公开(公告)号：CN108715992B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201810568111.0

申请日：2018-06-05

Applicant: 武汉大学

Inventor： 杨兵 ,  李敬雨 ,  刘琰 ,  吴忠烨 ,  赵鑫

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/32 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C24/04 ,  C23C28/02

Abstract: 本发明公开了一种一种集成电路陶瓷电路板表面铜‑石墨烯复合涂层及其制备方法。该复合涂层从里到外由过渡金属（M）扩散层、过渡金属结合层、M/Cu交替多层过渡层、中频磁控Cu加厚支撑层以及冷喷加厚Cu层构成。为了克服电镀铜的污染问题，本发明将电弧离子镀、中频磁控溅射、冷喷和真空热处理等技术联合使用。本发明充分利用多层复合涂层技术，形成结构和成分渐变，涂层和基体为冶金结合，具有良好的附着力；与常规热扩散方法相比，本发明采用涂层技术可以大幅度降低基体温度，但可以获得更优的铜镀层；本发明利用石墨烯的高导热和高导电特性，大幅度提高常规铜涂层的性能。开发出色环保型的陶瓷电路板表面镀铜技术，工业应用前景良好。

公开(公告)号：CN108715992A

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201810568111.0

申请日：2018-06-05

Applicant: 武汉大学

Inventor： 杨兵 ,  李敬雨 ,  刘琰 ,  吴忠烨 ,  赵鑫

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/32 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C24/04 ,  C23C28/02

Abstract: 本发明公开了一种集成电路陶瓷电路板表面铜-石墨烯复合涂层及其制备方法。该复合涂层从里到外由过渡金属（M）扩散层、过渡金属结合层、M/Cu交替多层过渡层、中频磁控Cu加厚支撑层以及冷喷加厚Cu层构成。为了克服电镀铜的污染问题，本发明将电弧离子镀、中频磁控溅射、冷喷和真空热处理等技术联合使用。本发明充分利用多层复合涂层技术，形成结构和成分渐变，涂层和基体为冶金结合，具有良好的附着力；与常规热扩散方法相比，本发明采用涂层技术可以大幅度降低基体温度，但可以获得更优的铜镀层；本发明利用石墨烯的高导热和高导电特性，大幅度提高常规铜涂层的性能。开发出色环保型的陶瓷电路板表面镀铜技术，工业应用前景良好。