公开(公告)号：CN104396142A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380033657.1

申请日：2013-07-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  多井知义 ,  浜岛章 ,  仲原利直

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/22 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02574 ,  Y10T428/2495

Abstract: 复合基板10具有：压电基板12；以及支持层14，所述支持层14接合于压电基板12上，由在接合面内不具有结晶各向异性的材料制成，厚度小于压电基板12。此外，压电基板12与支持层14通过粘着层16相接合。复合基板10的总厚度为180μm以下。将压电基板12的厚度设为t1，将支持层14的厚度设为t2时，基材厚度比Tr＝t2/(t1+t2)为0.1以上且0.4以下。厚度t1为100μm以下。厚度t2为50μm以下。支持层14由硼硅玻璃、石英玻璃等玻璃、Si、SiO2、蓝宝石、陶瓷、铜等金属等形成。

公开(公告)号：CN102624352A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110309829.6

申请日：2011-09-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小林弘季 ,  樱井贵文 ,  堀裕二 ,  岩崎康范

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/02 ,  H01L41/22 ,  H01L41/053

CPC classification number: H03H9/0585 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02622 ,  Y10T29/42

Abstract: 针对于通过粘合层粘接压电基板与支持基板的复合基板，防止其在内部产生气泡。(a)准备背面(11a)上形成有微小凹凸的压电基板(21)，以及热膨胀系数小于压电基板(21)的支持基板(12)；(b)在背面(11a)上涂布填充剂以填埋微小凹凸，形成填充层(23)；(c)对填充层(23)的表面进行镜面研磨，使其轮廓算术平均偏差Ra小于(a)中的背面(11a)；(d)通过粘合层(14)粘接填充层(13)的表面(13a)与支持基板(12)的表面，形成复合基板(20)。

公开(公告)号：CN111492577B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201880052320.8

申请日：2018-11-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  高垣达朗

IPC: H03H9/25 ,  B32B9/00 ,  C30B29/30 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H10N30/88 ,  H10N30/20 ,  H10N30/853 ,  H10N30/07 ,  H10N30/086 ,  H03H3/08

Abstract: 在将由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，抑制接合体的特性劣化。接合体(7、7A)具备：支撑基板(4)；氧化硅层(5)，其设置于支撑基板(4)上；以及压电性材料基板(1、1A)，其设置于氧化硅层(5)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成。压电性材料基板(1、1A)与氧化硅层(5)的界面(A)处的氮浓度高于氧化硅层(5)与所述支撑基板(1)的界面处的氮浓度。

公开(公告)号：CN115956339A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202180004983.4

申请日：2021-06-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮

IPC: H03H9/02

Abstract: 本发明的课题在于提高压电性材料基板与支撑基板的接合强度、且有效地减少体波的反射而抑制寄生信号。弹性波器件用复合基板7A具备：压电性材料层PZ；支撑基板S；以及位于压电性材料层与支撑基板之间的x层(x为3以上的整数)的中间层1、2、X。压电性材料层、支撑基板以及中间层满足式(1)，x为偶数时，满足式(2)，x为奇数时，满足式(3)。Rn＜Rn+1…(1)(n表示1至x的全部整数，Rn为从压电性材料层观察的第n层的中间层的压电性材料层侧的表面的算术平均粗糙度，Rx+1为支撑基板的压电性材料层侧的表面的算术平均粗糙度。)Vn‑1＜Vn…(2)(n表示2以上x以下的全部偶数，Vn为从压电性材料层观察的第n层的中间层的声速。)Vn‑1＞Vn…(3)(n表示1以上x以下的全部奇数，Vn为从压电性材料层观察的第n层的中间层的声速，V0表示压电性材料层的声速)。

公开(公告)号：CN111869105B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201880089853.3

申请日：2018-12-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮

IPC: H03H9/25 ,  H01L41/053 ,  H01L41/187 ,  H01L41/313 ,  H03H9/145

Abstract: 本发明在将由钽酸锂等形成的压电性材料基板和支撑基板借助氧化硅层而接合时，抑制在构成接合层的氧化硅与支撑基板的界面处发生剥离。接合体具备：支撑基板3；接合层4，其由氧化硅形成，且设置于支撑基板3的表面3b上；以及压电性材料基板，其由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成。在支撑基板3的表面3b设置有凹部12，接合层4具备在凹部12上延伸的结构缺陷部13。

公开(公告)号：CN112913139A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201980005268.5

申请日：2019-11-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/25 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明的课题在于，在将压电性材料基板和硅基板借助包含氧化硅的接合层进行接合时，防止接合体的破损及裂纹，在较宽的频率范围内提高接合体的有效电阻率。通过溅射法在包含硅的支撑基板1上设置硅膜2。通过将硅膜2于400℃以上600℃以下的温度进行热处理而生成中间层3。将压电性材料基板借助中间层3以及包含氧化硅的接合层而接合于支撑基板1。

公开(公告)号：CN112074622A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201980026669.9

申请日：2019-02-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  高垣达朗

IPC: C23C14/10 ,  C23C14/08 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/18 ,  H01L21/02 ,  H01L41/187 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2A而接合于支撑基板3时，即便对得到的接合体进行加热处理时，也不会发生接合体破损或压电性材料基板1(1A)剥离。接合体具备：支撑基板3；压电性材料基板1(1A)，所述压电性材料基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层2A，其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合，并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a相接。在接合层2A设置有从压电性材料基板1(1A)朝向支撑基板3延伸的空隙22、23。空隙22、23的支撑基板侧末端22b的宽度t2相对于空隙22、23的压电性材料基板侧末端22a、23a的宽度t1的比率(t2/t1)为0.8以下。

公开(公告)号：CN111492577A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880052320.8

申请日：2018-11-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  高垣达朗

IPC: H03H9/25 ,  B32B9/00 ,  C30B29/30 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L41/053 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/31 ,  H01L41/337 ,  H03H3/08

Abstract: 在将由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，抑制接合体的特性劣化。接合体(7、7A)具备：支撑基板(4)；氧化硅层(5)，其设置于支撑基板(4)上；以及压电性材料基板(1、1A)，其设置于氧化硅层(5)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成。压电性材料基板(1、1A)与氧化硅层(5)的界面(A)处的氮浓度高于氧化硅层(5)与所述支撑基板(1)的界面处的氮浓度。

公开(公告)号：CN108781064B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201780017368.0

申请日：2017-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  堀裕二 ,  浅井圭一郎 ,  吉野隆史 ,  后藤万佐司 ,  滑川政彦

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/313 ,  H01L41/337 ,  H01L41/39 ,  H03H9/25

Abstract: 在压电性材料基板1上形成接合层3，接合层3包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面4和支撑基板的表面照射中性束A，将接合层的表面和支撑基板的表面活化。将接合层的表面5与支撑基板的表面直接键合。

公开(公告)号：CN105074868B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201480009140.3

申请日：2014-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  堀裕二 ,  多井知义 ,  服部良祐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H03H3/08 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25

Abstract: 复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成，半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。