公开(公告)号：CN1224932A

公开(公告)日：1999-08-04

申请号：CN99101611.4

申请日：1999-01-28

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立器件工程株式会社

Inventor： 佐野聪明 ,  石井智之 ,  矢野和男 ,  峰利之

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/02 ,  G11C11/34 ,  G11C16/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5635 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/7888 ,  H01L29/7889

Abstract: 表面面积小的存储器单元,分别选择每个存储器单元的局部数据线,连接于全局数据线,以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压,获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器,被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。

公开(公告)号：CN1101755A

公开(公告)日：1995-04-19

申请号：CN94109104.X

申请日：1994-08-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。