-
公开(公告)号：CN112803904B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202110120030.6
申请日：2021-01-28
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
IPC: H03F3/217
Abstract: 本发明提供了一种基于支路并联双扇形微带线的混合EFJ类功率放大器及设计方法，包括输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、输出匹配电路。其中，输入匹配网络的输入端与功率输入端相连接，其输出端与晶体管的栅极连接，栅极偏置电路与栅极并联，晶体管的漏极接输出匹配电路，漏极偏置电路与漏极并联，输出匹配电路的输出端作为功率输出。
-
公开(公告)号：CN112838833B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202110140935.X
申请日：2021-02-02
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于发夹式微带带通滤波器的F类功率放大器及设计方法，包括输入匹配网络、栅极偏置网络、晶体管、谐波控制网络、漏极偏置网络、发夹式微带带通滤波器。相对于现有技术，本发明中提出的新型输出匹配网络由谐波控制网络和发夹式微带带通滤波器组成，将谐波控制网络和漏极偏置网络进行结合来抑制二次谐波和三次谐波的同时，使晶体管最佳负载阻抗转换为滤波器所需的输入实阻抗。而且，发夹式结构的微带带通滤波器具有小型化和良好带内特性等特点。在使输出匹配结构变得更加紧凑的前提下，提高了所设计的功率放大器在频带内的输出功率和漏极效率。
-
公开(公告)号：CN115473023B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202211157490.7
申请日：2022-09-22
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于半模基片集成波导的弱耦合耦合器及其设计方法，包括介质基板，上下蚀刻金属层以及四个端口。上层金属层由四根弯折馈线，波导上表面以及金属过孔阵列组成。下层金属层作为接地面并设有金属过孔阵列。波导上表面使用金属过孔和蚀刻技术形成类分支半模波导耦合结构，实现了弱耦合的性能。在波导中央矩形区域两端蚀刻出两条短路短截线来改善耦合器的方向性特性。本发明采用一种新颖的类分支基片集成波导耦合结构实现了弱耦合耦合器，在同类型发明中具有优秀的宽带，平坦度和方向性特性。
-
公开(公告)号：CN113282127B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110425289.1
申请日：2021-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电流源，包括偏置电路、基准电流产生电路和输出电路，其中，所述偏置电路与基准电流产生电路和负载分别连接，所述基准电流产生模块的输出与所述输出电路和负载分别连接；所述基准电流产生电路包括两条支路，每条支路均包括相连接的电流镜和亚阈值管，其中一条支路中还包括一个处于线性区的场效应管M14的漏端与亚阈值管的源端连接，该场效应管M14的栅端连接偏置电压，源端接地。本发明将三支路共源共栅电路的高电源抑制比和纳安级别输出电流的优点，与利用场效应管体效应的温度补偿结合，最终实现了6pA/℃的温度变化率和0.36nA/V的电压变化率，且总静态电流功耗仅为185nA。
-
公开(公告)号：CN115693063A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211121665.9
申请日：2022-09-15
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明公开了一种带内波纹抑制的微型基片集成波导滤波器，宽阻带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构，谐振腔上层金属刻蚀出四个形状相同的新型互补开口谐振环，记为宽阻谐振环，上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线，记为宽阻容性开槽线，下层金属刻蚀形成缺陷地；双频带带通滤波器采用单腔基片集成波导结构，谐振腔上层金属刻蚀出四个新型互补开口谐振环，四个开口谐振环按大小不同分成两组记为大谐振环和小谐振环，上层金属中间位置沿纵向刻蚀形成容性开槽线，记为双频容性开槽线，沿横向刻蚀形成栅状开槽线，上层金属锥形接口处刻蚀形成对称的开槽微带线，谐振腔内部设有金属沉孔，连接电路接地面形成慢波基片集成波导结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115664348A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211410606.3
申请日：2022-11-11
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于开口谐振环的高效率宽带射频功率放大器及其设计方法，至少包括宽带输入匹配网络、晶体管电路及输出匹配网络，其中，所述输出匹配网络至少设置开口谐振环二次谐波匹配网络和宽带基波匹配网络，所述开口谐振环二次谐波匹配网络由一个二端口矩形双环开口谐振环构成。采用本发明技术方案，利用开口谐振环在其阻带的低电阻的特性来进行对输出端二次谐波的匹配，并且二次谐波匹配与基波匹配分开进行，可以同时满足二次谐波与基波都能很好的匹配到最佳输出阻抗，从而提高漏极效率与工作带宽。
-
公开(公告)号：CN114094956A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111418391.5
申请日：2021-11-24
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了新型的宽带滤波功率放大器，其中栅极直流偏置网络用于提供功率放大晶体管工作所需的栅极偏置电压；漏极直流偏置网络用于提供功率放大晶体管工作所需的漏极偏置电压；输入端阻抗匹配网络包括微带线、隔直电容以及RC并联电路；输出端阻抗匹配网络包括T型调谐网络和带通滤波器，其中，带通滤波器包括一个长度为λ/4的平行耦合微带线和在该平行耦合微带线对四个端口分别加载不同的负载。本发明与现有的滤波器与功率放大器直接级联的方式相比，通过将带通滤波器集成到输出匹配网络中，在保证宽带和高效率的同时实现了整体电路小型化。
-
公开(公告)号：CN113271070A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110504380.2
申请日：2021-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PIN开关的可重构功率放大器及其设计方法，包括输入端口、输入匹配电路、PIN开关、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、输出匹配电路和输出端口。其中，输入匹配网络的输入端和功率输入端相连接，而其输出端与晶体管的栅极连接，栅极偏置电路与栅极并联，漏极偏置电路与漏极并联，晶体管的漏极接输出匹配电路的输入端，输出匹配电路的输出端作为功率输出。本发明采用PIN开关，有效降低了在制版和性能测试时的实际操作难度，提出新型可重构理论，提高了功放整体的可行性，并且性能也有一定程度的改善。
-
公开(公告)号：CN113162554A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110424958.3
申请日：2021-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于谐波控制的混合高效功率放大器及其设计方法，其中输入匹配网络的输入端为功率输入端，其输出与晶体管的输入端相连接，将晶体管源牵引得到的最佳源阻抗匹配到50欧姆输入端口；栅极偏置电路和漏极偏置电路为晶体管提供工作电压以及阻断射频信号流入电源；晶体管，对输入信号进行放大；谐波控制网络与晶体管的输出端相连接，对二次谐波和三次谐波的阻抗分布进行控制，在带宽内同时实现连续F类和连续逆F类的混合工作模式；基波匹配电路将晶体管负载牵引得到的最佳负载阻抗通过谐波控制网络后的阻抗匹配至50欧姆的负载端。本发明实现对二次谐波和三次谐波的精确控制，能够使功率放大器在宽带下保持高效率。
-
公开(公告)号：CN111865231A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010627286.1
申请日：2020-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器及设计方法，包括输入匹配网络、晶体管、谐波控制网络、漏极宽带补偿电路以及基波匹配网络，其中，输入匹配网络的输入端接入功率信号，其输出端与晶体管的栅极相连接；晶体管漏极与源极之间并接漏极宽带补偿电路，漏极宽带补偿电路用于根据功率信号补偿所需的输出电容；晶体管漏极与谐波控制网络的输入端相连接，谐波控制网络的输出端与基波匹配网络的输入端相连接，基波匹配网络的输出端作为功率输出端，匹配到所需要的最终阻抗值。本发明提出用于漏源输出电容的新型宽带补偿电路结构，能够根据输入功率信号获得所需的晶体管输出电容，改善了混合EF类功率放大器的工作频率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
232
records
(took 0.043 seconds)
