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公开(公告)号：CN1034840C
公开(公告)日：1997-05-07
申请号：CN94102229.3
申请日：1994-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/10 , H01L21/82 , G11C11/34
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/105
Abstract: 在本发明的半导体器件中，把由绝缘部分隔开的集成电路外围部分限定为虚拟单元区，其中心部分限定为有源单元区。在有源单元区形成DRAM、SRAM、EEPROM、掩模ROM等存储单元。在集成电路区设置多个由隔离区限定的单元形成区，其内设置具有场效应管的各有源单元和有一不起半导体元件作用的元件的虚拟单元。该元件至少包括栅极和至少从与场效应半导体元件相同的结构中除去一个PN结。全部虚拟单元均可无PN结。
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