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公开(公告)号：CN112039492B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010780666.9
申请日：2020-08-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于生理信号滤波器中的高线性度跨导放大器，包括差分输入级，差分输出负载，电流抵消晶体管，局部负反馈等效线性电阻，偏置电流晶体管。PMOS器件M1和M2构成了差分输出级，信号从体端输入；NMOS器件M3和M4以电流源的形式作为跨导放大器的输出负载级，电流抵消晶体管和输出对管长度一致，宽度成一定比例关系，抵消输出对管的漏极电流，从而减小跨导；PMOS器件M12和M13构成局部负反馈等效线性电阻，PMOS器件M9和M10用以给该等效电阻提供偏置。本发明采用体驱动和电流抵消的方式，一方面提高了跨导放大器的线性度，另一方面又降低了跨导放大器的跨导值使其更适合应用于生理信号滤波器中。
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公开(公告)号：CN112039492A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010780666.9
申请日：2020-08-06
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于生理信号滤波器中的高线性度跨导放大器，包括差分输入级，差分输出负载，电流抵消晶体管，局部负反馈等效线性电阻，偏置电流晶体管。PMOS器件M1和M2构成了差分输出级，信号从体端输入；NMOS器件M3和M4以电流源的形式作为跨导放大器的输出负载级，电流抵消晶体管和输出对管长度一致，宽度成一定比例关系，抵消输出对管的漏极电流，从而减小跨导；PMOS器件M12和M13构成局部负反馈等效线性电阻，PMOS器件M9和M10用以给该等效电阻提供偏置。本发明采用体驱动和电流抵消的方式，一方面提高了跨导放大器的线性度，另一方面又降低了跨导放大器的跨导值使其更适合应用于生理信号滤波器中。
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公开(公告)号：CN107463725A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710490322.2
申请日：2017-06-25
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种适用于模拟及射频集成电路的参数设计方法，采用一种能表示电路中各参数间关系的参数关系图，包括下述5个基本步骤：步骤1，分析待设计的电路拓扑，绘制参数关系图；步骤2，分析所述参数关系图，对每个参数节点进行顺序标注；步骤3，根据步骤2的顺序标注，采用手工计算或扫描仿真的方式确定各个参数的值；步骤4，对于步骤3中确定的参数的值为区间的参数，进一步采用经验估测进行选取；步骤5，对于步骤3中确定的参数的值出现矛盾的，逆向进行回溯纠正，直到所有参数关系不出现矛盾，若无法达到所有参数关系不出现矛盾，则重新进行拓扑设计。本发明能增加参数设计的准确度和设计效率，同时降低设计过程的盲目性。
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公开(公告)号：CN105071801B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510480585.6
申请日：2015-08-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公开了一种抗工艺、电压、温度变化的低功耗尾电流型环形振荡电路。该振荡电路主要包括PTAT基准电流产生电路、电流镜像电路、尾电流型环形振荡器、强下拉弱上拉缓冲级和缓冲级。PTAT基准电流产生电路使用外部精密电阻来产生精准的PTAT基准电流，该基准电流具有正温度系数。尾电流型环形振荡器振荡频率与尾电流成线性关系，且振荡频率具有负温度系数。电流镜像电路镜像具有正温度系数的PTAT基准电流为尾电流型环形振荡器供电，来补偿环形振荡器的负温度系数。此尾电流型环形振荡器具有自动抗工艺离散的功能。PTAT基准电流产生电路和电流镜像电路采用Cascode结构，环形振荡电路的振荡频率对电源电压的变化不敏感。此电路结构简单，功耗低。
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公开(公告)号：CN106709467A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611264144.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: G06K9/00536 , G06K9/6278
Abstract: 本发明公开了一种适合硬件实现的实时峰电位检测和分类方法，称为基于预选的贝叶斯最优样本匹配算法。该方法基于预选机制，先选取可能为峰电位信号的候选点，再计算对应的BOTM输出。通过这种方法，避免了对噪声信号的运算处理，极大地降低了计算量，减小了功耗，使之适合于硬件实现，并且在软件实现时也能提高处理速度。采用4组不同噪声水平的模拟生物信号对本发明提出的方法进行验证，结果显示与原方法相比，PB‑BOTM把计算量降低为原来的2%左右，用matlab实现时处理时间降低为原来的2.3%左右，同时保持了与原方法相当检测和分类的准确率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105656481A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610052656.7
申请日：2016-01-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H03L7/099
CPC classification number: H03L7/0995
Abstract: 本发明公开了一种振荡频率具有极低温度离散的尾电流型环形振荡电路。该振荡电路主要包括PTAT电流产生电路、恒定电流产生电路、尾电流型环形振荡电路、缓冲级。尾电流型环形振荡电路振荡频率与尾电流成线性关系，且当尾电流为恒定电流时振荡频率具有负温度系数。采用恒定电流和PTAT电流同时为环形振荡电路提供尾电流，恒定电流提供环形振荡电路振荡所需的大部分电流，PTAT电流补偿尾电流型环形振荡电路的负温度系数，这样可以实现振荡频率的极低温度离散。环形振荡电路反相级中PMOS的源端与衬底相接，减小振荡频率的电压离散。缓冲级整形输出信号波形。
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公开(公告)号：CN105406822A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510867512.2
申请日：2015-12-01
Applicant: 浙江大学
IPC: H03C1/52
CPC classification number: H03C1/52
Abstract: 本发明公开了一种带通前馈sigma-delta调制器，包括三个级联的开关电容谐振器模块、加法器模块、量化器模块、反馈DAC模块。本sigma-delta调制器采用了前馈型结构取代常见的反馈型结构，使谐振器的输入端只包含量化噪声分量，不包含输入信号分量，从而降低了谐振器的输入电平，提高了整体sigma-delta调制器的环路稳定性。因此本发明提出的带通前馈sigma-delta调制器适合于高阶单环结构的模数转换器，并且降低了调制器电路对运放等模拟子电路的要求。由仿真结果得，本发明提出的带通前馈sigma-delta调制器在3.3V电源电压，时钟频率800KHz，中心频率200KHz，信号带宽5KHz的条件下达到96.8dB信号失真比和106dB的动态范围，满足高精度的陀螺仪、加速度传感器等微机械传感器系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN105071801A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510480585.6
申请日：2015-08-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公开了一种抗工艺、电压、温度变化的低功耗尾电流型环形振荡电路。该振荡电路主要包括PTAT基准电流产生电路、电流镜像电路、尾电流型环形振荡器、强下拉弱上拉缓冲级和缓冲级。PTAT基准电流产生电路使用外部精密电阻来产生精准的PTAT基准电流，该基准电流具有正温度系数。尾电流型环形振荡器振荡频率与尾电流成线性关系，且振荡频率具有负温度系数。电流镜像电路镜像具有正温度系数的PTAT基准电流为尾电流型环形振荡器供电，来补偿环形振荡器的负温度系数。此尾电流型环形振荡器具有自动抗工艺离散的功能。PTAT基准电流产生电路和电流镜像电路采用Cascode结构，环形振荡电路的振荡频率对电源电压的变化不敏感。此电路结构简单，功耗低。
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公开(公告)号：CN102306659A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110265578.6
申请日：2011-09-08
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于体电场调制的LDMOS器件，包括第一导电类型衬底层和设于第一导电类型衬底上的第二导电类型漂移层；第一导电类型衬底层内设有浮空区，浮空区由若干第一导电类型浮空层和若干第二导电类型浮空层在水平方向上交替叠加而成。本发明通过在衬底层中添加交替排列的P/N浮空区，利用电荷补偿的方法，优化了LDMOS器件的纵向电场，得到均匀的纵向电场分布，提高了整体器件的击穿电压，进一步优化了器件的性能。
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公开(公告)号：CN102005450A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010503634.0
申请日：2010-10-12
Applicant: 浙江大学 , 广东省粤晶高科股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种应用于VDMOS器件的ESD保护结构，所述的VDMOS器件包括从下至上依次层叠的N+衬底、N-外延层和栅氧层，所述的ESD保护结构由注于栅氧层下方的P+掺杂区、设于栅氧层上方的掺杂多晶硅以及P+掺杂区和掺杂多晶硅之间的栅氧层构成，所述的掺杂多晶硅由n+1个N+注入区和n个P-注入区组成，所有N+注入区和P-注入区沿同一方向排列且互相间隔设置，n为大于1的自然数。本发明ESD保护结构设置在VDMOS器件的栅氧化层上，P+掺杂区不需要调整到VDMOS器件场氧化层生长步骤之前，即可以与不带ESD保护结构的VDMOS器件制造工艺相兼容，提高了工艺可操作性和可控性。
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