公开(公告)号：CN105185903B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201510503866.9

申请日：2015-08-17

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 刘汇慧 ,  李同伟 ,  崔红玲 ,  毛爱霞 ,  王会娴

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 一种电阻型存储单元的制备方法，涉及非易失性存储器件技术领域，首先，在基板上用导电材料形成下电极层，在下电极层上沉积或旋涂一层绝缘介质层，通过光刻工艺在绝缘介质层上形成沟槽，沟槽的槽底通至下电极层；然后，在沟槽内形成电阻型存储单元的功能层，该功能层为上、下两层的叠层结构，其由非晶态的SnOx层和氮氧化物MnOxNy层叠层构成，非晶态的SnOx中x的取值范围为0

公开(公告)号：CN106939894A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201710177321.2

申请日：2017-03-23

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 琚伟伟 ,  王翚 ,  李同伟 ,  刘汇慧 ,  谷志峰

IPC: F04D25/10

Abstract: 本发明涉及一种可改变风向的风扇，包括中心转盘和扇叶，还设有固定轴，所述固定轴有多个，且一端均固定设置在中心转盘外圆周上，多个固定轴均匀设置在中心转盘外，且均设置在中心转盘所在平面内；多个固定轴上均套设有形状大小完全相同的扇叶，扇叶可绕固定轴旋转，且分布在固定轴两侧的扇叶的形状不对称；本发明通过在中心转盘外设置多个固定轴，并设置可绕固定轴旋转的扇叶，且分布在固定轴两侧的扇叶的形状不对称，使扇叶的中心偏离固定轴，实现扇叶同时公转和自转，从而可改变扇叶的风向，可对任意区域随心所欲的扇风。

公开(公告)号：CN105932088A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610551748.X

申请日：2016-07-14

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 刘汇慧 ,  李同伟 ,  王会娴 ,  熊国欣 ,  李小红

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/072 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392

Abstract: 一种具有钙钛矿结构的异质结薄膜光电器件，涉及一种光电器件，包括基板，以及依次层叠在基板上的下电极、p型钙钛矿型氧化物薄膜、n型钙钛矿型氧化物薄膜和上电极；其中，p型钙钛矿型氧化物薄膜为Er：Li0.1K0.4Bi0.5TiO3，掺杂的Er与Li0.1K0.4Bi0.5TiO3的摩尔比为0.005‑0.2；n型钙钛矿型氧化物薄膜为BaNbxTi1‑xO3，x的取值范围为0.05‑0.1；本发明光电器件的各薄膜层是经旋涂工艺依次涂覆在基板上后，经烘干、退火工序制成的。本发明提出了一种新的钙钛矿型异质结薄膜并应用于光电器件，能够增加异质结光电器件的光生电流，提高其光电转换效率。

公开(公告)号：CN105914243A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610551747.5

申请日：2016-07-14

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 刘汇慧 ,  李同伟 ,  王会娴 ,  熊国欣 ,  李小红

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0445

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 一种具有铁电性能的薄膜光电器件，涉及一种光电器件，包括基板，以及从下到上依次层叠在基板上的下电极Er:SrTiO3、具有铁电性能的钙钛矿型Li0.1K0.4Bi0.5TiO3薄膜和上电极La0.8Sr0.2MnO3。本发明光电器件的各薄膜层是采用溶胶凝胶法制备相应的前驱体溶液，涂覆后，经烘干、退火工序制成的。本发明提供了一种新的具有铁电性能的光电器件，其能够提高铁电光电器件的光生电流，提高其光电转换效率。

公开(公告)号：CN105185902A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510503715.3

申请日：2015-08-17

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 刘汇慧 ,  李同伟 ,  琚伟伟 ,  张利平 ,  苏向英

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种电阻型存储单元，涉及非易失性存储器件技术领域，包括基板、下电极层、功能层、上电极层和绝缘介质层，下电极层覆盖在基板上，绝缘介质层覆盖在下电极层上，绝缘介质层上设有槽底通至下电极层的沟槽，沟槽内自上而下依次设有上电极层和功能层，功能层与下电极层直接接触，上电极层与绝缘介质层表面平齐设置。所述功能层为电阻变化型存储层，该功能层为上、下两层的叠层结构，其由非晶态的SnOx层和氮氧化物MnOxNy层叠层构成，其中，非晶态的SnOx中x的取值范围为0