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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1170341C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN98105191.X
申请日：1998-03-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01P7/10
CPC classification number: H01P1/2084 , H01P7/10
Abstract: 提供一种能抑制起不需要的谐振作用的寄生输出并能防止滤波器带外特性变坏的介质谐振器。具有圆孔的电极形成在介质基片上，且该介质基片被安置在上、下导电盒之间。采用谐振区作为介质基片的开孔之间的部分，由波吸收器组成的柱形构件被置于上、下导电盒之间。
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公开(公告)号：CN1141752C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN98123818.1
申请日：1998-10-28
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/20318 , H01P1/2135
Abstract: 一种介质滤波器，包括形成在介质基片的两个主表面上的电极，其中，每一个电极具有多个开口，如此形成这些开口，从而形成在设置于介质基片的一主表面上的电极中的多个开口的位置相应于形成在设置于介质基片的另一个主表面上的另一个电极中的开口的位置。介质基片设置在上导电壳体和下导电壳体之间。无电极耦合部分形成在开口之间，由此使谐振器相互耦合，或使谐振器和输入/输出装置耦合。由此，本发明提供了一种谐振器，它可以容易地和另一个谐振器或输入/输出装置耦合，并提供了一种具有宽带特性的滤波器。
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公开(公告)号：CN1120540C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN98109277.2
申请日：1998-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P7/10 , H01P1/2084
Abstract: 本发明提供了一种例如在TEO10模的介质谐振器，它用这样的方式在介质板的两个主表面上形成电极，以便防止寄生波在电极与导体板之间空间中传播所造成的影响，从而防止Qo值的降低以及通带外频率范围中衰减特性的劣化。如此选择空腔的内直径，从而当把空腔当作波导时，波导的截止频率高于谐振区的谐振频率，并且空腔的内直径大于非电极部分。
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公开(公告)号：CN1221995A
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：CN98123818.1
申请日：1998-10-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01P7/10
CPC classification number: H01P1/20318 , H01P1/2135
Abstract: 一种介质滤波器,包括形成在介质基片的两个主表面上的电极,其中,每一个电极具有多个开口,如此形成这些开口,从而形成在设置于介质基片的一主表面上的电极中的多个开口的位置相应于形成在设置于介质基片的另一个主表面上的另一个电极中的开口的位置。介质基片设置在上导电壳体和下导电壳体之间。无电极耦合部分形成在开口之间,由此使谐振器相互耦合,或使谐振器和输入/输出装置耦合。由此,本发明提供了一种谐振器,它可以容易地和另一个谐振器或输入/输出装置耦合,并提供了一种具有宽带特性的滤波器。
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公开(公告)号：CN1198024A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN98105191.X
申请日：1998-03-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01P7/10
CPC classification number: H01P1/2084 , H01P7/10
Abstract: 提供一种能抑制起不需要的谐振作用的寄生输出并能防止滤波器带外特性变坏的介质谐振器。具有圆孔的电极形成在介质基片上,且该介质基片被安置在上、下导电盒之间。采用谐振区作为介质基片的开孔之间的部分,由波吸收器组成的柱形构件被置于上、下导电盒之间。
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