公开(公告)号：CN209418524U

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201822131919.0

申请日：2018-12-18

Applicant: 暨南大学

Inventor： 高丹 ,  张军

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144

Abstract: 本实用新型公开了一种增强蓝光型硅基雪崩光电二极管阵列，所述雪崩光电二极管为SACM型APD，包括衬底以及设于衬底底部的阳极，所述衬底上表面设有凹槽，所述凹槽中自下而上依次包括：阴极、非耗尽层、倍增层和场控层，且阴极、非耗尽层、倍增层以及场控层与所述衬底之间绝缘；所述场控层上覆有吸收层，且所述吸收层与所述衬底相接；所述吸收层表面覆有规则排列的亚波长结构层；所述衬底为p+型硅片；所述非耗尽层为n+型高掺杂浓度和高缺陷的多晶硅；所述倍增层为π型的硅外延层；所述场控层为p型的硅外延层；所述吸收层为π型硅外延层。与现有技术比较，本实用新型提供了一种可以提高蓝光量子效率和灵敏度，并具有高增益的硅基APD。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209418523U

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201822125977.2

申请日：2018-12-18

Applicant: 暨南大学

Inventor： 高丹 ,  张军

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144

Abstract: 本实用新型公开了一种倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列，包括衬底以及设于衬底底部的阳极，所述衬底上表面设有凹槽，所述凹槽中自下而上依次包括：阴极、非耗尽层、倍增层和场控层，且阴极、非耗尽层、倍增层和场控层与所述衬底之间绝缘；所述场控层上覆有吸收层，且所述吸收层与所述衬底相接。同时还公开了由上述倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列设置组成的高增益倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列及其制备方法。本实用新型通过将吸收层设置在器件的表层，同时将器件的上阳极设置于器件的底部，大大提高了器件的量子效率以及对可见光的灵敏度；并且将器件进行阵列化分割，提高了器件的响应速度和增益。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210805775U

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201922152044.7

申请日：2019-12-04

Applicant: 暨南大学

Inventor： 张军 ,  高丹

IPC: H01L27/146

Abstract: 本实用新型公开了一种红-绿-蓝三色探测芯片集成阵列，所述红-绿-蓝三色探测芯片集成阵列包括芯片和集成在芯片中SiO2层上的3×3红绿蓝三色探测芯片阵列，所述红绿蓝三色探测芯片阵列y轴方向依次按照绿光光电二极管、红光光电二极管、蓝光光电二极管排列，x轴方向为单色光电二极管。本实用新型所述的红-绿-蓝三色探测芯片集成阵列通过将三种颜色的光电二极管集成在同一芯片上，同时三色探测芯片的厚度一致且很薄，本实用新型的结构增强了器件的集成度，减小了器件体积；提高了器件的响应带宽及量子效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209544353U

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201822126889.4

申请日：2018-12-18

Applicant: 暨南大学

Inventor： 高丹 ,  张军

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型公开了一种可见光短波段硅基雪崩光电二极管阵列，包括吸收层，所述吸收层下部两侧分别连接有衬底层和场控层，所述场控层下部依次包括：倍增层和非耗尽层，且所述场控层、倍增层和非耗尽层依次连接；所述衬底层分别与所述场控层、倍增层和非耗尽层之间绝缘，且所述衬底层连接有第一电极，所述非耗尽层连接有第二电极。本实用新型通过将吸收层设计在器件的表层，从而使入射的可见光短波段在表层刚入射时就被充分吸收，提高了器件的响应度和量子效率；同时APD的阴极和阳极均位于器件的底部，增加了光敏面，从而提高器件的量子效率，及对可见光的灵敏度；并且对器件进行阵列化分割，提高器件的截止频率及增益。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利