公开(公告)号：CN102656711A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080039427.2

申请日：2010-09-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高野隆好 ,  椿健治 ,  平山秀树 ,  藤川纱千惠

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构及其制造方法，以及作为缓冲层具备由含有Al作为构成元素的氮化物半导体形成的高品质的氮化物半导体多层结构的氮化物半导体发光元件。本发明的氮化物半导体发光元件是在由蓝宝石基板形成的单晶基板(1)的一个表面侧具有缓冲层(2)、n型氮化物半导体层(3)、发光层(4)和p型氮化物半导体层(5)的层叠结构。构成缓冲层(2)的氮化物半导体多层结构的特征在于，具备：形成于单晶基板(1)的上述一个表面上且由AlN形成的多个岛状的核(2a)，和以填埋相邻的核(2a)间的间隙且覆盖全部的核(2a)的方式形成于单晶基板(1)的上述一个表面侧的由AlN层形成的第1氮化物半导体层(2b)，和形成于第1氮化物半导体层(2b)上的由AlN层形成的第2氮化物半导体层(2c)，并且，核(2a)的密度不超过6×109个cm-2。

公开(公告)号：CN103718312A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037565.6

申请日：2012-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高野隆好 ,  美浓卓哉 ,  野口宪路 ,  椿健治 ,  平山秀树

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 在一种用于氮化物半导体发光元件的制造方法中，所述氮化物半导体发光元件包含：单晶衬底1；和AlN层2；和第一导电类型的第一氮化物半导体层3；和由AlGaN基材料构成的发光层4；和第二导电类型的第二氮化物半导体层6，形成所述AlN层2的步骤包含：第一步骤，将Al源气体和N源气体供应至所述反应器中，以生成将为所述单晶衬底1的所述表面101上的所述AlN层2的部分的具有Al极性的一组AlN晶核2a；和第二步骤，在所述第一步骤之后将所述Al源气体和所述N源气体供应至所述反应器中，以形成所述AlN层2。