进而实现降低LDO压差电压的目标；另一方面采用多种保护电路，增加LDO电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN115051579A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210712448.0
申请日：2022-06-22
Applicant: 瀚昕微电子(无锡)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高效率小体积AC‑DC电源控制器模块，包括第一封装基板、第二封装基板、焊接在第一封装基板上的高压功率MOSFET晶体管和焊接在第二封装基板上的AC‑DC控制芯片。本发明首先将AC‑DC控制芯片、功率MOSFET和电阻Rcs进行封装集成实现体积优化，减小开关电源系统的PCB布局面积实现高功率密度，并减少外部引脚和外部电阻进一步降低系统成本；此外，本发明对AC‑DC控制芯片进行效率优化，增加了电压电流混合检测控制环路和多环路控制逻辑，提高反馈信号控制精度和响应速度的同时，保持AC‑DC控制器的稳定性，对各环路的工作模式和状态进行精确控制，最终实现更高效率。
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公开(公告)号：CN114499205A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210003652.5
申请日：2022-01-04
Applicant: 瀚昕微电子(无锡)有限公司
Inventor： 朱宁
Abstract: 本申请技术方案提供一种反激电路，包括：共用一变压器且用于控制电压输出的原边控制电路以及用于输出电压的副边输出电路，其中所述原边控制电路包括：开关管、采样电阻及控制电路，所述控制电路被配置为接收所述采样电压以及所述副边输出电路反馈的电压信号，并将所述副边输出电路反馈的电压信号转换成参考电压，再将所述参考电压转换成阈值电压，并根据所述阈值电压控制所述开关管的导通或截止；其中所述阈值电压通过如下关系式转换：Vt＝VFB/(k2‑k1×VFB)，其中Vt为阈值电压；VFB为参考电压；k1为第一预设系数；k2为第二预设系数。本申请技术方案的反激电路可以降低传导损耗。
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公开(公告)号：CN114167771A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111402207.8
申请日：2021-11-19
Applicant: 瀚昕微电子(无锡)有限公司
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明涉及一种用于AC‑DC控制器的输出驱动控制电路，包括控制逻辑电路、输出驱动电路，以及欠压、过压、过温和过流保护电路。所述控制逻辑电路根据接收的恒压、恒流开启信号、峰值电流检测信号，以及欠压、过压、过温、过流保护信号进行逻辑运算，产生输出驱动电路所需要的输入脉冲信号，输出驱动电路将该输入脉冲信号进行电流和电压放大，得到有大电流驱动能力的输出信号。该电路在现有输出驱动电路基础上，增加了电平移位电路、P端浮动LDO、N端LDO和延迟补偿电路，使脉冲信号的高低电平绝对摆幅减小；从而使得上升和下降时间比现有技术快，动态功耗减小；其次，采用了多种芯片状态监测保护电路和恒压恒流多模式控制，提高电路可靠性和控制精度。
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