正八面体工件中心孔的加工方法及其专用夹具

    公开(公告)号:CN102689030B

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201210010579.0

    申请日:2012-01-14

    Abstract: 本发明涉及一种正八面体工件中心孔的加工方法及其专用夹具,该加工方法利用了正八面体的任意一对相对端面互为平行,且正八面体实体对其任一个正三角形端面的投影都相接于该正三角形端面外接圆的结构特性,通过一个具有内孔直径的尺寸与正八面体工件的外接圆直径的尺寸相等的套筒来装夹正八面体工件,使得当正八面体工件以平放的方式装入夹具体的圆孔中时,套筒的内壁能够环抱着正八面体工件上下两个正三角形端面外周的六个顶角,然后通过套筒两端设置的轴向限位装置将正八面体工件夹紧在套筒内,每次装夹多个正八面体工件,各工件高度之和略大于圆孔的高度,从而使得钻头能够在穿过轴向限位上开设的通孔后在正八面体工件上钻设中心孔。

    一种基于光学涡旋的动态散斑测试方法

    公开(公告)号:CN103383353A

    公开(公告)日:2013-11-06

    申请号:CN201310276315.4

    申请日:2013-07-02

    Abstract: 一种基于光学涡旋的动态散斑测试方法。首先,获得物体动态变化过程中的动态散斑序列图像,然后利用拉盖尔-高斯复数滤波器对其进行变换后获得光学涡旋核结构参数分布矩阵;利用动态涡旋存活率和存活涡旋面内平均速度这两个新特征因子实现对动态变化过程的定量分析和测量。该方法能有效实现对动态随机过程的监测,不仅适用于速变和缓变过程,也适用于准静态过程。

    电沉积法制备分级结构多孔阵列ZnO薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103060873A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201310016812.0

    申请日:2013-01-17

    Abstract: 本发明涉及一种电沉积法制备分级结构多孔阵列ZnO薄膜的方法:1)在FTO导电玻璃上分别组装层数和粒径不同的PS模板,并将所得模板经室温干燥后放入真空干燥箱中干燥;2)以步骤1)制得的模版作为工作电极,以铂片为对电极,以饱和甘汞电极为参比电极,以锌盐水溶液为沉积液,-1.3V沉积10~30min;3)将步骤2)电沉积后的模板用二次去离子水冲洗,经室温干燥后放入真空干燥箱干燥;4)甲苯溶液中浸泡溶解去除PS模板,将ZnO薄膜取出。本发明可制备出层数和孔径可控的具有分级结构的ZnO多孔阵列薄膜,降低操作技术难度,实现了用电沉积法制备层数和孔径可控,且具有分级结构的ZnO多孔阵列薄膜。

    一种锂、锑掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN102491752A

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN201110367951.9

    申请日:2011-11-18

    Abstract: 一种锂、锑掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷的制备方法,首先制备具有通式(Na0.52K0.48)1-xLixSbyNb1-yO3的铌酸钾钠基陶瓷的A粉料和B粉料,其中,A粉料中0.075≤x≤0.065,0.06≤y≤0.05;B粉料中0.04≤x≤0.05,0.03≤y≤0.04;然后将A粉料和B粉料等摩尔比混合,再制备最终的锂、锑掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷。本发明采用两步法合成锂、锑掺杂的铌酸钾钠基陶瓷,在0~80℃之间,其压电常数d33均保持在250~275PC/N之间,与传统一步法合成的产物相比在保持较高压电性能的同时,其温度稳定性较原有方法制得的锂、锑掺杂的铌酸钾钠基陶瓷也要好。

    浑浊介质微粒尺寸、浓度变化的动态散斑测量方法

    公开(公告)号:CN101788448A

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN201010109924.7

    申请日:2010-01-25

    Abstract: 本发明公开了一种浑浊介质微粒尺寸、浓度变化的动态散斑测量方法。原理是当激光照射在动态变化的浑浊介质溶液上时,在前向散射场和后向散射场形成动态散斑,动态散斑图的散斑尺寸及对比度值与浑浊介质中微粒尺寸成正比、与浓度成反比。因此,通过计算动态散斑图序列散斑尺寸及对比度值的变化可实时、动态监视浑浊介质中微粒尺寸及浓度的变化。该方法是一种非侵入式检测方法,具有操作简单、适用范围广的特点,可广泛应用于医学生物学、大气环境监测及水下探测等领域。

    一种内部原位形成介孔结构的氧化锌晶体的方法

    公开(公告)号:CN103774224B

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201410000449.8

    申请日:2014-01-02

    Abstract: 本发明涉及纳米材料制备领域,具体地说是一种内部原位形成介孔结构的氧化锌晶体的方法,本发明采用在高压密封环境下水热反应,甲醛会吸附到晶体表面发生分解反应并产生CO、CO2 和H2等小分子气体,这些气体不会从体系中溢出反而吸附到晶体表面,占据了氧化锌沉积位点,故会形成多孔结构;此外,甲醛的量会影响孔密度和孔的尺寸,常规的水热反应其产生甲醛的量较少,造孔现象不明显或不造孔,本发明在此基础上额外加入甲醛溶液,会产生明显的造孔现象;本发明可制备出形貌可控、且在晶体内部形成介孔结构的ZnO纳米材料;本发明制备的介孔氧化锌比表面积高达121m2g‑1,是相同条件下制备的无孔氧化锌纳米结构的3倍。

    电沉积法制备分级结构多孔阵列ZnO薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103060873B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201310016812.0

    申请日:2013-01-17

    Abstract: 本发明涉及一种电沉积法制备分级结构多孔阵列ZnO薄膜的方法:1)、在FTO导电玻璃上分别组装层数和粒径不同的PS模板,并将所得模板经室温干燥后放入真空干燥箱中干燥;2)、以步骤1)制得的模版作为工作电极,以铂片为对电极,以饱和甘汞电极为参比电极,以锌盐水溶液为沉积液,-1.3V沉积10~30min;3)、将步骤2)电沉积后的模板用二次去离子水冲洗,经室温干燥后放入真空干燥箱干燥;4)、甲苯溶液中浸泡溶解去除PS模板,将ZnO薄膜取出。本发明可制备出层数和孔径可控的具有分级结构的ZnO多孔阵列薄膜,降低操作技术难度,实现了用电沉积法制备层数和孔径可控,且具有分级结构的ZnO多孔阵列薄膜。

    一种多晶面片状单晶结构二氧化钛微球的制备方法

    公开(公告)号:CN104278323A

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201410353965.9

    申请日:2014-07-24

    CPC classification number: C30B29/16 C30B7/14 C30B29/64

    Abstract: 一种多晶面片状单晶结构二氧化钛微球的制备方法,涉及一种纳米材料的制备方法,在硫酸氧钛水溶液中加入含氟试剂制备出氟和钛的摩尔比为16:1-24:1的前驱体水溶液;按照前驱体水溶液体积和反应釜的容积比为7:10的比例取前驱体水溶液加入到反应釜中,在180℃保温孵化12小时后冷却得到反应物;反应物进行抽滤,所得滤饼用去离子水洗涤抽干后,置于真空干燥箱中干燥后取出;将所得滤饼于瓷舟中,在马弗炉中450℃煅烧后冷却至室温,所得白色粉末,即为多晶面片状单晶结构二氧化钛微球。本发明所制备出的二氧化钛微球为平滑的去角八面体锐钛矿二氧化钛单晶结构,该二氧化钛微球的边长为1.3-2.2μm,厚为0.6-1.0μm。

    一种表面纳米刻蚀的二氧化钛微球的制备方法

    公开(公告)号:CN104118907A

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201410355065.8

    申请日:2014-07-24

    Abstract: 一种表面纳米刻蚀的二氧化钛微球的制备方法,涉及一种纳米材料的制备方法;其制备方法为,先制备出氟和钛的摩尔比为4:1-15:1的前驱体水溶液,所制备的前驱体水溶液加入到反应釜中,在180℃保温孵化12小时后自然冷却至室温,得到反应物;反应物进行抽滤,所得滤饼用去离子水洗涤3次并将水抽干后,置于真空干燥箱中80℃干燥8小时后取出;将所得滤饼置于瓷舟中,在马弗炉中450℃煅烧3小时后自然冷却至室温,所得白色粉末,即为表面纳米刻蚀的二氧化钛微球。本发明所制备的二氧化钛微球,由表面轻微纳米刻蚀痕迹的二氧化钛纳米片组成,为纯锐钛矿相二氧化钛,表面积大,粒径为0.8-2.6μm。

    一种锂、锑掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN102491752B

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201110367951.9

    申请日:2011-11-18

    Abstract: 一种锂、锑掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷的制备方法,首先制备具有通式(Na0.52K0.48)1-xLixSbyNb1-yO3的铌酸钾钠基陶瓷的A粉料和B粉料,其中,A粉料中0.075≤x≤0.065,0.06≤y≤0.05;B粉料中0.04≤x≤0.05,0.03≤y≤0.04;然后将A粉料和B粉料等摩尔比混合,再制备最终的锂、锑掺杂的铌酸钾钠无铅压电陶瓷。本发明采用两步法合成锂、锑掺杂的铌酸钾钠基陶瓷,在0~80℃之间,其压电常数d33均保持在250~275PC/N之间,与传统一步法合成的产物相比在保持较高压电性能的同时,其温度稳定性较原有方法制得的锂、锑掺杂的铌酸钾钠基陶瓷也要好。

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