公开(公告)号：CN103828030A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280003274.5

申请日：2012-08-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 杉山智彦 ,  前原宗太 ,  角谷茂明 ,  田中光浩

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种反向漏电流得到抑制且二维电子气迁移率高的半导体元件。一种半导体原件具备：外延基板，在基底基板上以使（0001）结晶面大致平行于基板面的方式层叠形成III族氮化物层组；肖特基电极。其中，外延基板具备：沟道层，由具有Inx1Aly1Gaz1N（x1+y1+z1=1、z1＞0）组成的第一III族氮化物构成；势垒层，由具有Inx2Aly2N（x2+y2=1、x2＞0、y2＞0）组成的第二III族氮化物构成；中间层，由GaN构成且邻接于所述势垒层；保护层，由AlN构成且邻接于所述中间层。其中，肖特基电极接合在所述保护层上。

公开(公告)号：CN102024845B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201010251699.0

申请日：2010-08-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好実人 ,  市村干也 ,  角谷茂明 ,  杉山智彦 ,  仓冈义孝 ,  田中光浩

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种可实现肖特基接合的逆方向特性的可靠性高的半导体元件的半导体元件用外延基板。该半导体元件用外延基板由III族氮化物层群以(0001)结晶面相对于基板面大致平行的方式在基底基板之上积层形成，其具有由组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1，z1＞0)的第一III族氮化物构成的沟道层和由组成为Inx2Aly2N(x2+y2＝1，x2＞0，y2＞0)的第二III族氮化物构成的势垒层，第二III族氮化物是短程有序度参数α满足0＜α＜1范围的短程有序混晶。

公开(公告)号：CN102024845A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010251699.0

申请日：2010-08-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好実人 ,  市村干也 ,  角谷茂明 ,  杉山智彦 ,  仓冈义孝 ,  田中光浩

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种可实现肖特基接合的逆方向特性的可靠性高的半导体元件的半导体元件用外延基板。该半导体元件用外延基板由III族氮化物层群以(0001)结晶面相对于基板面大致平行的方式在基底基板之上积层形成，其具有由组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1，z1＞0)的第一III族氮化物构成的沟道层和由组成为Inx2Aly2N(x2+y2＝1，x2＞0，y2＞0)的第二III族氮化物构成的势垒层，第二III族氮化物是短程有序度参数α满足0＜α＜1范围的短程有序混晶。

公开(公告)号：CN102005470A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010251741.9

申请日：2010-08-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 三好実人 ,  仓冈义孝 ,  角谷茂明 ,  市村干也 ,  杉山智彦 ,  田中光浩

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66462

Abstract: 提供一种外延基板，所述外延基板能够实现肖特基接触特性优良、并具有良好的设备特性的半导体元件。采用的解决手段为在基底基板之上形成由第一III族氮化物构成的沟道层，所述第一III族氮化物至少含有Al和Ga、具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)的组成；在上述沟道层之上形成由第二III族氮化物构成的势垒层，所述第二III族氮化物至少含有In和Al、具有Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的组成，并且所述势垒层的形成方式为：表面附近部的In组成比相对于表面附近部以外的部分的In组成比要小。