公开(公告)号：CN1501358A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310102787.4

申请日：2003-10-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北冈康夫 ,  山本和久

IPC: G11B7/00 ,  G11B7/12

CPC classification number: H01S3/1118 ,  H01S3/09415

Abstract: 一种超短脉冲激光装置包括：具有线性偏振的泵浦激光二极管；以线性偏振振荡的固体激光介质；保持偏振方向的光纤；和可饱和吸收器反射镜。该固体激光介质设置在该光纤和该可饱和吸收器反射镜之间。从该泵浦激光二极管发射的激光与该光纤的第一端面光学地耦合，从该光纤第二端面发射的激光泵浦该固体激光介质。该光纤的第一端面和该可饱和吸收器反射镜构成激光共振腔。用这种结构，可以以数百MHz的重复频率稳定地实现锁模。

公开(公告)号：CN1398030A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02126135.0

申请日：2002-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横山敏史 ,  北冈康夫 ,  山本和久

IPC: H01S5/026 ,  G02B6/42

CPC classification number: G02B6/4224 ,  G02B6/42 ,  G02B6/4234 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06256

Abstract: 本发明的课题是，在具有副支架、在上述副支架上形成的电极部和经焊接构件固定在上述电极部上的半导体激光器的激光光源中，提高半导体激光器的激光出射部在高度方向上的位置精度。在副支架23上，作为电极部形成有源区用电极24、相位调整区用电极25和DBR区用电极26。另外，在副支架23上配置多个挡块部31。用作为焊接构件的焊锡30将半导体激光器以与挡块部31相接的状态固定在电极部(有源区用电极24、相位调整区用电极25和DBR区用电极26)上。

公开(公告)号：CN1351332A

公开(公告)日：2002-05-29

申请号：CN01142783.3

申请日：2001-10-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北冈康夫 ,  笠澄研一 ,  山本和久

IPC: G11B7/00 ,  G11B7/13 ,  G02F1/37

CPC classification number: G11B7/127 ,  G02F1/3544 ,  G02F1/3775 ,  G02F2001/3546 ,  G11B7/0065 ,  H01S5/06256

Abstract: 提供具有半导体激光器和波长变换元件并控制为所希望的波长的短波长相干光源。由具有第1波长的半导体激光器1、作为用于使半导体激光器1的波长减半的波长变换元件的光波导型QPM－SHG器件2、波长分离功能7、衍射光栅8和受光元件9构成相干光源。通过利用波长分离功能7将作为基波光的半导体激光分离并使用衍射光栅8进行波长控制,将通过波长变换而得到的谐波光的波长控制为所希望的波长。

公开(公告)号：CN1989716B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580024293.6

申请日：2005-07-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北冈康夫 ,  山本和久 ,  北浦坦 ,  笠澄研一

IPC: H04B10/10 ,  G09G3/20 ,  H04B10/105 ,  H04B10/22

CPC classification number: H04B10/116 ,  G09G3/003 ,  G09G3/02 ,  G09G3/32 ,  G09G3/3406 ,  G09G2310/0237 ,  G09G2320/028 ,  G09G2320/0633 ,  G09G2320/0646 ,  G09G2354/00 ,  G09G2360/14 ,  H04B10/1141 ,  H04N13/305 ,  H04N13/376

Abstract: 本发明提供一种影像显示装置及影像显示系统，对以指定的帧频显示的影像不会产生影响而可以执行可见光通信。控制器(12)，按照影像信号来控制空间调制器(14)，让其显示影像，并通过以大于影像信号的帧频的频率对来自背光(13)的可见光进行强度调制，在来自背光(13)的可见光中加载附加信息。受光器(15)接收该可见光并进行解调，从中抽出附加信息。附加信息发生器(16)输出该附加信息。

公开(公告)号：CN100494520C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200580010595.8

申请日：2005-03-31

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 森勇介 ,  峯本尚 ,  北冈康夫 ,  木户口勲 ,  川村史朗 ,  佐佐木孝友 ,  高桥康仁

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/08

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T117/1096

Abstract: 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。

公开(公告)号：CN101203802A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200680022220.8

申请日：2006-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 笠澄研一 ,  北冈康夫 ,  水内公典 ,  山本和久

IPC: G03B21/14 ,  G02B27/48 ,  G02F1/13 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02B27/149 ,  G02B17/004 ,  G02B26/0808 ,  G02B27/0905 ,  G02B27/0933 ,  G02B27/0944 ,  G02B27/102 ,  G02B27/1046 ,  G02B27/1093 ,  G02B27/145 ,  G03B21/14 ,  G03B21/2033 ,  G03B21/208 ,  G03B33/12 ,  H04N9/3161

Abstract: 本发明提供一种二维图像显示装置、照明光源及曝光装置，其中，二维射束扫描部(2)反射来自红色激光光源(1a)、绿色激光光源(1b)以及蓝色激光光源(1c)的各射出射束，在二维方向上进行扫描；各扩散板(3a、3b、3c)使在二维方向被扫描的各光束扩散并将其导向各空间光调制元件(5a、5b、5c)；各空间光调制元件(5a、5b、5c)根据各色的视频信号来调制各光；分色棱镜(6)将调制后的3种色的光合波后导向投射透镜(7)；将彩色图像显示在投影屏(8)上。由于从射束扫描部射出的二维的光被扩散并照射到空间光调制元件上，因此可以使从扩散部件射出并照射空间光调制元件的射束的光轴不断变化，从而可以有效地抑制斑点噪声。

公开(公告)号：CN1950950A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014058.0

申请日：2005-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹内孝之 ,  川岛孝启 ,  斋藤彻 ,  奥泽智宏 ,  北冈康夫

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66742 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，其包括半导体层(14)、与半导体层(14)电连接的源电极(15)以及漏电极(16)、和用于对源电极(15)和漏电极(16)之间的半导体层(14)施加电场的栅电极(12)，半导体层(14)包括由无机半导体构成的多根细线和有机半导体材料。

公开(公告)号：CN1930327A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580008118.8

申请日：2005-04-27

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 森勇介 ,  峯本尚 ,  北冈康夫 ,  木户口勋 ,  川村史朗 ,  佐佐木孝友 ,  梅田英和 ,  高桥康仁

IPC: C30B9/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/10 ,  C30B29/406 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/1064 ,  Y10T117/1096

Abstract: 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。

公开(公告)号：CN1305185C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200410028222.0

申请日：1996-05-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本和久 ,  水内公典 ,  北冈康夫 ,  加藤诚

IPC: H01S3/109 ,  G02F1/37

CPC classification number: G02F1/37 ,  G02F1/3558 ,  G02F1/3775 ,  G02F2203/60 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/109 ,  H01S3/23 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/02 ,  H01S5/40 ,  H01S5/4087

Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。

公开(公告)号：CN1302587C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN02812469.3

申请日：2002-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 笠澄研一 ,  北冈康夫 ,  横山敏史 ,  水内公典 ,  山本和久 ,  千贺久司 ,  古宫成 ,  石桥广通

IPC: H01S5/0687 ,  G02F1/37

CPC classification number: H01S5/0687 ,  G02F1/37 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/0683

Abstract: 本发明提供一种在周围温度变化及输出功率变动的情况下也能够实现稳定的高次谐波输出的光源装置。它包括：半导体激光器光源(4)；从半导体激光器光源(4)的出射光产生第二高次谐波的光波导型QPM-SHG器件(5)；控制半导体激光器光源(4)的出射光波长的波长控制部件(7)；使半导体激光器光源(4)的出射光波长变化的波长微量变动部件(8)；以及检测半导体激光器光源4的出射光波长变化了时的光波导型QPM-SHG器件(5)的输出光功率变化的部件。根据半导体激光器光源(4)的出射光波长变化了时的光导波路型QPM-SHG器件(5)的输出光功率的变化，控制半导体激光器光源(4)的出射光波长，使光波导型QPM-SHG器件(5)具有最佳波长。