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公开(公告)号：CN112885869A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110150113.X
申请日：2021-02-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于金属性插层的1S1R器件及其制备方法，该器件其包括：底电极、转换层、金属性插层、阻变层和顶电极；其中，金属性插层的材料为Ti薄膜、ITO薄膜和TiN薄膜中的一种。本申请的1S1R器件，通过在1S1R器件中引入金属性插层，金属性插层作为中间电极连接两功能层，更重要地是使得选通管单元和阻变存储器单元的氧空位在工作过程中互相不干扰，保证了两个单元的独立正常工作，增强了其稳定性，与现有技术相比，具有稳定的直流耐受性、十分稳定的SET电压、RESET电压、阈值电压和保持电压等相关电压，较为明显的存储窗口和选通比，能够有效地减小漏电流，抗串扰能力强。
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公开(公告)号：CN108389971A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810195305.0
申请日：2018-03-09
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明涉及一种大面积金红石相SnO2薄膜的低温制备方法及其在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明的大面积SnO2薄膜是将干净的FTO放入浓度为0.02M～0.7M的四氯化锡溶液中，用70℃水浴2h后，再在70～200℃条件下退火1h制得。本发明方法操作简单，成本低，副产品少，对环境污染小，且制得的SnO2薄膜均匀致密，结晶性、增透性、导电性均较好。将本发明制得的SnO2薄膜应用于SnO2平面钙钛矿太阳能电池中的电子传输层，可明显提升电池的短路电流，电池的光电转换效率可以达到10％以上，因此，本发明制得的大面积金红石相SnO2薄膜具有良好的应用前景，可有效应用于平面钙钛矿太阳能电池中。
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公开(公告)号：CN105047820A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510229488.X
申请日：2015-05-07
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4233 , B82Y30/00 , H01L51/0047 , H01L2251/305
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO/PCBM/CH3NH3PbI3光吸收层的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法，电池组成包括有玻璃衬底、作为阳极的FTO层、ZnO种子层、ZnO纳米棒骨架层、有机PCBM层、钙钛矿层、Spiro-MeOTAD空穴传输层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明制备方法简便，反应条件要求较低，效果显著，在保持较高的效率的同时，也能在某种程度上克服性能稳定性的问题。该种结构将有机和无机材料有效的结合在了一起，充分发挥各自的优点，为钙钛矿太阳能电池的发展拓展了一条新的路径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102651281B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210031545.X
申请日：2012-02-13
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提出了一种Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池（DSSC）及其制备方法。该Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池是由按照从下到上顺序的FTO导电玻璃衬底、ZnO缓冲薄膜层、Ga掺杂ZnO纳米线阵列层、钌配合物染料N719、I-/I3-电解液与Pt/FTO对电极组成的。通过电场辅助化学法进行Ga掺杂ZnO，使本发明的Ga掺杂ZnO纳米线阵列DSSC电池的光电转换效率达到1.53%。本发明所涉及的制备工艺简单易行，成本低，产率高，具有非常好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN112952088B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110212580.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池阴极储能材料技术领域。本发明以碳布为基底，将碳布预处理后置于配有适当比例的金属盐、锰盐和尿素的反应釜内胆的混合溶液中，并将碳布用聚四氟乙烯板固定，最后将反应釜装置放入干燥箱中进行水热反应，其中：反应温度设置为100～180℃，反应时间设置为16～24h，反应完成后清洗干净并干燥即可。本发明的金属掺杂碳酸锰后，形貌发生改变，在提高结构的稳定性同时，增大了反应过程的表面积，也提升了其能量密度。此外，本发明制备的电极材料在电池充放电过程中对进入阴极材料内部嵌入脱嵌的锌离子的静电作用力减少，电导率增大，提升了电池的电化学性能。
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公开(公告)号：CN113066927A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110170101.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线性值)，在直流耐受性测试中表现出较强的稳定性，因此能够有效地减小漏电流，有一定的抗串扰能力。
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公开(公告)号：CN105047820B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510229488.X
申请日：2015-05-07
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO/PCBM/CH3NH3PbI3光吸收层的有机无机杂化钙钛矿太阳能电池及其制备方法，电池组成包括有玻璃衬底、作为阳极的FTO层、ZnO种子层、ZnO纳米棒骨架层、有机PCBM层、钙钛矿层、Spiro‑MeOTAD空穴传输层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明制备方法简便，反应条件要求较低，效果显著，在保持较高的效率的同时，也能在某种程度上克服性能稳定性的问题。该种结构将有机和无机材料有效的结合在了一起，充分发挥各自的优点，为钙钛矿太阳能电池的发展拓展了一条新的路径。
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公开(公告)号：CN102651281A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210031545.X
申请日：2012-02-13
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提出了一种Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池（DSSC）及其制备方法。该Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池是由按照从下到上顺序的FTO导电玻璃衬底、ZnO缓冲薄膜层、Ga掺杂ZnO纳米线阵列层、钌配合物染料N719、I-/I3-电解液与Pt/FTO对电极组成的。通过电场辅助化学法进行Ga掺杂ZnO，使本发明的Ga掺杂ZnO纳米线阵列DSSC电池的光电转换效率达到1.53%。本发明所涉及的制备工艺简单易行，成本低，产率高，具有非常好的市场应用前景。
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