一种基于光学检测的芯片表面精准打孔工艺及系统

    公开(公告)号:CN118832323B

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411166068.7

    申请日:2024-08-23

    Abstract: 本发明属于芯片加工监管技术领域,具体是一种基于光学检测的芯片表面精准打孔工艺及系统,其中,该系统包括处理器、芯片设计模块、芯片打孔模块、光学检测模块、比对修正补偿模块和触摸式显示预警模块;本发明通过位置精准性校验模块和区域影响校验模块在打孔前将待打孔芯片的位置精准性和打孔操作区域内影响芯片打孔的不利因素进行分析,在生成位置高精准信号和区域低影响信号时对芯片表面进行逐一打孔,比对修正补偿模块基于打完孔的芯片图像以识别出伪通孔,并使激光打孔设备对芯片表面进行补偿式打孔,提高芯片的通孔率,保证芯片表面打孔的精度和一致性,显著提升产品质量和芯片生产效率,智能化和自动化水平高。

    用于晶圆表面处理的薄膜均质化沉积方法及装置

    公开(公告)号:CN118996380A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411497357.5

    申请日:2024-10-25

    Abstract: 本发明公开了用于晶圆表面处理的薄膜均质化沉积方法及装置,涉及晶圆处理技术领域,该方法包括:根据图像采集设备对晶圆进行状态校验,生成晶圆装载指令;根据所述晶圆装载指令,获得装载晶圆;进行沉积环境期望处理,确定沉积期望反应腔;进行薄膜沉积决策,获得满足晶圆薄膜沉积均质约束的薄膜均质化沉积策略;根据所述化学气相沉积设备的沉积控制模块对所述装载晶圆进行薄膜沉积。本发明解决了现有技术中晶圆表面处理过程中薄膜均质性控制不足,薄膜沉积的质量及工艺可靠性低下的技术问题,达到实现了晶圆表面处理过程中薄膜沉积的高均质性和高质量,极大提升了沉积工艺的可靠性和产出质量的技术效果。

    一种芯片分选设备
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117085975B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202311332722.2

    申请日:2023-10-16

    Abstract: 本发明涉及芯片技术领域,尤其是指一种芯片分选设备,包括两个支撑座,两个所述支撑座之间转动连接有转动轴,所述转动轴的端部与电机输出部连接,电机安装在支撑座内,所述转动轴的外周面固接有多个分选架组,分选架组呈圆周阵列设置;每个所述分选架组内均设置有配重机构,配重机构用以将芯片一直维持为水平状态,每个所述分选架组内均设置有固定机构,固定机构用以对芯片进行固定;由于配重机构的设置,能使分选架组表面的芯片处于水平状态,之后工作人员将合格的芯片取出即可,若芯片工作电流不合格,继续控制转动轴带动分选架组转动一百八十度,即转动至支撑座的下方,之后将不合格的芯片送至检修台即可,实现对芯片的检测并分选功能。

    一种芯片检测设备及检测方法

    公开(公告)号:CN117269739A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311568580.X

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 本发明涉及芯片检测技术领域,尤其是指一种芯片检测设备及检测方法,包括支撑架,所述支撑架内部设置有一对传送板,分别为传送板一、传送板二,一对所述传送板中部均安装有嵌合架,所述支撑架的一侧安装有检测机,所述支撑架内部安装有运输组件,所述运输组件用以上下往复传送传送板;所述运输组件包括多对传输辊,多对所述传输辊外部均安装有传输皮带,所述运输组件还包括固接在传输皮带上的两对滑动块,所述传送板一外部固接有一对滑动块,另一对所述滑动块之间固接有升降机构;本发明通过运输组件,实现了传送板一与传送板二在竖直空间中的交替作业,从而达到了节省占地空间的效果。

    汽车喷油用输油线束及其高效挤出装置

    公开(公告)号:CN115148423A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202211066843.2

    申请日:2022-09-01

    Abstract: 本发明涉及输油线束附属装置的技术领域,特别是涉及汽车喷油用输油线束及其高效挤出装置,其结构简单,设置专门的设施对废料进行收集,并方便进行卸料,同时在输油线束表皮外壁上设置凸起,增加与手部之间的摩擦力,更加方便切断的输油线束表皮与线缆分离;包括支架以及固定在支架上的挤出机;还包括:相对于挤出机可进行滑动的接料箱,接料箱上开设进料口和卸料口;箱盖,转动安装在卸料口处;推板,滑动安装在接料箱内。

    用于VCSEL芯片湿法氧化孔径的监测调控方法及装置

    公开(公告)号:CN119009679B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411484599.0

    申请日:2024-10-23

    Abstract: 本发明公开了用于VCSEL芯片湿法氧化孔径的监测调控方法及装置,涉及垂直腔面发射激光器相关领域,该方法包括:获得光束期望直径、光束期望发散角、光束期望轮廓和桶中期望功率;根据VCSEL芯片应用场景类型,采集氧化孔形状参数和氧化孔均匀系数;通过光束质量预测器进行映射,生成光束预测直径、光束预测发散角、光束预测轮廓和桶中预测功率;选取满足光束期望直径、光束期望发散角、光束期望轮廓和桶中期望功率的湿法氧化控制参数,设为监测调控基准参数;进行湿法氧化监控。解决了现有VCSEL芯片湿法氧化孔径调控存在的精度控制不足的技术问题,达到了提高VCSEL芯片氧化孔径的精度控制水平的技术效果。

    用于DFB高速激光器芯片的外延精度优化方法及装置

    公开(公告)号:CN119026538A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411521171.9

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 本申请提供了用于DFB高速激光器芯片的外延精度优化方法及装置,涉及半导体激光器制造技术领域,包括:采集结构点云数据信息,进行空间数据融合;构建激光器芯片外延工艺数据库,得到预测模型;获取目标应用场景参数,同数据库进行匹配优选;利用数字孪生技术将三维空间模型和预测模型进行嵌套融合,并对可用控制参数进行精度预测和优化分析,输出工艺控制参数,进行外延精度优化控制。通过本申请可以解决现有技术中由于现有芯片外延工艺的生长条件不稳定,导致工艺控制参数不精确,进而影响了外延精度的技术问题,通过引入激光扫描和三维建模,实现了对外延工艺参数的精确预测和优化,提高了DFB高速激光器芯片的外延精度。

    用于VCSEL芯片湿法氧化孔径的监测调控方法及装置

    公开(公告)号:CN119009679A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411484599.0

    申请日:2024-10-23

    Abstract: 本发明公开了用于VCSEL芯片湿法氧化孔径的监测调控方法及装置,涉及垂直腔面发射激光器相关领域,该方法包括:获得光束期望直径、光束期望发散角、光束期望轮廓和桶中期望功率;根据VCSEL芯片应用场景类型,采集氧化孔形状参数和氧化孔均匀系数;通过光束质量预测器进行映射,生成光束预测直径、光束预测发散角、光束预测轮廓和桶中预测功率;选取满足光束期望直径、光束期望发散角、光束期望轮廓和桶中期望功率的湿法氧化控制参数,设为监测调控基准参数;进行湿法氧化监控。解决了现有VCSEL芯片湿法氧化孔径调控存在的精度控制不足的技术问题,达到了提高VCSEL芯片氧化孔径的精度控制水平的技术效果。

    一种衍射光波导输出图像校正方法及系统

    公开(公告)号:CN118505826B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410964675.1

    申请日:2024-07-18

    Abstract: 本发明涉及衍射光波导技术领域,具体涉及一种衍射光波导输出图像校正方法及系统,用于解决现有的衍射光波导输出图像校正方法无法对衍射光波导输出图像的图像质量和异常程度进行精确判断,且对衍射光波导输出图像的图像无法自动校正,导致图像质量不佳,影响显示效果的问题;该系统通过采集衍射光波导的输入图像和输出图像的相关数据,并基于数据分析技术对输出图像的图像质量和异常程度进行精确判断,实现了异常报警以及图像自动校正,能够有效解决衍射光波导输出图像的输出异常问题,减少色散现象,提高图像的色彩还原度,提升图像的质量,提高了衍射光波导技术的显示效果,对于推动AR、VR等领域的发展具有重要意义。

Patent Agency Ranking