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公开(公告)号:CN101689140B
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN200980000136.X
申请日:2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7207 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明的存储器系统包括:通过采用这样的非易失性半导体存储器和控制器来减少管理表创建所需的存储器的量,所述非易失性半导体存储器包括多个并行操作元件,所述多个并行操作元件分别具有多个物理块作为数据擦除的单位,所述控制器可以并行驱动所述并行操作元件并具有擦除次数管理单元,所述擦除次数管理单元以与并行驱动的多个物理块相关联的逻辑块为单位管理擦除次数。
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公开(公告)号:CN101681317B
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN200980000143.X
申请日:2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G06F11/1435 , G06F11/1441 , G06F11/1471 , G06F11/1474
Abstract: 本发明提供一种即使在数据写入期间发生程序错误时也可确实地恢复管理信息的存储器系统。在对前日志的“日志写入(1)”之后,当在执行数据写入时发生程序错误(数据写入错误)时,所述存储器系统再次执行所述数据写入而不获取与数据重写处理对应的前日志。在结束所述数据写入之后,所述存储器系统在不产生后日志的情况下获取快照来替代所述后日志,且结束所述处理。
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公开(公告)号:CN101681315A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200980000135.5
申请日:2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/1036 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明实施例的存储器系统包括:数据管理单元120,其被划分为DRAM层管理单元120a、逻辑NAND层管理单元120b以及物理NAND层管理单元120c,以使用各个管理单元独立地执行对DRAM层,逻辑NAND层以及物理NAND层的管理,从而执行有效的块管理。
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公开(公告)号:CN101681311A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200980000129.X
申请日:2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/102 , G06F11/141 , G06F11/1443 , G06F11/1471 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/105 , G11C29/00
Abstract: 一种存储器系统包括易失性第一存储单元、设置有多个能够存储多值数据的存储器基元的非易失性第二存储单元,该存储器基元具有多个页,还包括在主机设备和第二存储单元之间利用第一存储单元进行数据传输的控制器。该控制器包括保存处理单元和损坏信息恢复处理单元,在数据以一次写入方式被写入第二存储单元之前,当数据被写入和被写入了数据的页相同的存储器单元的低阶页时,该保存处理单元备份该低阶页的数据;并且当该低阶页的数据损坏时,该损坏信息恢复处理单元使用所述备份数据恢复所述损坏数据。
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