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公开(公告)号：CN113782493B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110973150.0
申请日：2021-08-24
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板，以同一道光罩形成图案化的源漏极层、图案化的有源层和图案化的第二绝缘层，从而在形成用于使图案化的像素电极与连接走线连接的过孔时，只需要刻蚀第一绝缘层和钝化层。而第一绝缘层刻蚀难度较低，第二绝缘层刻蚀难度较大，因此，同一道光罩形成图案化的源漏极层、图案化的有源层和图案化的第二绝缘层，可以降低形成用于使图案化的像素电极与连接走线连接的过孔的蚀刻难度，进而降低采用同一道光罩工艺形成图案化的钝化层和图案化的像素电极层的制程难度。
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公开(公告)号：CN113745263A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110948936.7
申请日：2021-08-18
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种显示面板其制作方法及显示装置，所述显示面板将VDD走线分成高电位连接垫和高电位走线两部分，将VSS走线分成低电位连接垫和低电位走线两部分，将高电位走线和低电位走线布置于盖板上，在显示基板上仅保留高电位连接垫和低电位连接垫，将高电位走线和高电位连接垫通过第一连接垫形成电连接，将低电位走线和低电位连接垫通过第二连接垫形成电连接，从而将走线部分从显示基板上分离，改善因为压降导致的显示区域亮度不均的问题，提高信赖性，提升显示品味，并可增加显示基板的设计、结构以及制程余地。
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公开(公告)号：CN110112154B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910307679.1
申请日：2019-04-17
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭示提供了半导体基板结构及其制作方法。所述半导体基板结构包括基板、金属氧化物薄膜晶体管以及隧穿二极管。所述金属氧化物薄膜晶体管设置在所述基板上。所述隧穿二极管设置在所述基板上和所述金属氧化物薄膜晶体管旁。本揭示的半导体基板结构具有光学侦测性能。
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公开(公告)号：CN113097241A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110301833.1
申请日：2021-03-22
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种显示基板及其制作方法，该显示基板包括位于基板上的源极和漏极，覆盖源极和漏极的第一层间介质层，位于第一层间介质层、源极和漏极上的第一导体层，位于第一导体层上的第一栅极绝缘层，以及位于第一栅极绝缘层上的第一栅极层。其中，第一层间介质层在源极和漏极的上方分别具有开孔，使第一导体层可以通过开孔与源极和漏极连接。由于第一导体层作为有源层，同时与源极和漏极连接作为源漏极的导线，因此不需要另外形成源漏极导线，结构简单。另外，第一层间介质层的开孔相对于现有结构中缓冲层和层间介质层的开孔，深度减小，因而可以降低工艺难度。
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公开(公告)号：CN111474762A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010424501.8
申请日：2020-05-19
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1334 , G02F1/1333
Abstract: 本申请公开了一种液晶显示装置及其制作方法。该液晶显示装置包括层叠设置的阵列基板、聚合物网络液晶层以及彩膜基板；所述彩膜基板的上表面设有第一彩膜滤光片，其下表面设有第二彩膜滤光片；当聚合物网络液晶层为暗态时，穿过阵列基板的光线在聚合物网络液晶层散射后被第一彩膜滤光片和第二彩膜滤光片吸收，用以提高聚合物网络液晶层的暗态与其亮态的对比度。本申请通过彩膜基板上的双面彩膜滤光片吸收暗态时的散射光线，减少了在暗态时的漏光现象，降低了暗态时的亮度，从而暗态与亮态对比提升液晶显示装置的对比度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111026275A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911272488.2
申请日：2019-12-12
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种静电反馈显示阵列及主动驱动方法、电路，该显示阵列包括基板，设于基板上的绝缘层，设于绝缘层上的钝化层，设于钝化层上的介电层，设于绝缘层内的感应型TFT器件，以及设于绝缘层内的驱动型TFT器件。其中，钝化层设有LED器件以及电性连接LED器件的第一电极件；介电层设有第二电极件；感应型TFT器件的源极与第二电极件电性连接；驱动型TFT器件的源极与第一电极件电性连接，栅极与感应型TFT器件的源极电性连接。本申请能够通过TFT器件控制触摸静电力反馈开关，集成了静电反馈、电容感测与显示功能，实现边界明显的触觉反馈，同时可以避免信号源大电压直接连接人体，对人体造成伤害，提高了触发反馈的安全性。
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公开(公告)号：CN110187800A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910411686.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Inventor： 刘念
Abstract: 本发明提供一种彩膜基板及其制备方法，彩膜基板包括基板层，所述基板层上设置有一开关TFT和一个感应TFT,所述基板层上还设置有一电容感应电极层作为自电容传感器，其与所述感应TFT的源漏极连接，起到放大信号的功能；所述开关TFT控制所述自电容传感器的开关。本发明将电容传感器设置在彩膜基板上，一方面降低了感应电容距离，增加屏内电容传感器分辨率，可以实现显示面内感应(In cell)指纹识别、触控感应，减少了设备成本及厚度，提高产品竞争力；另一方面避免了盒厚因素对电场的影响，可以设计分辨率更高的电容传感器，实现全屏指纹识别。
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公开(公告)号：CN113745265B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202110954274.4
申请日：2021-08-19
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Abstract: 本申请公开了Micro LED显示面板及其制备方法，Micro LED显示面板包括：玻璃基板、遮光层、缓冲层、薄膜晶体管层、钝化层、ITO连接层、公共连接层、第一金属走线以及第二金属走线。公共连接层设于ITO连接层上，其图案化形成第一电极、第二电极、VDD走线以及VSS走线；第一金属通孔和第二金属通孔均依次贯穿钝化层、介电层、缓冲层以及玻璃基板；第一金属走线填充第一金属通孔，且覆盖VDD走线；第二金属走线填充第二金属通孔，且延覆盖VSS走线。本发明采用打孔的方式，使得位于阵列基板正面的VDD走线和VSS走线连接至位于背面阵列基板的第一金属连接层和第二金属连接层，由于背面走线因不影响显示，因此，通过增加背面走线的线宽、膜厚，以实现低电阻。
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公开(公告)号：CN113745263B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110948936.7
申请日：2021-08-18
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种显示面板其制作方法及显示装置，所述显示面板将VDD走线分成高电位连接垫和高电位走线两部分，将VSS走线分成低电位连接垫和低电位走线两部分，将高电位走线和低电位走线布置于盖板上，在显示基板上仅保留高电位连接垫和低电位连接垫，将高电位走线和高电位连接垫通过第一连接垫形成电连接，将低电位走线和低电位连接垫通过第二连接垫形成电连接，从而将走线部分从显示基板上分离，改善因为压降导致的显示区域亮度不均的问题，提高信赖性，提升显示品味，并可增加显示基板的设计、结构以及制程余地。
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公开(公告)号：CN113488517B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110721465.6
申请日：2021-06-28
Applicant: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 本申请实施例提供一种显示面板的制作方法及光罩，显示面板的制作方法包括：提供一基板，在基板上沉积钝化层，并在钝化层远离基板的一侧涂布光阻层；利用第一光罩对光阻层进行曝光处理，以形成光阻图案并使光阻图案朝向第一光罩的一面上形成凹凸结构；在钝化层远离基板的一侧沉积导电层，以使覆盖光阻图案的导电层具有孔洞；用剥离液去除光阻图案，以形成像素电极图案。导电层受光阻表面凹凸结构的影响，在光阻图案的表面凸起的位置，导电层会被刺破；在光阻图案的表面凹陷的位置，导电层在成膜延伸时会断裂开来。因此，导电层会形成诸多孔洞，这提高了剥离液的渗透率，提高了剥离液与光阻图案的接触面积，从而提高了光阻的剥离效率。
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